液晶中的正电子寿命与相变

正电子在分子材料中的湮灭寿命通常与多种因素有关,例如密度及分子排列结构等。若试图用正电子湮灭方法来研究分子材料中的结构效应,我们希望寻求这样一种材料,它在不宽的温度范围内有尽可能多的相变。液晶就是这样一种理想材料,因为它在一般的温度范围内常常具有多种中介相(Mesophases),特别是伴随着相变的发生,正电子的寿命参数常会产生显著的变化,因此,正电子湮灭方法可以灵敏地探测液晶中的相变。     

高温超导谐振器与滤波器的微调研究

高温超导滤波器采用的基底的介电常数和厚度与模拟设计值往往存在一定差异,从而导致实际制作的滤波器的中心频率和频带偏离设计值。本文提出了解决这一问题的新思路,在原有高温超导滤波器上进行微调,即对组成滤波器的每个谐振器的局部进行相同的微小结构改变,使谐振器频率偏移,进而使滤波器的整个频带发生偏移。并利用该方法对多种谐振器和四节前向耦合高温超导滤波器进行了模拟,发现数值模拟数据与理论曲线符合得很好。这一方法对于窄带高温超导滤波器尤其具有重要的意义。     

纯铁中的氢致微观缺陷和氢-缺陷系统的正电子寿命

几十年来,人们对金属的氢致损伤问题的研究主要集中于金属的宏观力学性能和半微观性能。本文用正电子湮没技术研究氢对金属中小到原子尺度的微观结构的影响。 选用纯度99.99％的铁样品八对,经840℃、1.5小时真空退火后电解充氢,充氢电流密度分别为0、2、4、8、16、32、64、256(mA/cm~2),放置19小时后在室温下测量各样品的正电子寿命谱,实验结果用Positronfit程序进行三寿命分量的自由拟合,结果发现,所有充氢样品的平均正电子寿命τ_M和第二寿命成份的相对强度I_2都大于未充氢样品,并且随着充氢电流密度的增大而增大,说明铁中的氢可以引起微观缺陷浓度的显著增大。根据第二寿命成份的寿命值I_2(230～270ps),可以推知新增加的缺陷主要是各种空位,位错和微孔洞。     

CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计

为用HEMT晶体管设计L波段低驻波比放大电路,本文用输入无源复反射系数在输出反射平面上的共轭匹配区表达式,将驻波比约束转化为无源匹配区域的映射.同时为了计算放大电路低温下噪声,通过有损输入模型导出了噪声的温度关系式.实测CDMA-830MHz高温超导前端放大器噪声温度小于30K,输入驻波比小于1.3,输出驻波比小于1.8,增益大于17dB.     

CDMA系统用高性能高温超导滤波器的研制

本文研制了用于CDMA移动通信系统的高性能高温超导滤波器。该滤波器中心频率为832MHz,带宽为6MHz（相对带宽为0.72%）。为了实现结构紧凑的滤波器,采用了线条宽度和间距均为80μm的双螺旋形谐振器,在MgO基片上实现的12节滤波器尺寸仅为41.4mm×14mm。对滤波器的敏感度分析结果表明,该滤波器的频率响应特性对基片参数和仿真Cell尺寸的变化不敏感,具有较高仿真准确度。滤波器制备采用了高精度光刻和离子束刻蚀工艺,实际测试结果与仿真结果吻合得很好,并且无需调谐即表现出良好性能,插入损耗小于0.36dB,反射损耗大于15.6dB,带外抑制大于100dB。     

用正电子寿命方法研究Fe-Ni-Co合金中氢损伤

铁镍铬合金(型号4J29)是能和玻璃封接的定膨胀合金,主要用于晶体管、集成电路外引 线等。由于存在延迟断裂问题,影响了元件的可靠性。本文用正电子湮没方法对4J29合金中氢损伤行为进行了探讨。     

正电子湮灭寿命谱测量用的一种高低温装置

测量不同温度下的正电子寿命谱,对于研究凝聚态物质的微观结构、缺陷以及相变具有重要意义。实验所用温度装置的好坏,对于能否顺利地进行变温测量起着重要作用。一个好的温度装置应该具备以下性能:1.合适的温度控制范围和较好的控温精度。2.不因为使用控温装置过多地增大两探头间的距离使寿命谱仪系统计数率下降。3.对谱仪时间分辨率影响较小。     

金属中多普勒增宽线形的数学表达式和线形参数的估算方法

正电子湮灭多普勒增宽方法测得的直接信息是湮灭光子按能量的分布I(E)(见图1,图中选511keV作为能量坐标的零点,即511keV能峰又称多普勒增宽线形)。能峰的形状可用线形参数来表征,常用的有S、H参数     

微量钕对纯铁中正电子湮灭率的影响

置换型杂质原子和正电子的相互作用的研究,在七十年代已取得一些进展。Dekhtjav用角关联在Pd-1at,％Fe中发现导电子湮灭率增加17％,实电子湮灭率减少7％。Tanigawa等在Cu-0.5at.％Mn单晶中,观察到退火状态θ=0和θ-8mrad的符合计数的比值[N(O)/N(8)]_(归一)比纯铜小,作者认为是由于锰离子相对于铜离子来说离子价较小,如果以铜离子的平均电荷为零,则锰离子相当于一个负电荷,因而吸引正电子,而且锰离子的实电子湮灭率比铜离子高。Doyama等在分别含0.5at.％的Ni,Co、Fe、Cr和Ge的五种铜基固溶体中观察到类似的现象,而且比值N(O)/N(10)随着杂质在周期表中的位置左移而线性下降,作者认为按     

超导接收机中低射频低温低噪声放大器的研制

提出了分别工作于低温和常温下级联使用的两级低射频低温低噪声放大器的设计方案,给出了改善电路条件稳定和便于调谐的具体方法。测试结果表明,此两级低射频低温低噪声放大器完全满足高性能高温超导接收机的指标要求。