东京都公益性文化体系及其对北京的启示

<正>战前东京都公益性文化设施的建设东京的前身是江户。1603年德川家康(1542～1616年)击败了诸多对手掌握了实际的权力,在江户建立了幕府政权,史称江户幕府或德川幕府,江户由一个名不见经传的小城一跃而成为日本的政治经济中心。经200多年的建设,至19世纪中叶,江户已成为一个人口超过100万的大城市。但无论从产业的构成还是城市的基本格局,江户都完全是一座前近代的城市,也无所谓公益性的文化体系或设施。     

用AWE和UASB厌氧发酵装置处理猪场废水效果的比较

本文报道了一种用于猪场废水处理的新型厌氧发酵反应器(AWE)。它不需外加动力就能进行间歇搅拌,并可防止浮渣增厚,加快发酵速度,提高产气量。在环境温度30℃,水力停留时间1天,处理COD浓度约为5000mg/l左右的猪粪水,AWE的池容产气率为1.81/l·d,COD去除率为85.5％,甲烷含量为76.8％。其池容产气率和COD去除率都比使用较普遍的UASB高12％左右。用这种新型的厌氧发酵装置处理大中型畜牧场的废水效果良好。     

基于改进K均值聚类生成匹配模板的心搏分类方法

为提高分析含大量数据的动态心电时的准确性和分析效率,提出了一种基于改进的K均值聚类生成心搏模板的匹配方法.使用K均值聚类和波形反混淆技术进行循环纠错,生成可变宽心搏模板、并建立心搏模板库.利用可变宽心搏模板和相关系数相结合的策略,对动态心电中心搏进行快速准确分类.实验方法经心率失常数据库MIT-BIT和ANMA/ANSI标准验证,分类结果总体准确率达98.06%,达到了心搏分类目标.     

200nm栅长In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs器件

利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAlAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT 器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,110GHz及72GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.     

长寿复吹转炉工艺技术开发

介绍了长寿复吹转炉在武钢二炼钢80t转炉上应用的基本工艺和冶金效果。通过溅渣，控制底吹喷嘴表面生长炉渣－金属蘑菇头的内部结构、生长高度和供气面积，不仅可保证良好的底部供气功能，而且有效地保护底吹喷嘴不受熔蚀，形成永久性蘑菇头。使底吹喷嘴的一次寿命与溅渣后转炉炉龄同步，并创造了22766炉的世界复吹转炉炉龄纪录。复吹比100％，始终保持良好的复吹冶金效果。     

复吹转炉在溅渣下的长寿复次效果

武钢复吹转炉溅渣护炉工艺技术的开发研究，成功地应用于武钢二炼钢转炉，最高炉龄达到了22766炉，复吹比达到100%，即底部供气元件寿命同步提高到22766炉，创造了世界最新记录，采用溅渣和辅助溅渣工艺技术，促进底吹气元件表面生成长寿的“炉渣-金属蘑菇头”，仍保持了复吹的冶金效果，碳氧反应接近平衡，避免了钢水的过氧化，保持了原复吹转炉脱磷、脱硫的能力及终点残锰含量。通过对“炉渣-金属蘑菇头”的研究评估证明，具有良好的透气性能。     

七号信令监测系统中基于Oracle的数据同步方案优化

为七号信令监测系统采集的大量数据信息在多个分布式站点同步提供了一个优化方案.该方案基于Oracle的高级复制,利用多级物化视图实现,在保证数据一致性、完整性的前提下实现了上下级数据的快速刷新.     

120nm栅长In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As HEMTs 器件

利用新型的PMMA/PMGI/ZEP520/PMGI四层胶T形栅电子束光刻技术制备出120nm栅长InP基雁配In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As 高电子迁移率晶体管。制作出的InP基HEMT器件获得了良好的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大单向功率增益频率分别达到520 mS/mm, 446 mA/mm, -1.0 V, 141 GHz 及 120 GHz。文中的材料结构和所有器件制备均为本研究小组自主研究开发。