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为了开发高储能密度的无机/有机介电复合材料,本文采用有限元法分别研究了直径为100 nm的球形填料与基体介电常数的比值(k)、球形填料在复合材料中的排列方式、球形填料尺寸(100~300 nm)、纤维状填料长径比(α)和片状填料的球形度(β)对复合材料介电性能的影响。计算结果表明,当k值大于20时,复合材料的介电常数变化不明显;球形填料沿电场方向成链式排列时,复合材料有较大的介电常数,且材料中球形填料附近处存在较大的电位移和较大的电场,说明这种填料排列方式有利于材料介电常数的提高,但会削弱材料的耐击穿能力;当球形填料随机分布时,颗粒尺寸变化对复合材料介电常数的影响不明显。对于纤维状填料,其长径比α越大且长轴沿电场方向分布时,填料自身及周边会产生较大的电位移,表明这种情况有利于复合材料介电常数的提高。对于片状填料,其球形度β越小,填料与基体界面处高电场区域越小,表明材料的耐击穿能力越高。本研究可为高介高储能材料的实验研究提供理论指导。 相似文献
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纳米CeO2在热处理过程中的结构和性能变化 总被引:6,自引:1,他引:6
采用XRD方法结合粉体相对密度测定研究了热处理条件对沉淀法合成纳米CeO2的结构和性能的影响. 结果表明: 随焙烧温度升高, CeO2晶粒尺寸显著增大, 晶粒发育趋于完整导致晶格畸变度明显降低, 结构致密程度增加使得晶格常数减小, 粉体烧结程度增大, 相应粉体相对密度随之增加; 较低温度(如300.℃)下, 焙烧时间对CeO2晶粒尺寸无明显影响, 相应晶格畸变度、晶格常数和粉体相对密度变化不大; 较高温度(如700.℃)下, CeO2晶粒尺寸随焙烧时间延长而增大, 且焙烧初期粒子增长较快, 此过程伴随着CeO2晶格畸变度进一步下降, 晶格常数却有所增加, 粉体相对密度略有下降; 认为热处理过程CeO2晶粒生长为扩散生长机制是造成不同焙烧温度下焙烧时间对纳米CeO2结构和性能的影响行为不同的主要原因. 相似文献
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胶清橡胶为浓缩天然胶乳制备过程中的副产物,性能相对较差。通过中空纤维微滤膜浓缩工艺对胶清乳液浓缩,可去除部分蛋白质、铜离子、锰离子等物质以提高胶清橡胶的品质。本研究利用橡胶加工分析仪(RPA)对微滤膜浓缩胶清橡胶(NR-m)和传统酸凝固胶清橡胶(NR-s)的加工特性和耐老化性能进行研究,由实验结果可知:NR-m的流变指数为0.2758,低于NR-s的流变指数0.2862;而随应变变化,NR-m的弹性模量一直高于NR-s的弹性模量。这说明NR-m的加工性能相对较差。NR-m在应变下的损耗因子较小,说明内耗生热较小,同时,NR-m老化前后的损耗因子差值的最大值和最小值分别是0.0780和0.0265,其值均小于NR-m老化前后的损耗因子差值。说明NR-m的耐老化性能更佳。 相似文献
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曲鹏 《军民两用技术与产品》2015,(10)
本文介绍了基于软件无线电的模拟信号源硬件平台的设计情况,软件无线电是采用开放的统一平台,通过可升级、可配置的应用软件来实现不同时期,不同使用环境的需求,满足设备通用性的需求。本文信号处理器采用的是Xilinx公司最新的7系列FPGA,DA芯片采用功耗低,体积小,集成度高的AD9957芯片,频综采用的是AD9954芯片,通过这样设计,可满足各体制,码速率可变,功率可控的模拟信号源。 相似文献
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本文采用改进的二阶RC滤波电路和高线性模拟光耦相结合,介绍了一种电气上隔离的高精度正脉冲电压测量电路。该电路结构简单、原理易懂,测量精度较高,适合用于测量占空比可变的正脉冲电压。本文主要从线性光耦工作原理、硬件电路设计及实验验证等方面进行详细介绍。 相似文献