分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究

利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Si原子的扩散。另外，Si施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。     

基于工业产品生产许可的防爆电气产品生产企业状况分析

2001年国家质量监督检验检疫总局开始对防爆电气产品实行统一管理,继续实施工业产品生产许可证制度.本文从行业状况、企业生产条件状况和国家监督抽查情况等三个方面对防爆电气产品进行分析.通过工业产品生产许可证管理,有效地保证了防爆电气产品的质量.     

GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检测 Gex Si1 - x/ Si异质材料的载流子浓度纵向分布 ,重复性好 ,可靠性高     

GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

通过实验确定了一种与GexSi1-x合金表面具有良好电化学界面的电解液,利用电化学C-V方法研究了多层GexSi1-x/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布．实验结果表明：采用这种电解液,利用电化学C-V载流子浓度纵向分布测量仪检测GexSi1-x/Si异质材料的载流子浓度纵向分布,重复性好,可靠性高．     

高等教育学生资助体系的若干思考

高等教育收费符合人力资本理论和成本分担理论,但违背了“教育机会均等”理念,学生资助体系的建立与完善有助于该理念的实现。现行高等教育学生资助体系较以往有了质的提高,但在资助力度、贫困生认定、助学贷款回收等3个方面有待加强和完善。政府应进一步加大对资助体系的投入力度;“应受资助指数”的设计与计算有助于减少贫困生认定过程中过多的主观因素;“还贷提醒机制”的建立及还贷方式方法的多样化、人性化有助于消除非恶意欠贷。