基于MMC的优化模型预测控制研究

首先推导了有限控制集模型预测控制(FCS-MPC),然而该方法在子模块数量较多情况下仍存在运算量较大的问题。在此基础上提出基于模块化多电平变换器(MMC)的优化MPC,该方法采用60°坐标系转换思想,将预测电流改为预测电压,对于任意子模块个数的MMC,都只需进行3次价值函数计算,能大大减少运算量,有效缩短预测和寻优时长。最后在MMC实验样机上进行验证,证明了所提基于MMC的优化MPC策略的正确性。     

用DV-X_α法与用单原子理论计算单质铁电子结构及性质的比较

利用密度泛函理论中的电荷自洽离散变分Xα 方法 (Self consistent chargediscretevariationalmethod ,简称DVM或DV Xα 方法 )计算出单质Fe的电子结构为 (3dc) 4.0 77(3dm) 2 .190 (4sc 4sf) 0 .790 (4p) 0 .94 3 ,结合能为5 2 9.30 7kJ/mol,磁矩为 18.82× 10 2 4 A·m2 。将该法计算结果与纯金属单原子理论 (即OA理论 )所得结果进行了比较 ,并讨论了两种方法的优劣。     

南通宝钢420m3高炉封炉及复风操作实践

对南通宝钢420m3高炉封炉及复风操作实践进行了总结.通过优化方案和强化操作,成功地进行封炉和复风,并指出了不足之处.     

选择性BF_2~+离子注入对提高DRAM刷新时间的研究

动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)电容器在存储高电位数据"1"时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间.研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2+方案来改善刷新时间,模拟分析了其注入离子分布及电迁移,发现在位元线接触区硅基单侧浅表层形成了富硼离子注入区,且最大电迁移深度仅为60 nm,由此减少了对其它掺杂区的影响.电性测试结果表明,BF2+离子剂量与开启电压成正比,重复实验证明,该方案有良好的可再现性;分析结果表明,增加BF2+离子注入剂量能提高开启电压对制造偏差的容差能力;栅极关键尺寸在(90±15)nm波动范围内晶圆样品的NMOS电性测试结果表明,该离子注入法能保持与原有工艺的良好匹配性.进一步的分析结果指出,若开启电压升高,则刷新时间将会减少,若开启电压为0.8 V时,该离子注入方案能使刷新时间从180ms提升到不小于300ms.改良幅度达66.7%.模拟及实验分析结果表明,该离子注入方案能应用于深微米进程的研究与生产中.     

南通宝钢420 m3高炉高Al2O3炉渣冶炼实践

针对南通宝钢420 m3高炉原料质量劣化,大量高Al2O3矿进入高炉造成炉渣中Al2O3含量高的问题,通过对炉渣的性能进行分析,及时调整高炉操作制度,改善炉渣性能,加强炉前管理等措施,确保了高炉在高Al2O3炉渣冶炼条件下的稳定顺行,提高了操作技能和操作水平.     

脉冲磁控溅射沉积微晶硅薄膜工艺研究

采用脉冲磁控溅射法制备氢化微晶硅薄膜,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和四探针测试仪对薄膜结构和电学性能进行表征和测试,研究了衬底温度、氢气稀释浓度和溅射功率对硅薄膜结构和性能的影响。结果表明:在一定范围内,通过控制合适的衬底温度、增大氢气稀释浓度及提高溅射功率,可以制备高质量的微晶硅薄膜。在衬底温度为400℃、氢气稀释浓度为90%及溅射功率为180W的条件下制备的微晶硅薄膜,其晶化率为72.2%,沉积速率为0.48nm/s。     

非线性光学在QND中的应用

在高精度的测量中,往往要遇到测不准关系所带来的量子噪声,即对一个力学量的精密测量,将使其共轭力学量的起伏变得很大,并有可能反作用回来干扰被测力学量,而使再次测量受到干扰。量子非破坏性测量(Quantum Nondemolition Measurement,简称QND)就是通过合理地构造实验装置和选择被测力学量,来克服测不准关系带来的量子噪声。对被测力学量,在Heissenberg图象中,QND要求它在不同时刻是对易的,对相互作用哈密顿量,QND要求它只含被测力学量而不含其共轭量。     

AlN陶瓷表面状态对Ti/Ni金属化薄膜粘结性能的影响

采用电子束蒸发技术在AlN衬底上蒸镀Ti/Ni双层金属化薄膜,通过SEM、EDS和AES等方法分析抛光AlN表面状态及与金属化薄膜间的相互作用.结果表明:离子束清洗可去除AlN衬底表面疏松层,改变AlN衬底表面状态,提高衬底表面能.结合热蒸发原子的作用,膜基界面处Al、N和Ti元素之间产生相互扩散现象,AlN陶瓷和Ti膜的附着机制由未清洗前的简单附着改变为扩散附着,极大提高了金属化薄膜粘结性能,其拉脱强度达300 MPa以上,且无需后续退火处理.     

一种新的过渡金属层状材料Na4Cu3TaAs4的结构和物理性质(英文)

我们报道了一种新的过渡金属层状砷化物Na4Cu3TaAs4的合成、结构和物理性质.这种材料采用Ⅰ√2 m空间群,晶胞参数为a=5.9101(3)?,c=13.8867(12)?.这个材料的结构中包含两层Na,而Na夹在反氧化铅型(Cu/Ta)As层之间,类似于"111"型铁基超导体NaFeAs.过渡金属位由75%的Cu和25%的Ta占据,Ta形成了明确的√2超结构.Cu和Ta分别为+1和+5价.角分辨光电子能谱测得的Na4Cu3TaAs4能带结构能够和DFT计算结果良好地吻合.角分辨光电子能谱和输运测量均表明该材料表现为金属行为,具有p型载流子.磁化率测量表明该材料表现为几乎不依赖温度的抗磁性.这种新材料扩展了含有反氧化铅型层的材料系统,并为进一步研究该材料系统提供了一个很好的平台.