基于UR5苹果采摘机械臂的运动学分析及轨迹优化

随着苹果种植面积的不断扩大,传统的人力采摘方式已无法满足生产需求,为此,需积极推进苹果采摘机器人的研发与应用。传统的点对点运动控制会导致机械臂运动不平稳,严重影响采摘效率,因此,以UR5机械臂为研究对象,提出了利用标准D-H参数法解决UR5机械臂的正逆运动学问题,以关节最大速度为约束,结合五次多项式优化机械臂各关节轨迹,使各关节的轨迹平滑,实现机械臂的平稳运动。     

电能质量监测分析系统的设计与开发

介绍了采用ActiveX控件构建的电能质量监控与分析系统。整个系统基于 3层浏览器 /服务器构架 ,在C builder 6.0环境下采用ActiveForm技术设计出电能质量监测与分析控件 ,并将其嵌入网页中通过Internet向外发布 ,用户通过浏览器向Web服务器提交命令和参数 ,应用服务器执行完后将相应的结果返回浏览器显示。系统已投入运行 ,并取得了良好的效果 ,对系统的安全经济运行产生了积极的作用     

基于威焱831平台的H.264视频解码优化

为提高威焱831平台的多媒体处理能力,解决H.264解码器解码效率低的问题,在提出SIMD指令级优化方法的同时,提出一种面向帧拷贝的优化方法。通过分析开源软件FFmpeg中H.264解码器的并行化特性,使用威焱平台性能分析工具解析影响视频解码性能的热点函数。采用手工嵌入SIMD汇编指令的方式对关键模块热点函数进行优化,通过FFmpeg源码编译过程链接汇编实现的内存操作函数memcpy提升内存拷贝速度。实验结果表明,威焱831平台视频解码的平均性能提高26%,推动了威焱831处理器在多媒体应用领域的发展。     

BugScam自动化静态漏洞检测的分析

安全漏洞的发掘工作是一件很重要的事情．BugScam是一个基于脚本机制的漏洞分析工具,但它所处理的函数不够全面,不能涵盖所有能够引起缓冲区溢出的函数。对BugScam自动化漏洞检测的原理进行了分析,详细地说明了BugScam计算缓冲区长度的算法,并指出存在的不足。提出可能的改进方法。     

使用粒子滤波和差分进化法实现轮廓跟踪

退化现象可能导致基于粒子滤波(PF)的轮廓跟踪误差增大甚至失败。为解决这一问题,提出一种将PF状态向量后验概率密度估计问题转化为最优化问题,并使用差分进化法(DE)求解轮廓跟踪算法。该算法的最优化目标函数定义为轮廓模型与运动目标边缘匹配误差;函数参数为运动参数向量;PF的状态向量分布空间作为DE的搜索空间。目标函数的最优解对应着运动参数的最优估计值。在仿真图像序列的轮廓跟踪实验中,重心位置误差不大于0.5pixel,每帧图像平均耗时约80ms。     

AISI 1045钢窄深槽磨削表面完整性试验研究

采用直径为180mm单层电镀CBN砂轮在不同磨削参数下对AISI 1045钢进行高速缓进给窄深槽磨削试验,通过三维表面轮廓仪(SM-100)、维氏硬度计(HMV-G21ST)和金相显微镜(MM-4XCC)检测窄深槽侧面形貌、表面粗糙度、槽底硬度及金相组织等表面参数,分析了砂轮线速度、工件进给速度和窄深槽深度等磨削参数对表面完整性的影响.试验结果表明:随着工件进给速度的增大和窄深槽深度的增加,槽侧面粗糙度值增加,表面质量变差,且槽底硬度增大;砂轮线速度的增加有助于降低表面粗糙度值,提高表面质量;工件切入端与切出端,槽侧面磨痕较深,表面质量较差,中间区域具有较好的表面质量,同时由于温度的影响,与中间区域相比,切入端与切出端槽底硬度较低;槽底表面未出现组织转变,槽底亚表层发生塑性变形,晶粒细化且分布较为集中.     

烟草工业企业数字化转型框架的设计与研究

本文以烟草工业企业为例,基于美国国防部体系结构框架（DoDAF）,从能力、业务、系统等视角,开展企业数字化转型规划,设计了能力架构、组织架构、业务架构和系统架构,为快消品类制造企业开展数字化转型规划提供了可借鉴的方法。     

关键信息基础设施领域工控主机安全防护技术研究与实践

<正>关键信息基础设施是经济社会运行的神经中枢,是网络安全保障的重中之重。在关键信息基础设施领域中,很多行业都涉及工控系统和工控设施,例如能源、电力、轨道交通等。在这些行业的工业生产控制环节中,工控系统和工控设施的正常稳定运行关系到国计民生的方方面面,也关系到国家安全和社会稳定。习近平总书记强调：“要落实关键信息基础设施防护责任,行业、企业作为关键信息基础设施运营者承担主体防护责任,     

雪崩热电子注入研究富氮SiO_xN_y纳米级薄膜的陷阱特性

采用雪崩热电子注入技术研究了富氮 Si Ox Ny 纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用 ,其密度大过施主型界面电子陷阱。揭示出界面陷阱密度在禁带中分布 ,其密度随雪崩注入剂量增加而增大 ,禁带上半部增大得尤其显著。指出雪崩注入过程中在 Si/ PECVD Si Ox Ny 界面上产生两种性质不同的电子陷阱 ,并给出它们在禁带中的位置及密度大小关系。支持了界面陷阱来源于悬挂键的物理模型 ,由于本实验的重要结果可用该理论模型圆满地解析。给出 PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件 ,该条件成膜的界面特性良好、耐压范围高、抗雪崩注入能力及其他电子特性也较好     

纳米级富氮SiOxNy薄膜的电子注入损伤研究

研究了在３０Ｖ的直流偏压下,对ＰＥＣＶＤ工艺制备的ＳｉＯｘＮｙ薄膜进行电子注入,并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论。结果表明,薄膜内有较多的受主陷阱,平带电压漂移在小电流下有显著变化,该方法对薄膜界面造成的损伤较小,禁带中的界面态密度变化不明显。