SiGe/SiHBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响

研究了SiGe/Si HBT基区B杂质的偏析和外扩散对器件的影响.发现用MBE生长的Si Ge基区中,在材料生长时 B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能.采用数值计算分析了B杂质的上述行为与在发射结产生的寄生势垒的关系,解释了器件温度特性的实验结果.并根据计算模拟和实验,讨论了SiGe隔离层的作用和优化的厚度     

离心薄层色谱法提取纯大豆磷脂酰胆碱的研究

采用离心薄层色谱法 (CTLC)提取大豆磷脂酰胆碱 (SPC) ,速度快 ,溶剂消耗量少 ,制备样品量大 ,成本低。研究旨在找到 CTLC的最佳控制条件。产品鉴定采用 HPLC和 TLC,证明产品不含中性杂质和其他磷脂 ,原子吸收测定锌含量质量分数不高于 0 .0 55× 1 0 -6。     

GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下,其共发射极直流放大倍数为75,截止频率为20GHz．给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺．     

分布式视频编码在容错视频传输中的应用

经典视频压缩码流的低抗错性、传统抗误码工具的"悬崖"效应以及分布式信源编码的高稳健性,决定了基于分布式视频编码(DVC)的视频压缩码流易错信道的抗误码传输机制与关键技术具有良好的应用前景.基于此,分析了分布式视频编码的容错传输原理,并对其中关键技术的最新进展进行了综述,最后给出了结论和今后的研究方向.     

不同粘合剂对水杨醛类席夫碱涂层的发射率和热致变色性能的影响研究

用溶液法合成了3种不同结构的水杨醛类席夫碱填料,并分别与2种粘合剂丙烯酸(AAS)和环氧树脂(EP)通过喷涂法制备出6种涂层;为了研究粘合剂AAS和EP对水杨醛类席夫碱涂层的发射率和热致变色性能的影响,我们通过红外光谱仪和紫外-可见光谱仪表征水杨醛类席夫碱填料微观结构;TG-DSC表征填料稳定性;并分别测量了20～240℃范围内填料和涂层的热致变色情况以及在3～5?m和8～14?m波段的红外发射率。结果表明,两种粘合剂的加入对热致变色几乎没有影响。EP与填料形成的涂层更接近填料的发射率。综合考虑发射率和热致变色两个因素,EP更适合作为粘合剂与水杨醛席夫碱类填料形成热致变色涂层。     

电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究

研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明,在300~1100nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a-Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3。     

基于路径估计的网络接纳控制研究

通过模糊化本地链路状态指标和陈旧路径状态指标实现状态指标的基本概率赋值,由Dempster合成规则融合数据推导网络路径不同态势及其置信度,取最大置信度态势作为准实时路径状态,并据此执行网络接纳判决.在接纳率相近的情况下,较基于预算的网络接纳控制,链路效率高2倍,并通过增加网络边缘节点预计算实现网络核心状态无关,减小了网络复杂度.