关于风电场设备由计划检修至状态检修转变的考虑

传统的计划检修已经不能满足现代化风电设备发展的需求,因此在进行风电设备检修的时候,应该积极地进行状态检修,从而降低风电设备的生产费用以及提高风电设备生产的安全性。故此,本文就对风电场设备由计划检修至状态检修转变作出了以下的考虑。     

规范式边缘模型基运动图象压缩编码方法

在图象边缘提取与优化的基础上建立了一种新的运动图象信源模型，并通过计算机模拟实现了编解码系统。其基本思想是：根据主观视觉特性，以边缘信息为表达运动图象的空间与时间特征的核心。这种模型基编码方法不需要图象的先验知识，模型建立及方案实现较为简单。针对信源模型，引入基于几何约束的图象匹配方法作为运动分析的基础；并建立了广义运动概念、提出并实现了广义运动分析，丰富了帧间预测编码方法。     

圆波导结构中TM0和TE0模式传输特性的时域分析法

本文提出了一种适合于求解各类复杂圆波导结构ＴＥ０和ＴＭ０模式的截止频率和色散曲线的ＦＤＴＤ分析方法，并可在一维空间中加以处理，大大提高了计算效率和减少了存贮量。本文对圆波导中ＴＥ０和ＴＭ０模式的截止频率和色散曲线进行了计算和分析，同时分析了网络剖分对计算结果精度的影响，并与已知的理论结果进行了比较，证实了这一方法的可靠性。作为实例，计算和分析了表面波圆波导结构的色散曲线，所得结果与实验结果和其它数     

色散媒质覆盖导电体的瞬时散射

本文提出了修正的时域有限差分法（ＦＤＴＤ）来分析计算色散媒质中瞬变场问题，并采用普郎尼近似法使时域卷积可转化为违推计算，是充分利用现代计算机技术解决时域和宽带电磁场问题的一种有效手段。同时运用此方法对色散媒质中及色散媒质覆盖的导体目标瞬时域散射场进行了计算和分析，直观可靠地反映了其特性，并与传统的（非色散）ＦＤＴＤ方法计算的结果进行了比较，差别是显而易见的，为此必须重视色散媒质对瞬变场分析的影响。     

针对带约束非线性规划问题的遗传算法

研究了针对带约束非线性规划问题的遗传算法(CNP-GA),设计了相应的适应度函数及处理约束的方法,结合了排挤和排序选择以保证群体的多样性,通过邻域搜索和变异算子进行联合演化,并利用多个群体的竞争得到全局解,对非线性限制规划例子的测试证明本算法是有效而可行的。     

仿真水墨扩散效果的元胞自动机改进模型

从水墨动态扩散机理分析着手,对元胞自动机模型进行了改进,融入了能真实表征水墨扩散效果的特性因素。首次引入了纤维元的容墨和积墨状态,并采用量化方法简化和建立了墨粒子迁移和水蒸发演变规则。实验结果表明,本文所改进的元胞自动机模型大大增强了水墨扩散的随机性和动态性,仿真效果更趋真实。同时,对水墨扩散效果的仿真具有普适性,借助3维建模与笔法的建立,可进行各种3维水墨效果与笔法的数字实现。     

巧改数控机床参数设置解决机床故障

通过操作面板对数控机床的参数进行修改,解决数控机床零件加工尺寸与编程尺寸不符、机床电动刀架不能锁紧等故障.     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了 - 族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况 ,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难 ,并展望了进一步的发展趋势。     

并行演化算法在半导体器件综合中的应用

文章将并行演化算法应用于半导体器件综合，根据半导体工艺与器件综合的特点选用了主从式孤岛模型．并分析了参数对性能和加速比的影响。     

MBE自组织方法生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料

利用分子束外延 (MBE)技术在高指数面 Ga As衬底上自组织生长了应变 In Ga As/Ga As量子线材料。原子力显微镜 (AFM)观测结果表明量子线的密度高达 4× 1 0 5/cm。低温偏振光致发光谱 (PPL)研究发现其发光峰半高宽 (FWHM)最小为 9.2 me V,最大偏振度可达 0 .2 2。以 Al Ga As为垫垒 ,In Ga As/Ga As量子线为沟道 ,成功制备了量子线场效应管 (QWR-FET)结构材料 ,并试制了器件 ,获得了较好的器件结果