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41.
利用自制的场助热丝化学气相沉积设备,在不锈钢电极的部分选取表面上,摸索出了直接生长碳纳米管(CNT’s)勿须涂敷催化剂的新方法。利用得到的高定向多壁碳纳米管薄膜,研究出一种制造大面积实用碳纳米管阵列场发射(CNT’s/FEA)阴极的新方法。经真空条件下的发射特性测量及SEM等检测手段肯定了这种CNT’s/FEA阴极的实用性。从工艺流程角度出发,初步探讨了静态工作制式下,采用碳纳米管做电极后,实现一种全密封超薄碳纳米管玻璃真空字符(或图像)显示器件的可能性。10多只封离管共显示过3种类型的字型(图像),全部管厚仅为2.7mm。实验结果不仅提供了一种碳纳米管阴极在玻璃真空平板型器件内应用的方法,也摸索出了一条实现小尺寸双色(或多色)字符(图像)静态(或动态)显示的廉价、节能途径。 相似文献
42.
低频电噪声是表征电子器件质量和可靠性的敏感参数,通过测试低频噪声,可以快速、无损地实现光耦器件的可靠性评估。通过开展可靠性老化对光电耦合器低频噪声特性影响的试验研究,提出基于低频段宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法,并将可靠性筛选结果与点频噪声筛选方法结果进行对比分析。结果表明,与点频噪声参数等现有方法相比,宽频带噪声参数可以更灵敏和准确地表征器件可靠性,同时计算简便,基于宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法可以实现更为准确合理的可靠性分类筛选。 相似文献
43.
正Low-frequency and High-frequency Capacitance-Voltage(C-V) curves of Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors,showing electron and hole trapping at shallow-level dopant and deep-level generation-recombination -trapping impurities,are presented to illustrate the enhancement of the giant trapping capacitances by physical means via device and circuit designs,in contrast to chemical means via impurity characteristics previously reported.Enhancement is realized by masking the electron or/and hole storage capacitances to make the trapping capacitances dominant at the terminals.Device and materials properties used in the computed CV curves are selected to illustrate experimental realizations for fundamental trapping parameter characterizations and for electrical and optical signal processing applications. 相似文献
44.
在分析和讨论了通导设备AIS的发射技术的基础上,分别就时分多址、时域和频域层面说明信道的有限性和电磁辐射特性。然后针对船舶终端的只收不发的需求,提出三个解决方案。 相似文献
45.
音/视频技术是流媒体存储和传输的关键.结合当前流行的流媒体技术和VB程序设计,介绍了流媒体的播放和MPEG标准.针对不同的流媒体播放要求,研究了一个基于VB的流媒体播放系统. 相似文献
46.
本文介绍有关高密度光纤带光缆应力特性的实验结果,实验用两种技术进行的:偏振模色散法和偏振光时域反射法,它们之间的相关性和从理论上得出的数据表明:在这样的光缆中,双折射部分是决定性的。 相似文献
47.
综合布线技术是建筑技术、计算机网络和通信技术结合的产物,综合布线系统是社会信息化建设的重要基础设施。本文简要介绍了几种通信新技术的工作原理,分析了这几种技术应用在综合布线中的可行性以及对各个子系统的影响,最后对这些技术的应用前景进行了总结。 相似文献
48.
49.
This paper reports the physical realization of the Bipolar Field-Effect Transistor (BiFET) and its one-transistor basic building block circuits. Examples are given for the one and two MOS gates on thin and thick, pure and impure base, with electron and hole contacts, and the corresponding theoretical current-voltage characteristics previously computed by us, without generation-recombination-trapping-tunneling of electrons and holes. These ex-amples include the one-MOS-gate on semi-infinite thick impure base transistor (the bulk transistor) and the impure-thin-base Silicon-on-Insulator (SOI) transistor and the two-MOS-gates on thin base transistors (the FinFET and the Thin Film Transistor TFT). Figures are given with the cross-section views containing the electron and hole concen-tration and current density distributions and trajectories and the corresponding DC current-voltage characteristics. 相似文献
50.