S1103综采面供电系统所需设备的选择

某煤矿S1103综采面需要供电的设备主要有采煤机、工作面刮板输送机、运输巷刮板输送机、运输巷带式输送机、运输斜巷带式输送机。通过计算分析得到S1103综采面供电系统所需设备,运用到实际现场中,能够很好地解决S1103综采面的供电问题,为S1103工作面的安全生产提供了保证,也可以为其他煤矿综采面的设备供电提供一定的参考。     

富水圆砾地层土压平衡盾构掘进参数优化研究

如今盾构法施工在地铁建设中已得到广泛应用,砂卵石、软土等地层的盾构施工技术日趋成熟,而富水圆砾地层的盾构施工技术研究较匮乏。本文依托南宁轨道交通2号线三十三中~苏卢站盾构掘进区间,对富水圆砾地层段和圆砾泥岩复合地层段土压平衡盾构掘进参数进行对比分析,并对圆砾地层土仓压力取值范围的计算方法进行讨论。研究结果表明,圆砾地层掘进参数波动幅度较小,其中,盾构推力、刀盘扭矩、注浆压力三者存在相似的变化趋势,土仓压力则有所增长。复合地层中掘进参数中盾构推力、刀盘扭矩、注浆压力波动幅度更明显,但土仓压力基本保持稳定。采用Terzaghi松动土压力或静止土压力计算值作为圆砾地层土仓压力取值上限更为合理。三苏区间采用的掘进参数对地表沉降基本控制在5mm以内,对圆砾地层盾构施工具有借鉴意义。     

热变形对多杆冲床滑块运动精度的影响分析

采用Fluent计算了多杆冲床关键运动部件以及冷却流道在不同运行条件时的温度场。基于此,采用Workbench计算了机构运动杆件的热变形。分析不同热变形条件下滑块的运动轨迹可得,随着热变形量的增大,滑块的下死点位置向下漂移0.11mm。用温度传感器测试了不同转速时轴瓦外表面的温度,测量结果验证了温度场仿真分析的准确性。采用位移传感器测试得到热变形导致的下死点漂移量为0.098mm,与分析结果吻合。     

食品中花青素在热加工中的降解及其机制研究

花青素是广泛存在于植物性食物中的水溶性天然色素,主要以2-苯基苯并呋喃阳离子为基础形成的多羟基或多甲氧基衍生物,属类黄酮化合物。现已知的植物花青素种类主要有6种,天竺葵色素、矢车菊色素、飞燕草色素、芍药色素、牵牛花色素和锦葵色素。目前报道的花青素降解机制多为标准物质的热降解过程,可能为两种途径,本文综述了花青素标准物质这两种降解途径的过程。花青素很不稳定性,易受温度、pH值、氧气和金属离子影响,特别是热加工最易引起降解褪色。常见的食品热加工包括蒸、煮、炸和微波等,这些热加工方式都伴随着不同程度花青素的降解。食品热加工过程中花青素的大量丧失与其降解反应密切相关,而花青素的降解过程又与不同的热加工方式密切相关。     

汽车座椅材料网络动态数据库开发

介绍了基于B/S架构,采用JSP和SQL Server技术研究和开发了汽车座椅材料网络动态数据库系统。该系统能够通过网络动态建立不同数据结构的材料数据库,并能根据零件数据结构的调整和变化动态实现系统和数据的维护。     

提高烧结机有效烧结面积的生产实践

鞍钢股份有限公司炼铁总厂新烧作业区通过采取改造烧结机密封盖板、增加风箱等措施,降低了烧结机漏风率,单台烧结机有效面积增加了4.2 m2,烧结机台时产量提高了11.3 t/h,固体燃耗降低了3 kg/t,烧结年创经济效益1 000余万元,满足了高炉生产需要。     

基于ZnO/Al2O3缓冲层制备耐高温SAW器件电极

为了声表面波(SAW)器件能在高温环境(不小于1 000 ℃)中工作,该文设计并在La3Ga5SiO14压电衬底上制作Pt/ZnO/Al2O3多层复合薄膜电极,利用ZnO/Al2O3组合缓冲层增强了Pt薄膜电极在极端高温条件下的导电稳定性。制备的SAW器件在经历3次1 000 ℃高温热处理后仍保持稳定的回波损耗系数S11。实验结果表明,ZnO/Al2O3组合缓冲层结构在提高SAW器件电极高温导电稳定性方面具有一定的潜在应用价值。     

基于VB的湖北省大地导电率管理系统的设计与实现

针对湖北省电力勘测设计院中"大地导电率"大量工程数据资料的管理问题,基于Visual Basic语言ADO控件数据库链接与数据处理功能,引入Microsoft Access关系数据库,开发出湖北省大地导电率管理系统软件V1.0版。     

Ka波段宽带薄膜匹配负载设计与制备研究

基于实频法思想设计了Ka波段薄膜匹配负载的宽带匹配网络,并利用ADS和HFSS软件进行了仿真和优化。仿真结果表明,在32 GHz～40 GHz频率范围内,所设计匹配负载的电压驻波比均小于1.2。利用丝网印刷以及直流磁控溅射工艺制备了所设计的薄膜匹配负载。测试结果表明,所制备的TaN薄膜匹配负载在30.3 GHz～37.4 GHz频率范围内,其电压驻波比均小于1.3。     

DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作

设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。