不锈钢在己内酰胺中耐蚀性的研究

用电化学测试技术研究了304L、316L、2205、2507和904L五种不锈钢在50℃和120℃己内酰胺介质中的电化学行为。结果表明,50℃下五种不锈钢在己内酰胺介质中都可以发生钝化,只是这几种不锈钢的钝化电流密度和钝化区电位范围不尽相同;而120℃下五种不锈钢都难于钝化,均发生活性溶解。     

焦化厂炼焦、化产系统用水优化改造

安钢焦化厂新建了7米焦炉及配套化产回收、煤焦输送系统，在环保、节能方面具有行业先进水平。在进行新旧系统综合工艺评价中，经过分析研究寻找到一个炼焦、化产系统废水综合再利用、区域再循环的结构优化方法。     

铁系菲咯啉基配合物/MAO体系催化乙烯齐聚

合成了配合物氯化2-乙酰基-1,10-菲咯啉缩2,6-二乙基苯胺合铁(Ⅱ)(催化剂1)和氯化2-乙酰基-1,10-菲咯啉缩2,6-二异丙基苯胺合铁(Ⅱ)(催化剂2),以甲苯为溶剂,甲基铝氧烷(MAO)为助催化剂,催化乙烯齐聚制备线性α-烯烃。考察了反应温度、n(Al)/n(Fe)等因素对催化活性和齐聚产物分布的影响。相比之下,催化剂1比催化剂2表现出更高的齐聚活性。     

特种汽车大型回转盘40Cr薄板焊接工艺

介绍40Cr大型薄板的一种焊接工艺方法。对40Cr薄板的焊接进行了可行性和工艺性分析,制订了焊接工艺方案。分析了40Cr焊接过程中及焊后调质易出现的缺陷,并提出了解决方法。最后对按工艺要求施焊后焊件的质量进行了检验,焊缝质量、表面硬度、探伤检验等结果都符合图样要求。     

SnO2/还原氧化石墨烯/聚苯胺三元复合物的合成及电化学性能

采用两步法成功构筑SnO2/还原氧化石墨烯/聚苯胺(SnO2/RGO/PANI)三元复合材料。首先制备出均匀分散的SnO2/还原氧化石墨烯(SnO2/RGO)二元复合物,然后再以二元复合物为载体,通过苯胺(An)单体的化学氧化聚合获得终端产物。利用傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对复合材料的结构和形貌等物理性质进行表征,利用循环伏安测试、恒电流充放电测试和交流阻抗测试对复合材料的电化学电容性能进行研究,并讨论了PANI的含量对复合材料的结构和性能的影响。结果表明,所合成的三元复合材料的比电容随PANI含量的增加而增大,最大达到424.8F/g,其电容性能的增强源于SnO2、RGO与PANI三者的相互协同作用。     

谈马来西亚轨道工程商务报价的编制

通过参加马来西亚铁路项目的设计和商务报价编制,针对其特点,就报价基础资料调查、报价基础费用和报价其他费用的确定三方面阐述了自己的观点,对国际工程投标报价编制具有借鉴意义。     

适用于中国超宽带标准的0.18um-CMOS单边带混频器设计

基于0.18um-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带（UWB）标准的单边带（SSB）混频器。本文对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求。结果表明,在6GHz～9GHz范围内,转换增益大于-2dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,摄入1dB压缩点大于0dBm,IIP3大于10dBm。电路核心面积0.35mm×0.65mm,工作电压为1.8V,直流电流10.6 mA。     

A 1.8-2.6 GHz CMOS VCO with switched capacitor array and switched inductor array

The design of a 1.76-2.56 GHz CMOS voltage-controlled oscillator(VCO) with switched capacitor array and switched inductor array is presented.Fabricated in 0.18μm 1P6M CMOS technology,the VCO achieves a 37% frequency tuning range.The measured phase noise varies between -118.5 dBc/Hz and -122.8 dBc/Hz at 1 MHz offset across the tuning range.Power consumption is about 14.4 mW with a 1.8 V supply.Based on a reconfigurable LC tank with switched capacitor array and switched inductor array,the tuning range is a...     

Fabrication of a 120 nm gate-length lattice-matched InGaAs/InAlAs InP-based HEMT

A new PMMA/PMGI/ZEP520/PMGI four-layer resistor electron beam lithography technology is successfully developed and used to fabricate a 120 nm gate-length lattice-matched In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48) As InP-based HEMT,of which the material structure is successfully designed and optimized by our group.A 980 nm ultra-wide T-gate head,which is nearly as wide as 8 times the gatefoot(120 nm),is successfully obtained,and the excellent T-gate profile greatly reduces the parasitic resistance and capaci...     

A 6-9 GHz 5-band CMOS synthesizer for MB-OFDM UWB

An ultra-wideband frequency synthesizer is designed to generate carrier frequencies for 5 bands distributed from 6 to 9 GHz with less than 3 ns switching time.It incorporates two phase-locked loops and one single-sideband (SSB) mixer.A 2-to-1 multiplexer with high linearity is proposed.A modified wideband SSB mixer,quadrature VCO, and layout techniques are also employed.The synthesizer is fabricated in a 0.18μm CMOS process and operates at 1.5-1.8 V while consuming 40 mA current.The measured phase noise ...