反应磁控溅射沉积工艺对Cr-N涂层微观结构的影响

研究在不同工艺条件下用直流反应磁控溅射技术在T10衬底上制备Cr-N涂层,并采用光电子能谱仪和XRD依次分析Cr-N涂层的表面结构和工艺参数对Cr-N涂层成分及相组成的影响。结果表明,Cr-N涂层在存放一段时间后表面产生复杂的Cr2O3相以及Cr（O2 N）x相;常温下随着N2含量的增加,涂层相结构逐渐由Cr转变为化学比的CrN相。当N2含量为33-3％时,Cr-N涂层的相成分主要为Cr2N＋CrN。并发现衬底偏压直接影响Cr-N系涂层的晶态及取向特征,当偏压增加到-130V时,Cr-N涂层中β-Cr2N相结构逐渐转变为（110）和（300）取向结构。     

新铌酸盐Ba5BiTi3Nb7O30的结构与介电性能

在BaO-Bi     

P型半导体金刚石膜的磁阻

研究了p-型异质外延和同质金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻,磁阻器件的结构为条形和圆盘形,实验结果表明磁阻强烈依赖于磁场、温度和样品的几何形状,圆盘结构的磁阻大于条形结构,条形结构的磁阻还取决于不同的长-宽比。利用F-S薄膜理论,计算磁场为5T时条形和圆盘结构的磁阻分别为0.38和0.74,讨论了霍耳效应对磁阻的影响。给出了形状效应的可能机制。     

热灯丝CVD金刚石膜的微结构和形貌对其电子性质的影响

利用热灯丝CVD法在硅衬底上合成出了金刚石膜。金刚石膜的质量和电子性质由扫描电子显微镜、拉曼谱、阴极发光及霍尔系数测量来表征。实验结果表明,沉积条件对金刚石膜电子性质和质量有重要影响。载流子迁移率随甲烷浓度增加而减少,但场发射随其增加而增强。压阻效应随微缺陷增多而降低。异质外延金刚石膜压阻因子在室温下100微形变时为1200,但含有大量缺陷的多晶金刚石膜压阻因子低于200,这是由于薄膜中缺陷态密度增加,并依赖于膜结构的变化。     

羰基铁/酞菁钴复合粒子的制备及表征

酞菁钴(CoPc) 和羰基铁的原位复合, 制备出稳定的铁/酞菁钴复合粒子。XRD、SEM、TG 和DTA 的表征表明: 复合粒子的结构、形态和组成与采用的制备方式有关。分解时, 羰基铁的浓度越低, 复合粒子的粒径越小。CoPc 和羰基铁的混合液回流, CoPc 用量不小于6. 7% (质量分数) , 可得以铁为主、粒径1. 20 Lm ±0. 10 Lm、密度3. 664 g/cm3 、CoPc 完全包覆的铁/酞菁钴复合粒子。CoPc 的完全包覆提高了复合粒子中超微铁的抗氧化性。      

IP传送新技术及发展趋势

结合 ATM、SDH、WDM等技术的特点 ,讨论了 IP over ATM、IP over SDH、IP over WDM/optical及光联网等 IP传送新技术 ,并对未来传输网络的发展趋势进行了展望。     

CORBA技术在TMN中的应用及相关问题

CORBA技术是由OMG组织近年来提出的一种新规范,集合了面向对象技术和分布处理机制,被誉为21世纪的软件总线.简要介绍CORBA的体系结构,讨论了它在电信网络管理中的应用层次和应用场合,并提出了应用中注意的几个问题.     

基于光同步数字传输网的IP传送技术

对基于光同步数字传输网的IP传送技术(IPOverSDH)的内容和技术特点进行了较详细的介绍与说明,对相关的SDH接口进行了讨论,并对IPoverATM,IPoverWDM等传送技术进行了简要的分析和比较.     

陶瓷与石墨化铸铁副乳化液润滑滑动磨损研究

在室温下,以乳化液为润滑剂,使用环－块磨损试验机进行了Al2O3、ZrO2及Si3N4三种工程陶瓷与球墨铸铁、灰铸铁配副的滑动磨损试验。结果表明陶瓷磨损体积依次增加的顺序为Al2O3→ZrO2→Si3N4,且陶瓷的磨损体积与铸铁的硬度成正比;而铸铁无论与何种陶瓷配副,灰铸铁的磨损体积大于球墨铸铁,马氏体基体铸铁的磨损体积反而大于珠光体基体铸铁。