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31.
采用阴极电沉积法,以Zn(NO3)2水溶液为电解液,在透明导电玻璃ITO衬底上制备了ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了ZnO薄膜的微纳结构和表面形貌.用Fluoromax-P型荧光光谱仪测量了样品的室温光致发光光谱,观察到550hm处的黄绿光发射峰,认为与样品中由导带到氧填隙引起的浅受主能级的电子跃迁有关.对样品进行500℃真空退火,研究了退火前后薄膜的结构及导电性能的变化.结果表明,退火处理使薄膜的均匀性和结晶质量得到改善,导电性明显增强.此外,还观察了薄膜的阴极射线发光. 相似文献
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33.
通过正交设计试验法研究了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)实验条件对碳氮纳米管薄某》⑸湫阅艿挠跋?结果表明,当微波功率为1 500W、反应气压为8.5kPa、甲烷、氮气和氢气的流量比为8:20:80时,制备的碳氮纳米管薄膜场发射特性最好,其开启电场强度为3.2 V/μm,电场强度为8.0V/μm时的电流密度为3.5 mA/cm2. 相似文献
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ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,带隙约为3.35eV。近几年来,纳米结构ZnO材料引起了人们的广泛兴趣。它作为发光材料、太阳能电池窗口材料,以及在其他电子器件领域有着广阔应用前景。本文简要综述了ZnO纳米材料的制备方法、结构特征、及应用前景. 相似文献
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40.
文中报导了硅中受主杂质A~+态的远红外光电导Fourier光谱的实验结果,并提出了解释实验结果的A_2~+A~-模型。 相似文献