全反射镜结构对AlGaInP发光二极管发光效率的影响

采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性.用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合.从模拟和实验的结果得到,SiO2/Au ODR结构在波长为630nm的垂直入射光下反射率很高,达到91%以上.对于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°～85°都有很高的反射率,远高于DBR结构的反射率.在实际器件测试中,ODR结构的AlGaInP红光LED比无DBR结构的LED提高了115%,比DBR结构的LED提高了28%.这说明,ODR结构与DBR结构相比可以大幅提高红光LED的出光效率.     

分子印迹膜SPR传感器检测氯磺隆的方法

研究使用了中国科学院电子学研究所自行研制的高灵敏度单通道SPR分析仪和进样装置,仪器为棱镜耦合型SPR传感器结构,其检测角度范围是40°～70°,折射率检测范围为1.04～1.47,谐振角的精度在0.001°。适用于SPR分析仪的分子印迹芯片采用PVC-MIP共聚膜法制备,SPR角度扫描结果表明,200nm以下厚度芯片具有较好的SPR吸收特性。以氯磺隆为模板的分子印迹膜与不加氯磺隆的分子印迹膜对比实验发现前者具有特异性结合的能力。实验对浓度0.1,0.2,0.5和1μg/mL的氯磺隆进行了SPR定点检测,这四种浓度氯磺隆的折射率响应信号满足线性关系,相关系数R=0.996 4。实验中对低浓度的氯磺隆进行反复检测,检测到50ng/mL的氯磺隆,满足农残检测的要求。     

掺杂离子对O_3气敏元件的性能改善

在 WO_3中掺入杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合开温脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响。     

微型色谱的信号采集系统对瓦斯的检测研究

介绍了以ARM芯片为核心器件,研制出低噪声、高分辨率的信号采集系统。该系统的噪声RMS值少于0.2 mV,显示出良好的抑制噪声的能力,而且系统分辨率达到10-4 mV数量级。随后,利用设计的信号采集系统,并结合研制的微型色谱系统,对瓦斯气体进行了检测实验。从实验结果可以看出,在痕量分析中,设计的信号采集系统具有对微弱信号采集的能力,而且具有较高的分辨率和较低的噪声,因此,设计的系统满足对微小信号采集的要求。     

动则生静则亡

松下电器产业于2007年3月16日宣布,将优先与美国投资基金TPG讨论旗下子公司Victor的出售,并最终在新的财政年度到来之前与TPG达成了收购协议.出售战略成功后,松下电器在投资基金的支持下得到重生.     

参比型SPR生物芯片的检测

参比型SPR生物芯片是一种具有参比、检测两个位点的葡聚糖修饰的SPR生物芯片。为了验证该芯片的效果，进行了在芯片上固定人IgG，检测溶液中的羊抗人IgG的免疫结合试验。参比位点的SPR信号随溶液的变化而变化，但不会固定人IgG，检测位点可以牢固地固定人IgG。羊抗人IgG可以与固定在芯片上的人IgG发生免疫结合反应。这种方法可用来进行固定抗原检测抗体的研究。     

硅橡胶合成绝缘子运行状态的数学分析

硅橡胶合成绝缘子表面污层的憎水性强弱在很大程度上影响着绝缘子的耐污闪性能。本文建议对运行中的合成绝缘子表面污层憎水性进行监测,并以该憎水性为主要参量,提出了一套硅橡胶合成绝缘子的运行状态数学表达式,为今后科学地指导合成绝缘子的运行奠定初步基础。     

无底柱分段崩落法结构参数优化主要途径

分析了国内外矿山无底柱分段崩落法结构参数演变过程指出,继续增大分段高度由于诸多因素的限制,克国并不适宜推广应用,而增大进路间距却是减少采准工程量、降低采矿成本、增大一次崩矿量、提高采矿强度和劳动生产率的主要途径。     

MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究

本文对ＭＣＴ的核心工艺－三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。     

Office 95技术讲座(三)——Word 95模板、向导与页面设置

一、模板与向导 文档模板是建立文档的一个蓝本,它决定了在文档中所采用的字符格式和段落格式,为文档自动设置页边距、创建页眉和页脚,而无需用户在创建文档时从头设计,例如一份简历的文档模板、信件模板等。一般来说,一个文档模板包含以下元素: ·段落中使用的样式; ·自动文本条目; ·用“文件”菜单的“页面设置”命令设置的页达距和其他页面选项;