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21.
在波长300~1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5%。 相似文献
22.
23.
用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss~ 2 80 m A/mm,Imax~ 52 0— 580 m A/mm,gm~ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ~ 60 0— 90 0 m W/mm,G~ 6— 1 0 d B,ηadd~ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax~ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm. 相似文献
24.
25.
GSMBE GaN膜的电子输运性质研究 总被引:1,自引:2,他引:1
用NH3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al2O3衬底上生长了非有意掺杂的单晶GaN外延膜,GaN膜呈N型导电,室温时的最高迁移率约为120cm2/(V·s),相应的非有意掺杂电子浓度为9.1×1017cm-3.对一些GaN膜进行了变温Hal测试,通过电阻率、背景电子浓度以及Hal迁移率随温度的变化研究了GaN外延膜的导电机理.结果表明,当温度较低时,以电子在施主中心之间的输运导电为主;当温度较高时,以导带中的自由电子导电为主. 相似文献
26.
用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究,结果表明,杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程,所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×1016~4.0×1019cm-3及1.0×1017~2.0×1019cm-3,基于对N型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系,我们用Klaassen模型对实验结果进行拟合,分析了不同散射机制,特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响.此外,样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明,N、P型杂质浓度纵向 相似文献
27.
28.
29.
每年,美国巴尔弗公司(BalfourHoldings)都要对北美的贱金属和贵金属企业进行一次调查,从中可掌握一些统计数据,并可洞察采矿业产业结构的变化,这家公司希望在今后的这种调查分析中最终包括非金属矿物开采业、宝石业、采煤业和服务业。目前,总部设在美国和加拿大的有色金属公司约2300家。这些公司都从事贱金属或贵金属的勘探、开采或经营活动。这些公司中约有86%的公司主要从事黄金勘探或开采;以铅锌业为主的多金属公司占66%,这类公司在数目上占第二位,但总数比黄金公司少得多;铜钢公司约占3%;其它则是一些镍、钨、锡、铝和… 相似文献
30.
随着我国经济的飞速发展,掌握整个产业发展动态,及时准确获得本行业的新技术及资料,已成为经营与研究者们的迫切要求。手工检索、微型机上的少量计算机检索显然已不能满足当前世界范围内大容量、快速更新的信息革命的需要,只有通过联机检索才能迅速获取信息和资料。本文依据最新的资料,对这类系统进行一些综合性介绍。1联机检索硬件及运行特点联机检索系统一般由终端设备、检索系统的中心计算机及其外部设备和国际卫星通讯网络三大部分组成。1.1终端设备终端设备是用户与检索系统中心计算机进行联机对话的装置。一般采用微机,也可用… 相似文献