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101.
弗朗西斯·培根在其著作《新大西岛》中所描述的"所罗门之宫"被认为是最早有关技术治国论的思想。在培根的思想里,技术与自然、科学和国家是一体三维的界面关系,所罗门之宫的立国之本就是技术,通过技术利用,人类可开解大自然奥秘、促进科学研究和强大国家实力,其思想开辟了后来科学研究传统中的"培根主义"和把技术视为国家进步重要力量的传统认识。  相似文献   
102.
正本刊讯2014年6月17日上午,北京市工程咨询行业创新发展暨学习沙龙(以下简称学习沙龙)在北京中设泛华工程咨询有限公司(以下简称中设泛华公司)举办。此次学习沙龙活动由北京市工程咨询协会主导,由中设泛华公司、国信招标集团北京国信智业工程顾问有限公司(以下简称国信智业公司)、中元国际投资咨询中心(以下简称中元国际)、中建精诚工程咨询有限公司(以下简称中建精诚公司)等  相似文献   
103.
长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象。由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠性实验中快速、准确地监测SiC MOSFET器件的栅极老化变化量,对可靠性研究具有重要意义。因此,文中提出一种新的栅极老化监测方法。该方法以体效应下的阈值电压VTH(body)为基础,建立理论模型来描述VTH(body)和栅极老化之间的关系。提出在栅极电压开关过程中从体二极管电压–栅极电压曲线中得到VTH(body)的方法,并详细研究实验参数对VTH(body)的影响。此外,通过高温栅偏实验对VTH(body)的实用价值进行验证,并与栅极老化参数阈值电压VTH进行对比。实验结果证明,提出的新型栅极老化监测方法可以实现栅极老化的快速、准确及非恒温环境监测。  相似文献   
104.
二安替比林甲烷光度法测定金属镍中微量钛,不加显色剂的参经溶液能消除镍等有色离子的干扰,用二氧化锰吸附共沉淀钛亦能分离镍基而消除其影响。确定了二安替比林甲烷与钛的反应条件用二氧化锰吸附共沉淀分离镍基的条件。  相似文献   
105.
本文讨论了MCS-51单片微机控制电火花加工伺服进给系统的软件,硬件的抗干扰设计原则,提供了电火花放电检测通道的隔离方法及单片机控制步进电机细分驱动系统的抗干扰措施,设计了高性能单片机抗干扰自动复位系统。  相似文献   
106.
吴红应 《轻金属》2006,(10):25-27
分析了新蒸汽直接加热压煮溶出技术存在的问题,提出了强化溶出工艺技术改造的思路,并进行了工业实践。结果表明:通过技术改造大大提升了高压新蒸汽直接加热溶出技术水平,大幅度降低了拜耳法生产氧化铝的能耗,技术经济指标明显优化,使压煮溶出工艺获得了较好的经济效益。  相似文献   
107.
本文以Si3N4工程陶瓷为磨削对象,讨论软弹性修整后金刚石微粉砂轮的磨削力特性及磨削工件表面粗糙度特性,并研究磨削过程中微粉砂轮损耗规律以及工件磨除规律。同时同常规GC杯形砂轮磨削法修整、电火花法修整进行比较。  相似文献   
108.
采用电刷镀技术在高速钢W6M05Cr4V2材料上制备了纳米WC和纳米PTFE复合镀层。采用S-2700型扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪和显微硬度计分析了不同纳米PTFE含量的纳米复合镀层的表面形貌、组织结构和显微硬度。同时,通过在扫描电镜下的微拉伸试验来测定不同含量纳米PTFE和WC的纳米复合镀层的应力一应变曲线。试验结果表明:随着纳米PTFE的加入含量增加,纳米复合镀层的组织逐渐细化和致密;当纳米PTFE含量超过5g/L后,组织致密度开始下降。显维硬度也反映了先升高再下降的过程。纳米复合镀层的抗拉强度随着纳米WC和纳米PTFE含量的增加而增加,但其作用影响有逐渐减弱的作用。纳米复合镀层的组织主要由纳米颗粒和镍基体相组成。  相似文献   
109.
概述了薄膜的制备工艺以及提高低磁场磁致伸缩性能方面的研究进展,并展望了对超磁致伸缩薄膜的发展前景。  相似文献   
110.
采用水平连铸+冷轧+拉拔工艺试制了一种新型的Cu-Sn-Ti-B铜合金线,利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM),显微硬度测试、电导率测试和拉伸性能测试等手段,综合分析了水平铸造工艺、形变加工、等温热处理对合金微观组织以及性能的影响。结果表明,其组织为长度达到mm级的α相晶粒,冷加工后晶粒发生扭曲变形且被明显拉长;引杆速度在230mm·min~(-1)时合金铸杆抗拉强度达到186MPa,伸长率达到44%。对冷轧并拉成φ3mm的合金进行400~500℃等温退火100min,可发生再结晶,细化晶粒尺寸;不同温度等温退火后发现,在450℃等温退火100min后合金线的电导率达到48.314MS/m;在500℃等温退火100min后φ3mm合金线拉制成φ1mm时有最佳的综合性能,强度达到550MPa,电导率为47.56MS/m。  相似文献   
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