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利用密度泛函理论中的电荷自洽离散变分Xα 方法 (Self consistent chargediscretevariationalmethod ,简称DVM或DV Xα 方法 )计算出单质Fe的电子结构为 (3dc) 4.0 77(3dm) 2 .190 (4sc 4sf) 0 .790 (4p) 0 .94 3 ,结合能为5 2 9.30 7kJ/mol,磁矩为 18.82× 10 2 4 A·m2 。将该法计算结果与纯金属单原子理论 (即OA理论 )所得结果进行了比较 ,并讨论了两种方法的优劣。 相似文献
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动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)电容器在存储高电位数据"1"时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间.研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2+方案来改善刷新时间,模拟分析了其注入离子分布及电迁移,发现在位元线接触区硅基单侧浅表层形成了富硼离子注入区,且最大电迁移深度仅为60 nm,由此减少了对其它掺杂区的影响.电性测试结果表明,BF2+离子剂量与开启电压成正比,重复实验证明,该方案有良好的可再现性;分析结果表明,增加BF2+离子注入剂量能提高开启电压对制造偏差的容差能力;栅极关键尺寸在(90±15)nm波动范围内晶圆样品的NMOS电性测试结果表明,该离子注入法能保持与原有工艺的良好匹配性.进一步的分析结果指出,若开启电压升高,则刷新时间将会减少,若开启电压为0.8 V时,该离子注入方案能使刷新时间从180ms提升到不小于300ms.改良幅度达66.7%.模拟及实验分析结果表明,该离子注入方案能应用于深微米进程的研究与生产中. 相似文献
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采用电子束蒸发技术在AlN衬底上蒸镀Ti/Ni双层金属化薄膜,通过SEM、EDS和AES等方法分析抛光AlN表面状态及与金属化薄膜间的相互作用.结果表明:离子束清洗可去除AlN衬底表面疏松层,改变AlN衬底表面状态,提高衬底表面能.结合热蒸发原子的作用,膜基界面处Al、N和Ti元素之间产生相互扩散现象,AlN陶瓷和Ti膜的附着机制由未清洗前的简单附着改变为扩散附着,极大提高了金属化薄膜粘结性能,其拉脱强度达300 MPa以上,且无需后续退火处理. 相似文献
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我们报道了一种新的过渡金属层状砷化物Na4Cu3TaAs4的合成、结构和物理性质.这种材料采用Ⅰ√2 m空间群,晶胞参数为a=5.9101(3)?,c=13.8867(12)?.这个材料的结构中包含两层Na,而Na夹在反氧化铅型(Cu/Ta)As层之间,类似于"111"型铁基超导体NaFeAs.过渡金属位由75%的Cu和25%的Ta占据,Ta形成了明确的√2超结构.Cu和Ta分别为+1和+5价.角分辨光电子能谱测得的Na4Cu3TaAs4能带结构能够和DFT计算结果良好地吻合.角分辨光电子能谱和输运测量均表明该材料表现为金属行为,具有p型载流子.磁化率测量表明该材料表现为几乎不依赖温度的抗磁性.这种新材料扩展了含有反氧化铅型层的材料系统,并为进一步研究该材料系统提供了一个很好的平台. 相似文献
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