GaN/Al_2O_3(0001)的匹配机制及氮化的作用

在Ａｌ２Ｏ３（０００１）衬底上用ＭＯＣＶＤ（金属有机物气相沉积）方法进行了ＧａＮ的外延生长，通过Ｘ射线衍射（同步辐射源）研究了ＧａＮ和Ａｌ２Ｏ３（０００１）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，ＧａＮ以单一的匹配方式沿［０００１］方向生长；在Ａｌ２Ｏ３（０００１）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕〈１１２０〉晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了ＧａＮ／Ａｌ２Ｏ３（０００１）的几种匹配方式的晶体学规律。ＧａＮ绕〈１１２０〉晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Ａｌ２Ｏ３（０００１）的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。     

使用金刚石膜热沉的半导体激光器特性研究

比较了使用金刚石膜热沉和传统的钢热沉的半导体激光二极管列阵在热阻和光输出功率方面的特性．与使用Cu热沉的器件相比，采用厚度为350～400μm，热导率在12～14W／（K·cm）的金刚石膜作为热沉的H极管列阵可使热阻降低45～50％，同值电流明显降低，而光输出功率提高25％，稳定性得到改善．表现出金刚石膜热沉在半导体器件散热方面的明显优势．     

大功率半导体激光器热弛豫时间的测量

根据脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高而发生红移的原理,提出了一种测试半导体激光器热弛豫时间的新方法——利用调节取样积分器(Boxcar)取样门,测量光信号脉冲内不同时刻的时间分辨光谱。采用此方法对TO封装和厘米-靶条(cm-Bar)阵列的AlGaAs/GaAs半导体激光器的动态热特性进行了测试,得到其热弛豫时间分别为66μs和96μs。     

LD泵浦微型固体激光器研究

LD泵浦微型固体激光器是一种高效、长寿命的微型固体激光光源。它体积小,重量轻、结构简单、频率稳定、噪声小,是理想的信号源和注入种子源,在工业和科学研究等领域有广阔的应用前景。 实验装置与文献(单振国等,“中国激光”     

调幅光注入下半导体激光器光强调制特性的实验研究

在受注入光调制的半导体激光器 (LD)光强调制实验中 ,当LD的偏置电流置于某些值时 ,观察到其输出光强不随注入光强改变的实验现象。实验还观察到输出光强的幅度随偏置电流的增加而呈周期性变化。理论分析表明这是由于激活区内载流子消耗、带间载流子吸收综合作用的结果 ,而这些效应与腔内的模式选择、注入电流产生的热效应等过程有关。     

增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器

本文报道采用氧化物掩蔽Zn扩散平面条形结构的增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器的工艺和特性。获得了阈值电流小于200mA,输出功率大于240mW的实验结果。远场测试表明其具有良好的锁相特性。     

用超模理论分析光栅耦合器型滤波器的特性

从实际测量的耦合器的形状出发,运用耦合的超模理论分析了在普通2×2光纤耦合器的熔锥区写入光栅制作滤波器的特性,并对不同类型的耦合器进行了比较。研究表明,即使在普通的耦合器上写入布拉格光栅,同样可以获得波长选择滤波器,并且存在最佳光栅位置和光栅长度。同时提出了获得窄线宽、边带抑制的滤波器的新方法,即在熔锥区写入非线性啁啾光栅。     

用于产生ps量级双脉冲的光纤光栅

设计了一种用于ps级单脉冲变换到双脉冲的光纤光栅(FBG)。依据傅立叶光学理论,数值模拟了光脉冲经不同强度光栅反射后的输出光脉冲的特性,随着光栅强度的增加,输出脉冲间的强度差别变大,但输出光脉冲具有与输入光脉冲相同的谱形和脉宽。设计出的FBG折射率调制函数是sinc函数的叠加。当FBG是弱光栅满足一阶波恩近似时,光脉冲经光栅反射后的输出双脉冲具有相同的强度,且谱形和脉宽与输入脉冲相同。在强光栅情况下,改变光栅折射率调制sinc函数的相对强度,仍然可以使输出双脉冲具有相同的强度。     

全光波长转换实验研究

对基于光纤光栅外腔半导体激光器增益饱和效应的全光波长转换器的静态与动态特性进行了实验研究。为消除反馈光与转换信号输出光对光源的不利影响及提高光输入、输出信号耦合效率,提出了采用环形器进行信号耦合的光学结构。进行了155MB/s信号的动态波长转换实验。     

利用有机-无机溶胶-凝胶方法制备平面波导环形谐振腔

采用简单的有机-无机混合的溶胶-凝胶方法制备了折射率在一定范围内可调的波导材料,并利用其制备了平面波导环形谐振腔器件。波导结构呈现倒脊形,其制备工艺首先是利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP)在二氧化硅衬底上刻蚀波导结构的凹槽,然后再沉积波导薄膜。利用光谱仪对器件的传输特性进行了测量,观测到具有10 dB对比度,自由光谱范围0.182 nm周期性谐振现象,结合环形谐振腔的传输特性,得到环形腔具有较低的传输损耗1.7 dB/cm。同时对环形谐振腔的温度特性进行了测量,得出波导材料的热光系数为-1.54×10-4/℃。