毫米波高温超导介质谐振器

本文研究了毫米波介质谐振器的TE013模式,给出屏蔽腔对谐振频率的影响,提出一些设计上的考虑,并给出了谐振腔装置的实验结果。     

热空气老化的顺丁硫化胶中的正电子湮没

本文研究了以陶土作填充剂的顺丁硫化胶(BR)在热空气中老化后的正电子湮没寿命谱特性。正电子寿命谱用POSITRONFIT程序进行三寿命自由拟合分析。实验结果如表所示。     

POSITRON ANNIHILATION IN Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18) GLASS

<正> 实验用非晶态Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)合金系液态合金急冷法制得的薄带。将该合金在550℃,0.5h退火制得晶态样品。两种样品都经X射线衍射验证。 用滴在厚1.2μm镍箔上的~(22)Na作为正电子源,用多层合金样品迭合后再和源成夹层排列。应用快-快符合寿命谱仪,时间分辨率(FWHM)为290ps,在+138℃到-174℃温度区间测量正电子湮没寿命谱。每个寿命谱的累计计数为10~6。应用计算机程序POSITRONFIT处理寿命     

用正电子技术研究氢在Al、Cu中的行为

用阴极充氢方法对1000℃退火Cu、1000℃淬火Cu、600℃淬火Al进行充氢,分别测量了 充氢前后各组样品的寿命谱,用Positronfit程序解谱。结果表明充氢前后,与缺陷浓度相对应的正电子寿命参数I_2随充氢电流密度的增加而有所起伏。     

关于正电子湮没寿命谱归一化峰顶计数的讨论

为了寻求一种能被正电子湮没寿命谱唯一确定而本身又有一定物理意义的谱参数,我们对正电子湮没寿命谱的归一化峰顶计数S_p进行了分析。     

氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究

氢气氛区熔硅电晶中含有较高浓度(～10~(16)/cm~3)的氢,在常温下,一部分氢与单晶中的硅原子通过硅氢链相结合,硅氢键的存在对硅单晶的性能有很大的影响。X射线形藐观察发现,当氢气氛区熔硅单晶样品温度升至660℃左右时,样品内突发性地产生大量宏观缺陷,经过1000℃一小时的热处理,样品内产生许多雪花形缺陷,文献[2]的作者提出了硅氢键断裂和缺陷形成过程的机理。以上这些发现和微观机理,需要进一步的实验验证。     

非晶态Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)合金的正电子湮没

实验用非晶态Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)合金系液态合金急冷法制得的薄带。将该合金在550℃,0.5h退火制得晶态样品。两种样品都经X射线衍射验证。用滴在厚1.2μm镍箔上的~(22)Na作为正电子源,用多层合金样品迭合后再和源成夹层排列。应用快-快符合寿命谱仪,时间分辨率(FWHM)为290ps,在 138℃到-174℃温度区间测量正电子湮没寿命谱。每个寿命谱的累计计数为10~6。应用计算机程序POSITRONFIT处理寿命