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交通银行始创于1908年,随着我国经济不断发 展和金融体制改革不断深化,为了强化金融服务,充分发挥银行在国民经济中的积极作用,1986年,国务院重新组建了交通银行。1987年4月,交通银行总行由北京迁往上海,交通银行上海分行正式对外营业。 作为一家外向型商业银行、上海的金融窗口之一,交通银行上海分行的信息化建设尤为引人注目,每年交通银行都要引进一批新建项目,投入大量的人力、财力,为此记者来到交通银行上海分行采访了电脑处谢卫国处长。 历史 上海分行是交通银行系统内开业最早的机构,随着金融业务的不断发展… 相似文献
142.
143.
144.
在数字图像处理和机器视觉中,边缘检测是一个基本问题和关键环节,因此,精确地检测图像边缘是非常必要的。本文提出了一种基于灰度梯度和反正切函数拟合的亚像素边缘检测算法。首先,通过Canny算子粗略提取输入图像的边缘;然后对初步得到的边缘像素逐点提取灰度梯度方向,以提取的梯度方向为坐标轴正方向建立灰度梯度直角坐标系;最后利用最小二乘法,采用反正切函数拟合图像边缘的灰度梯度,获得亚像素边缘位置。利用Microsoft Visual Studio 2008平台进行实验,结果表明:与基于小波变换及基于Zernike矩的亚像素边缘检测方法相比,本文所提算法定位精度较高,检测速度较快,能够更完整地检测出图像的平滑边缘。 相似文献
145.
在总结聚合物流变学基本理论的基础上,分析了影响聚合物流动性能的各个因素。应用正交实验设计理论,通过测定各参数组合实验的阿基米德螺旋线长度来表征其流动性,考察了熔体温度、注塑压力、保压压力、注塑速率四个因素对6种配方聚丙烯(PP)/碳纤维(CF)复合材料熔体流动性的影响,对于各因素的影响程度的大小进行了对比,同时通过优化工艺条件获得了流动性最好的工艺参数组合,并通过实验验证。应用正交实验得到了最佳工艺参数,对CF含量和材料的熔体流动速率以及螺旋线长度之间的影响关系和机理进行了考察。结果表明,注塑压力和注塑温度对于熔体的流动性能影响最大,PP/CF复合材料的熔体流动速率和螺旋线流动长度随着CF含量的增加而降低,降低的速度先快后慢。 相似文献
146.
N-甲酰-L-天冬氨酸酐是合成阿斯巴甜的中间体,为了减少副产物的生成,探索出工业生产中最佳的反应条件。以甲酸、乙酸酐和L-天冬氨酸为原料,氧化镁为催化剂,合成N-甲酰-L-天冬氨酸酐。探讨了反应温度、反应时间、甲酸、乙酸酐和催化剂的用量对反应收率和产物熔点的影响。结果表明,最佳的反应条件为:反应温度50℃,反应时间5 h,物质的量比n(氧化镁)∶n(甲酸)∶n(乙酸酐)∶n(L-天冬氨酸)=0.01∶1.2∶2.5∶1.0,此时产物的纯度较好,收率为85.5%。 相似文献
147.
新技术、新材料在赣抚大堤加固工程中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
长江赣抚大堤在加固过程中,针对不同堤段的生态环境要求,采用不同的堤型结构。在防渗墙设计中,首次采用了堤基混凝土防渗墙与堤身土工膜斜墙结合等4项创新的设计方案,施工时根据防渗墙类型、防渗墙深度、地层结构等实际条件,采用不同的成墙工法进行施工。对于水泥土防渗墙,可采用高喷或深层搅拌法施工;对于塑性混凝土防渗墙可采用射水、抓斗、振动切槽等工法成墙;防渗墙深度较深时,也可采用射水法施工;当地层中含块石时,一般采用高喷法成墙。根据地层结构,可采用多种工法联合施工。取得了较好的经济效益和社会效益,对设计和施工具有一定的参考价值。 相似文献
148.
设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络(HFC)的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器(TIA)、衰减器(VVA)和输出放大器三部分.跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消方式实现信号衰减,输出放大器为芯片补足增益并实现阻抗匹配.使用ADS仿真软件进行电路设计、版图设计、仿真验证,采用GaAs 0.25μm E/D PHEMT工艺进行了流片.测试结果表明,芯片实现了42 dB的最大增益,在0~3V控制电压下,0~28 dB的连续可调增益范围,工作频率为50 MHz~1 GHz,差分输入单端输出,输出负载为75 Ω,芯片面积1 412 μm×1 207 μm,芯片性能符合设计目标. 相似文献
149.
自由搜索和微粒群算法的比较研究 总被引:1,自引:0,他引:1
群集智能是仿生智能的重用分支.探讨了一种新的群集智能优化算法--自由搜索(FS),并将其和群集智能的典型实现--微粒群算法(PSO)进行了比较研究.首先,简要回顾了PSO算法的基本原理,作重分析了自由搜索算法的优化机制;然后,从生物学背景、寻优机制、仿真实验等方面对这两种算法进行了全面深入的比较.最后,对这两种算法的发展进行了展望. 相似文献
150.
By using the wafer bonding technique and wet etching process,a wafer bonded thin film AlGaInP LED with wet etched n-AlGaInP surfaces was fabricated.The morphology of the etched surface exhibits a pyramid-like feature.The wafer was cut into 270×270μm~2 chips and then packaged into TO-18 without epoxy resin.With 20-mA current injection,the light intensity and output power of LED-Ⅰwith surface roughening respectively reach 315 mcd and 4.622 mW,which was 1.7 times higher than that of LED-Ⅱwithout surface rou... 相似文献