数码中国——知道分子的年度选择

来自大众煤体、行业调查数据公司的知道分子组成了“2005数码中国”评委团。评委团的评点超越了我们的习惯性看法．超越了令人望而生畏的责任，最终评选出2005数码消费领域的年度事件、年度关键词和年度品牌。 评选的过程本身就是一次这个时代的审美标准以及时代词汇的运用．知道分子大量使用PK这个词遴选出激动人心的事件以及优秀的品牌。PK、中国设计、博客、品牌的民族精神、创新，是知道分子们关心的焦点找到兴奋的亮点也让我们每一个人从纷繁复杂的技术和市场变化中找到兴奋的亮点。     

经典的延续

多年来，理光的工程师们决心为35mm的轻便相机定下新的标准，决定要设计出一台镜头，在未来数年以至于数十年仍然会备受摄影人士所爱戴的相机。1996年，理光成功开发出GR1专业轻便相机。直到现在，GR相机卓越的表现仍为摄影爱好者津津乐道。2005年三季度，理光推出了这款经典相机的数码版本——GR Digital。这款相机能否成为又一款经典产品，现在就让我们一起来品味吧。     

从DSP与SBIRS空间预警系统看多色焦平面阵列的应用

空间预警系统（SEWS）是美国弹道导弹战略防御体系（BMD）中不可缺少的组成部分,是一个高度集成、高精度的光机电一体化系统。文章以美国DSP和SBIRS空间预警系统为例进行分析,并根据多色红外焦平面的工作原理,探讨了多色红外焦平面器件在空间预警系统中的应用前景与可行性。DSP和SBIRS空间预警系统具有多波段（红外）的探测能力,其中2．7μm和4．3μm的波段探测采用不同材料的红外焦平面来完成,并具有相应的成像系统,这必然会提高系统的效率和结构的精简。文中以提高空间预警系统的效率为出发点,对采用多色红外焦平面替代多种单色焦平面完成多波段探测的可行性进行了论述。     

CBS掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响

研究了钙硼硅(CBS)微晶玻璃掺杂BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO系统的微结构和介电性能,并用掺杂后晶粒壳与晶粒芯体积分数的变化规律分析了其改性机理。对比SEM照片得出,不同含量CBS掺杂BT的室温εr与掺杂后BT陶瓷的晶粒生长情况以及玻璃相的多少和分布密切相关。经优化配方和工艺后,在空气中于1150℃烧成的BaTiO3陶瓷材料的主要性能指标达到:εr25℃>1350,tgδ≤1.0×10-2,ρ≥1011?·cm,最大电容量变化率不超过±10%(-55～+150℃),适于制备中温烧结X8R多层陶瓷电容器。     

微机数据采集系统中A/D转换器抗干扰措施

本文分析了A/D转换器干扰电路原理.结合具体实践,对采用什么方法,使用什么元器件对A/D转换器的各种干扰实行有效抑制,以实现微机的电磁兼容进行了着重探讨.     

TEM00 模激光器的稳定运转以及1 /4 λ波片的作用

望远镜Z形腔设计,利用大基模体积的腔型特性,得到了低阶模情况下运转的大功率基频激光器,而且由于在望远镜腔中,激光棒上的光斑直径对于热焦距的变化并不敏感,利用ABCD矩阵可以详细的对谐振腔输出特性进行分析。另外,分析了1 /4λ波片对于Nd∶YAG棒热致双折射效应的补偿作用,实验结果与理论分析吻合较好。实验中采用了9个20W的高功率半导体激光器侧面抽运的单Nd∶YAG棒,单个声光Q驱动器, Z形腔设计,最终实现了最高输出功率为20W,M2 因子为1. 2,稳定性(RMS值) < 1%的TEM00输出。     

4H-SiC钒离子注入层的特性

研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性，注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取. 采用一种台面结构进行I-V测试. 钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大，常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2E9～1.6E10Ω·cm和2.0E6～7.6E6Ω·cm.     

激光扫描测量信号边界检出方法研究

信号边界检出是激光扫描测量系统实现稳定和高精度测量的关键技术之一.本文对标准电平切割法和二次微分法等边界检出方法的特点进行了分析和比较.基于光电共轭原理,设计了一种可实现光电共轭信号边界检出的新型电路,并使用仿真软件Multisim对该电路进行了动态仿真,表明该电路采用测量信号的自共轭函数作为参考基准,通过确定两共轭交点可稳定实现信号的边界检出.实验验证了该甄别电路,具有灵敏度高、自适应特性好的优点.     

大功率UPS电源在广电机房中的技术应用及维护

利用UPS电源可以解决“电荒”造成的电源断电、电压突变、瞬间浪涌、频率漂移和高频干扰对用电设备造成的危害。本文就如何使用和维护UPS电源做扼要论述。     

异质结n＋多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备

从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在P型4H-SiC外延层上使用P 离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P 离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n 多晶硅/n-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82×10-5Ω·cm2,接触下的注入层的方块电阻为4.9kΩ/□.对n 多晶硅/n-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论.