基于碳纳米管的双电层电容器

碳纳米管由于具有良好的导电性、较高的比表面积、优良的化学稳定性。因而被认为是超级电容器的理想电极材料，本文制备了基于碳纳米管的双电层电容器，其比容量为21F/g，等效电阻为2Ω，漏电流为1.5mA，同活性炭相比，碳纳米管电极因为独特的孔隙结构而具有高的比表面积利用率和低的等效电阻，在高功率大容量电容器方面有着广阔的应用前景。     

稀土高碳当量薄壁灰铸铁件的研究

本文旨在弄清稀土硅铁合金提高商碳当量灰铸铁强度的原因,并确定在冲天炉熔炼条件下,用这种合金处理铁水,生产薄壁灰铸铁件的最佳工艺规范。     

锻制B3钢大直径磨球性能控制试验研究

锻制B3钢大直径磨球经余热淬火热处理常出现裂纹和硬度梯度过大两类缺陷。通过试验分析,确定了淬火温度、冷却介质(PAG淬火剂)流速以及冷却介质浓度为影响磨球性能的主要因素;设计了L_9(3~4)正交试验,获得了优化试验参数。试验结果表明:冷却介质流速和淬火温度是造成裂纹、硬度梯度过大的主要参数。淬火温度高、冷却介质流速快,裂纹废品率较低,但硬度分布不均匀;反之,裂纹废品率高,但硬度分布较均匀。优化淬火工艺参数为:淬火温度780℃、冷却介质流速为快速、冷却介质浓度为0配比。经过小批量实际生产验证,获得了表面硬度≥58 HRC、心部硬度≥54 HRC的磨球,且裂纹率低于5%。     

聚碳酸酯／多壁碳纳米管复合材料的制备和研究

采用熔融混炼的方法制备聚碳酸酯/多壁碳纳米管(MWNTs)复合材料,研究了复合材料的表面电阻率与MWNTs用量的关系,并对材料流动性能、组织结构和形貌进行了分析.结果表明,随着MWNTs用量的增加,复合材料的电阻率呈下降趋势,MWNTs质量分数为1%～2%时为复合材料的导电阈值.在MWNTs质量分数为3%时复合材料的流动性最好;模压试样的内部比表面分布着更多的MWNTs.     

在软基底上重组装定向垂直排列的碳纳米管

描述了一种把阵列式排列的碳纳米管膜完整地从沉积基底上逐层分离组装到软的新基底上的技术。用扫描电镜研究了被分离的碳纳米管膜的形貌、粘结层的特点,对被分离的膜的表面导电性能,膜与新基底体系的体积导电性能分别做了测试。电镜形貌分析表明构成碳纳米管膜的碳纳米管在被分离后可以保持原来的形貌,也可以呈弯曲状,这取决于作用在碳纳米管膜上的压力。电阻测试表明膜的表面电忸为10欧姆,而膜与基底体系的体积电阻在有粘结层条件下小于0．1欧姆。     

转换阵列式碳纳米管薄膜至铝箔上的工艺

描述了一种将阵列式碳纳米管(CNTs)膜从石英基底转移至新基底(铝箔)上的工艺。用SEM检测了转移至铝箔上后各层膜的形貌并测试了铝箔CNTs膜的电阻。结果表明转基底工艺可以显著提高CNTs薄膜的利用率。去除90%不干胶后铝基CNTs薄膜的电阻可以达到0.3Ω以下。     

渗硅合金化45钢化学气相沉积金刚石膜新方法

渗硅合金化４５钢化学气相沉积金刚石膜新方法高志栋，陈志清，曾效舒，梁吉，魏秉庆，吴德海（清华大学）化学气相沉积（ＣＶＤ）金刚石膜的基底通常使用单晶硅。在钢基底上沉积一层金刚石膜，利用其优异的抗磨、化学稳定、绝缘、导热性能好等优点，应用将十分广阔。由于...     

高速钢表面渗硅沉积金刚石

研究了利用表面扩散渗硅,在高速钢基底上沉积金刚石的工艺方法,利用ＳＥＭ,Ｘ射线衍射技术检验了金刚石膜和试样表面组织的变化,结果表明,利用表面扩散渗硅,在高速钢表面形成富硅层,使过渡层有较高的含硅量,有利于在高速钢基底上沉积金刚石膜。     

利用大进给量铣削提升模具制造生产率的研究

大进给量铣削(High Feed Cutting/HFC)工艺是一种以整个铣刀直径用全切削(ae=D)的方式,同时采用较小的切削深度(即背吃刀量ap)和很高的进给速度进行切削的高效切削工艺,有很高的材料切除率.其目的是显著缩短粗加工或半精加工的时间,因此,原则上大进给量铣削(HFC)是属于高效铣削(HPC)工艺的范围....     

逐层法制备碳纳米管/石墨烯透明导电玻璃

以可膨化石墨、天然鳞片石墨、膨胀石墨为原料,采用Hummers法制备氧化石墨,采用X射线衍射、扫描电子显微镜对氧化石墨进行表征,分析比较这三种原材料制备氧化石墨的氧化程度。采用逐层自组装法(LBL)在玻璃基底上制得碳纳米管/氧化石墨复合薄膜,并通过水合肼蒸汽还原法将薄膜还原成碳纳米管/石墨烯透明导电薄膜。最后对薄膜的透光性能和导电性能进行比较,发现三种原料制备的导电玻璃中,以膨胀石墨为原料制备的玻璃导电性能最好,12层时达到了59.1kΩ/sq,但透光性却逊于其他两种原料制备的玻璃片。