种子层(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx成分及厚度对Ni0.81Fe0.19薄膜磁性和微结构的影响

用直流磁控溅射方法制备了性能优良的以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为种子层的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究了种子层成分及厚度对薄膜磁性和微结构的影响,结果表明当种子层(Ni0.81Fe0.19)0.63Cr0.37厚度为5.5 nm时,Ni0.81Fe019(20.0 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值为(2.53±0.06)%;当Cr的含量为0.36时,Ni0 81Fe0.19(60.0 nm)薄膜的AMR值为(3.35±0.06)%.AFM及XRD研究表明不同厚度缓冲层(厚度分别为2.8,5.5和8.3 nm)的Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸基本都为35.2 nm,但其111织构相差很大,AMR值最大时,对应的111衍射峰最强;不同Cr含量(分别为0.28,0.36和0.41)的Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸和111衍射峰相差都很明显,AMR值最大时,对应地薄膜表面平均晶粒尺寸最大,Ni0.81Fe0.19111衍射峰也最强.     

碳纤维(LCF)-无宏观缺陷(MDF)水泥基复合材料电学性能的研究

本文研究了碳纤维(LCF)-无宏观缺陷水泥(Macro-Defect-Free Cement)基复合材料的电阻率 ρ、随 LCF 体积分数的变化规律。结果表明,当 LCF 体积分数由5%增加至50%时,该材料的 lgρ_v 由10Ω·cm 下降到10~(-1)Ω·cm 数量级。体积分数为23%时出现了渗滤阈值(Pecolation Threshold)现象。通过分析认为该材料的导电机制为隧道导电。另外测定了该材料电磁屏蔽效率 S。得到在400—1600MHz 频率范围内,对电磁波具有10—40dB 良好的衰减效果。     

MDF水泥研究概况和应用前景

综述了无宏观缺陷(Macro-Defect-Free简称MDF)水泥的研究近况,给出了它的各项性能参数。MDF水泥具有良好的综合力学性能,抗弯强度是普通水泥的15～20倍,生产工艺简单,加工性能良好。添加纤维、金属粉末等填料可明显改变MDF水泥的某些物理性能。举例说明了MDF水泥在减震、吸音、低温、防弹、电磁屏蔽等领域的应用前景。     

无宏观缺陷的水泥基复合材料

本文对无宏观缺陷(Macro-Defect-Free MDF)的水泥基复合材料进行了研究。在改变不同水灰比及不同添加剂含量的条件下,对各类试样的主要力学性能进行了测定。结果表明,只有当水、灰及添加剂的含量控制在适当配比时,才能获得最佳的力学性能。MDF 水泥的抗弯强度比普通水泥的强度提高约10—20倍。还采用扫描电镜观察了微观组织的孔隙尺寸、孔隙密度以及试样的断口形貌。对不同情况下的孔隙率和孔隙尺寸对力学性能的影响以及添加剂的作用机理进行了讨论。     

体心立方Fe—17Cr合金晶界的原子探针分析

通过原子探针（AP）对体心立方Fe-17Cr合金的深度分析,在原子尺度上获得紧靠晶界40nm区域内Cr元素的分布。结果表明敏化Fe-17Cr合金在该区域存在贫Cr区,证实了Fe-Cr合金晶间腐蚀的贫Cr理论。在距晶界约30nm内,出现比较平稳的Cr分布平台,并且Cr浓度低于相同Cr含量的敏化Fe-Cr-Ni合金Cr浓度。     

石墨—MDF水泥基复合材料屏蔽电磁波性能

研究了石墨、聚合物（ＰＶＡ）及材料厚度对石墨－ＭＤＦ（Ｍａｃｒｏ－Ｄｅｆｅｃｔ－Ｆｒｅｅ）水泥基复合材料屏蔽电磁性能的影响及其机理。结果表明：当石墨添加量超过１８ｖ．％时，材料对２００１６００ＭＨｚ的电磁波有１０－４０ｄＢ的衰减效果，屏蔽效率Ｓ随材料中聚合物增加而降低，随材料厚度增加而升高，随电磁波的频率ｆ的增加有升高的趋势。当石墨在水泥基体里形成导电网络时，材料的电阻率ｐｖ发生显著变化，即出现渗     

真空退火Fe/Pt多层膜的结构和磁性

采用直流磁控溅射方法制备了Fe/Pt多层膜和FePt单层薄膜,并在不同温度下真空热处理得到了有序相L10-FePt薄膜.研究表明,Fe/Pt多层膜化可以降低FePt薄膜有序相的转变温度.[Fe(1.5nm)/Pt(1.5nm)]13薄膜在350℃热处理后,有序度已经增加到0.6,而且矫顽力达到了501kA/m.多层膜化促进有序化在较低的温度下进行,这主要是因为原子在多层膜界面扩散更快.     

插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析

在Ta／Cu／NiFe／FeMn／Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe／FeMn薄膜的交换偏置场降低。为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta／Cu／NiFe／FeMn／Ta薄膜中在Cu／NiFe界面沉积Bi插层。实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe／FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍。XPS分析表明,在Cu／NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场。     

织构和界面粗糙度对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响

采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜（分别以Ta、Cu作为缓冲层，Ta作为保护层）。实验发现，以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大，而矫顽力却很小。我们从织构、界面粗糙度两方面对其中的原因进行了分析。以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜有好的织构且NiFe/FeMn界面较平滑，这引起了较强的交换偏置场和较低的矫顽力。     

NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性

采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和3μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程.宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难.在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘.