基于正交实验方法评定金刚石工具耐磨性研究

本实验研究的目的是通过对不同的加工参数对热压成型的金刚石刀具磨损量影响的分析,进而确定较理想的加工参数,实现高效率的加工。实验采用三维雕刻机铣削的工作原理,通过正交实验的设计方法,并制定不同的加工参数,刀具的磨损量应用高精密电子天平测得,刀具表面磨损形态应用体式显微镜观测。实验数据表明,对金刚石刀具磨损量影响的主要参数是切削深度,其次是进给速度,最后是主轴转速。刀具底面磨损比侧面严重,底面磨损主要以脱落为主,侧面主要以冲击破碎为主。     

对汉川电厂引进型300MW等级汽轮机通流改造的实践

分析介绍了原西屋引进型300MW汽轮机在热经济性方面存在的部分问题,在对电厂的通流改造中,提出了新技术应用和处理方案,并对改造效果作了性能评估.     

基于MZI光波导的MOEMS压力传感器

集成光学压力传感器利用幅度、相位、折射率分布、光程和光波极化方式的改变来感应外部压力.设计了基于MZI光波导的MOEMS压力传感器,探讨了工作原理,分析了弹性薄膜尺寸对应力的影响和波导中TE、TM模式的光对波导折射率的影响.通过设计弹性薄膜的尺寸(a=2 mm,b=1 mm,h=20 μm)和选用波长为1.31μm的单模激光,得到传感器的灵敏度为1.84×10~(-2) kPa,半波压力为85 kPa.     

初始挠度及中间弹性支撑对压杆稳定的影响分析

实际工程结构中的细长杆受压时,当存在初始挠度及中间弹性支撑时,不能用经典的欧拉公式计算杆件的屈曲临界载荷.利用有限元软件ANSYS对实际工程结构进行非线性屈曲分析,能够考虑到杆件的初姑挠度以及中间弹性支撑对临界失稳载荷的影响.计算结果表明:机车径向转向架耦合杆初妊挠度为10 mm时,对应的临界失稳载荷相对欧拉公式计算结...     

基于视觉反馈的机器人全调节RBF神经网络自适应反演控制

针对具有参数不确定刚性机器人系统的跟踪控制问题,提出了一种基于视觉反馈和全调节RBF神经网络的自适应反演控制器设计方法。根据安装在末端执行器的CCD摄像机提取的特征点确定期望位置,利用与一般设计不同的全调节RBF神经网络逼近系统的不确定项及外界干扰。在调节RBF神经网络权值的同时调节中心点值和影响范围,使得全调节RBF神经网络具有了更强的在线逼近能力。应用Lyapunov稳定性理论,证明了系统的所有信号均有界,控制器可以保证机械臂的运动按指数收敛到期望位置。仿真结果验证了所提控制器的有效性。     

β-Ga2O3/p-SiNWs异质结光学特性与电学性质研究

氧化镓(Ga₂O₃)是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga₂O₃/p-SiNWs异质结,探究了其光学与电学性质。与纯Si相比,p-SiNWs表现出优良的“陷光”特性,其反射系数约为纯Si的1/6,且随着p-SiNWs长度的增加,反射系数逐渐降低。室温下光致发光光谱(PL)测试发现,异质结在551nm附近出现典型的绿色发射峰。β-Ga₂O₃/p-SiNWs异质结具有明显的整流特性,在V=1.40V时其整流系数高达1724,随着p-SiNWs长度增加异质结理想因子逐渐增加,最佳理性因子为1.98。通过计算logI-logV图对其电荷传输机制进行了探究。退火可以提高β-Ga₂O₃薄膜的结晶度,从而提高异质结的电学特性。     

不同浓度的Mg掺杂β-Ga2O3薄膜的制备与研究

本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯 β-Ga2O3薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂β-Ga2O3薄膜,研究了薄膜的结构、光学和电学性质.X射线衍射测试结果表明,在我们的掺杂浓度内,Mg掺杂β-Ga2O3薄膜没有出现其他晶相的衍射峰,随着Mg掺杂浓度变大,薄膜的(401)和(601)衍射峰强度变弱.使用X射线...     

氨硼烷同分异构体H_2B(NH_3)_2BH_4的制备

本文以NaBH_4为硼源、氨基络合物为氨源制备出了能缩短氨硼烷热分解放氢诱导期的氨硼烷同分异构体H_2B(NH_3)_2BH_4。研究了反应温度、时间和溶剂等因素对H_2B(NH_3)_2BH_4产率的影响。实验结果表明:在温度为25℃,物质的量Cu(NH_3)_6Cl_2∶NaBH_4=1∶2,反应时间为10h的条件下,制得的H_2B(NH_3)_2BH_4产率高达74%。XRD检测到反应产物中有金属Cu,经超景深显微镜观测,其粒径大小约为20μm。     

EDA技术的应用及发展

EDA技术给电子系统设计和生产带来了革命性的变化,本文介绍了EDA技术的发展史,将EDA系统设计方法与传统电子设计方法进行比较,分析了EDA技术应用及未来的发展趋势。     

半导体微腔激光器瞬态特性的分析

建立了反映半导体微腔激光器特性的模型,借助计算机手段,运用Matlab软件直接给出了半导体微腔激光器瞬态响应的仿真结果及载流子密度和光子密度的相图,分析了自发辐射因子、注入电流和腔长对微腔器的激射阈值、延迟时间、驰豫振荡频率和光输出等参量的影响。该模型及有关结合为半导体微胶激光器的工艺制作,改善的高频调制特性和优化器件提供了理论依据。