胶磷矿浮选中碱性联合调整剂

为了降低胶磷矿正浮选pH值调整剂碳酸钠的用量,同时又能有效调整矿浆的性质,改善浮选性能,以某磷矿为试验样品进行了氢氧化钠或氧化钙联合碳酸钠调整矿浆性质的浮选试验。结果表明,氢氧化钠与氧化钙单独作为调整剂时的浮选效果较差,配合碳酸钠作为调整剂,可以改善浮选效果;当使用氢氧化钠与碳酸钠比例1:3用量4.0kg/t作为pH调整剂时的选矿指标精矿品位18.58%、回收率91.64%、选矿效率18.18%优于单独使用碳酸钠 6-7.0kg/t时选矿指标,前者的药剂用量低,因此选矿过程中的药剂成本会有所降低。在工业生产中,可以使用碳酸钠配合氢氧化钠作为矿浆pH调整剂。     

一种新的基于网格编码和区域合并的SAR图像快速分割算法

该文建立一种新的基于八邻域网格编码的SAR图像分割模型,并用区域合并技术实现了模型的快速求解。利用多方向比例边缘检测算子提取SAR图像的比例边缘强度映射(RESM),提出一种新的阈值处理方法抑制RESM均质区域内部的极小值,进而减少了对阈值处理后的RESM进行分水岭变换获得的初始分割的区域个数。递归地合并相邻区域来求取分割模型的次优解。利用区域邻接图(RAG)及其最近邻图(NNG)特性来加速区域合并过程。引入精确度(P)和召回率(R)来评价分割算法的边缘定位精度。与常用方法相比,该文方法具有高的边缘定位精度和低的时间复杂度。     

多针头静电纺场强改善的有限元分析

多针头静电纺丝技术被认为是提高纳米纤维产量的有效方法,但场强控制存在困难。本文采用COMSOL Multiphysics多物理耦合场有限元模拟软件对多针头静电纺丝过程中场强的分布以及大小进行模拟研究,提出不等针长、不等针间距以及纺针圆形排布三种措施来对多针头静电纺场强大小及均匀度进行改进,并通过有限元模拟对上述三种多针头排布方式进行评价。此外,在多针头静电纺工艺的基础上施加辅助电极,旨在通过对电场方向走势的控制来降低纺丝过程中存在的不稳定现象,从而提高纺丝效率。     

含夹带剂超临界体系溶解度模型的改进及验证

通过对文献中关联精度较优的Sovova模型的研究,参考MST-T&G模型,考虑超临界二元和三元体系中溶解度的关系,提出了以超临界二元和三元体系中溶解度函数为构架的M-MST-T&G模型。收集文献报道中的杂环芳烃类、脂肪酸类、染料类以及医药类共计13种固体溶质在含醇、酮、烷烃3大类10种夹带剂的超临界二氧化碳中1195组溶解度数据,对新改进的M-MST-T&G模型的计算精度进行了验证,并与MST-T&G模型的计算精度进行了对比。结果表明：M-MST-T&G模型的关联效果较好,相对偏差为9.63%,与MST-T&G模型相比相对偏差下降了32.30%。     

1 036 MW超超临界机组在线拆装油动机卸载阀的技术实践

某电厂1台1 036 MW超超临界机组因油缸活塞底部泄油塞脱落,致使调节汽阀无法正常开启,对其进行了在线抢修处理。为确保机组运行安全,事先在同型停运机组上进行了模拟操作。介绍在线拆装油动机卸载阀的技术方案,包括在线维修时保持机组正常运行的技术措施和注意事项,以及维修完毕后油动机恢复运行的步骤。实践结果表明,所采取的技术措施得当,避免了1次停机事故。     

基于化学自发光与三维层析的锅炉温度场研究

电站锅炉温度场具有空间范围大、脉动程度强等复杂特性,对其三维空间分布特征的刻画对炉膛燃烧调整具有现实意义.以国内某300 MW 锅 炉为研究对象,基于化学自发光的三维层析计算技术(3D-TCT),测取化学反应生成的激发态自由基成像,进行计算机断层显像,反演获得炉 膛火焰及温度场的三维分布,最大相对误差仅为＋2.69％,...     

过氧化物交联体系在天然-丁苯绝缘橡皮中的应用

本文对有机过氧化物硫化体系改进天然 -丁苯绝缘橡皮配方 ,解决橡套电缆铜导线硫化后氧化变色问题的研究及应用作一概述 ,介绍过氧化物硫化体系的绝缘橡皮主要特性及影响因素 ,以进一步探讨抗铜害、无游离硫绝缘橡皮硫化体系及材料的开发和应用。     

主变中性点回路线夹发热引起的故障分析

分析了中性点回路线夹发热的原因及中性点直接接地的危害,并提出了一些建议.     

REF542plus微机型综合保护器在乌石化电网变电所备自投装置中的应用

备用电源自投装置是变电所内为提高供电可靠性所装设的重要自动装置.在有双电源供电的变配电所中,装设备用电源自动投入装置可以缩短备用电源的切换时间,保证供电的连续性和可靠性,缩小变配电事故的影响范围.     

LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.