GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究

本文报道了用ＭＢＥ非平面生长方法制备的ＧａＡｓ脊形量子线发光性特实验研究．低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明：这种由｛１１３｝面构成的脊形量子线具有发光各向异性、激子束缚能明显大于侧面量子阱等特点．用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型进行的近似计算结果证实了脊形量子线的横向量子限制效应导致了光致发光峰位置２０ｍｅＶ的蓝移     

In_xCa_(1-x)As/GaAs应变量子阱结构中热载流子分布的皮秒光谱研究

用皮秒时间分辨荧光相关技术研究了In_xGa_(1-x)As/GaAS应变量子阱中的热载流手弛豫过程,结果表明,In组分x值(不同应变)对载流子弛豫寿命有明显的影响;与体材料相比,热载流子分布弛豫过程明显变慢,寿命明显增加.     

半导体中的微微秒和毫微微秒光谱

本文介绍各种用于半导体物理研究的时间分辨非线性光学测量技术,其中包括热荧光相关测量、透射相关测量、粒子数混合技术、频率上转换技术和激发-探测技术,并给出一些具有代表性的研究成果。     

InGaAs／GaAs和InGaAs／AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程

利用时间光辨光谱技术，在１１￣９０Ｋ温度范围研究了不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱子带弛豫过程，讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。     

合金无序在InGaAs/GaAs应变量子阱光谱中的影响(英文)

We present systematic studies of the alloy disorder dependence of line-widths in InGaAs/GaAs strained-layer quantum wells grown by molecular beam epitaxy using both photoluminescence and optical absorption. Indium composition of the samples under investigation ranged from 0.1 to 0.2. The effects of well-size variation were measured and analyzed, In all cases we were able to observe the exciton transition and the increase of linewidths with a content and well size. In addition, variations of the lineshape were found with the increasing temperature in optical absorption. The experimental data by the virtual crystal approximation and are analysed.The results obtained from this study show the alloy disorder is the dominant mechanism for line broadening at a low temperature, which is in contrast with the case of GaAs/AlGaAs structure, where the principal broadening mechanism is the interface roughness at the low temperature. This information is important for optimizing the crystal-growth condition and improving the quality of crystal-grown structures.     

半导体中的微微秒和亚微微秒光谱

当半导体材料受到超短光脉冲激发时,就产生大量非平衡态热载流子,这些载流子首先通过载流子-载流子散射、等离子元发射和LO声子散射至准平衡态,此时电子温度远高于晶格温度。这个弛豫过程极短,实验测量表明,在GaAs体材料和GaAs量子阱中分别为35fs和50fs。此后的弛豫过程主要通过发射声子来完成,弛豫时间从几微微秒到几十微微秒,     

InGaAs-GaAs应变量子阱的光学性质

本文详细研究了In_xGa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的光学性质.用一维方势阱模型和应变对能带结构的影响解释了荧光发射峰.观察到应变对热电子弛豫过程的影响,并发现用光荧光实验确定的临界厚度基本满足力学平衡模型.     

GaAs／AIAs波纹超晶格中的激子局域化研究

本文首次报道（311）面上生长的GaAs/AIAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中，波纹异质结界面的缺陷，包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级，因此低温下其发光能量相对于（100）样品发生明显的红移。在Ⅱ类超晶格中，局域化级成为X能谷电子向T能谷输运的通道，从而加强了X－T电子态混合，使实验观察到X跃迁表现出T跃迁的某些性质。     

InGaAs/GaAs应变耦合量子阱光学性质的研究

用光荧光和光电流实验方法研究了InGaAs/GaAs应变耦合量子阱的光学性质.实验表明,在耦合阱结构中,势垒愈薄,耦合愈强,其对称态←→对称态所对应的跃迁能量比未耦合阱中n=1重空穴激子跃迁能量降低更甚.实验中还观察到具有不同偏振特性的吸收峰,并根据这一特征指认了轻、重空穴的跃迁.用双阱耦合模型计算了耦合阱结构中受限态之间的跃迁能量,理论与实验符合较好.实验研究也表明,在实验样品的In组分下,轻空穴受限在GaAs阱层中.