Ta种子层对Ni65Co35薄膜微结构和磁性的影响

用直流磁控溅射方法制备了Ta（x nm）／Ni65Co35（40nm）双层薄膜（x=0,1,2,3,4,5nm）,研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35（40nm）薄膜的各向异性磁电阻（AMR）和矫顽力的影响;通过X射线衍射（XRD）对Ni65Co35薄膜的微结构进行了分析．结果表明,适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni65Co35薄膜（111）织构形成,并能显著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度．     

较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构

基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多.较低溅射气压下制备的NiFe(12nm)薄膜,各向异性磁电阻(AMR)值达到1.2%,而其矫顽力却只有127.4A/m.结构分析表明较低溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较少,内应力小;而较高溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较多,内应力大.     

磁控溅射方法制备(CoCr/Pt)20纳米多层膜及表征

采用磁控溅射方法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的(CoCr/Pt)20纳米多层膜,研究了溅射气压对(CoCr/Pt)20纳米多层膜的微结构和磁性的影响.结果表明,Ar溅射气压对(CoCr/Pt)20纳米多层膜的微结构、垂直磁各向异性和矫顽力有很大的影响.所有样品的有效各向异性常数Ke.＞0,具有垂直磁各向异性.X射线衍射结果显示,小角衍射峰很锐,样品有良好的周期性层状结构.随着Ar溅射气压增加,样品垂直膜面的矫顽力增加,但样品有效磁各向异性常数减小.原子力显微镜照片显示,随着Ar溅射气压增加,其表面平均晶粒尺寸和粗糙度均增加,这是导致多层膜的垂直矫顽力增加和有效磁各向异性常数减小的因素.     

Interface chemical states of NiO/NiFe films and their effects on magnetic properties

Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta multilayers were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field ( Hex) and the coercivity ( Hc) of NiOx/Ni81Fe19 as a function of the ratio of Ar to O2 during the deposition process were studied. The composition and chemical states at the interface region of NiOx/NiFe were also investigated using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique. The results show that the ratio of Ar to O2 has great effect on the nickel chemical states in NiOx film. When the ratio of Ar to O2 is equal to 7 and the argon sputtering pressure is 0.57 Pa, the x value is approximately 1 and the valence of nickel is + 2. At this point, NiOx is antiferromagnetic NiO and the corresponding Hex is the largest. As the ratio of Ar/O2 deviates from 7, the exchange coupling field ( Hex) will decrease due to the presence of magnetic impurities such as Ni +3 or metallic Ni at the interface region of NiOx/NiFe, while the coercivity ( Hc) will increase due to     

插入Bi层对NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜交换耦合的影响

对于NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜，Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合Hex下降，然而，少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间。Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制。而且，更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高。     

Electronic structure and FIM imaging mechanism of Fe-Al intermetallic compounds

ＴｈｅＦＩＭｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｓｏｆｂｉｎａｒｙｏｒｄｅｒｅｄｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃｃｏｍｐｏｕｎｄｓａｒｅｃｏｍｐａｒａｂｌｅｗｉｔｈｔｈｏｓｅｏｆｐｕｒｅｍｅｔａｌｓ,ｗｈｉｃｈｈａｖｅｐｅｒｆｅｃｔｒｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅ.Ａｎｄｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇｅｎｏｕｇｈ,ｇｅｎｅｒａｌｌｙｏｎｌｙｏｎｅａｔｏｍｓｐｅｃｉｅｓｃｏｎｔｒｉｂｕｔｅｓｔｏｔｈｅｉｍａｇｅｓ[1,2].Ｈｏｗｅｖｅｒ,ｉｔｉｓｎｏｔｃｌｅａｒｗｈｉｃｈａｔｏｍｓｐｅｃｉｅｓｉｍａｇｅｓｉｎｍｏｓｔｓｙｓｔｅｍｓ,ａｎｄｄ…     

巨磁电阻材料及其在汽车传感技术中的应用

巨磁电阻材料是20世纪90年代新开发的一种功能材料。由于它与传统的各向异性磁电阻材料相比具有很高的磁场灵敏度等优点,关于它的研发在国际上倍受重视。巨磁电阻材料过去主要用于制作计算机硬盘读头,目前正向着更广泛的应用领域扩展。巨磁电阻(GMR)传感器元件由于灵敏度高、热稳定性好、成本低等优点而完全可取代霍尔及磁阻(AMR)元件,从而广泛应用在信息、电机、电子电力、能源管理、汽车、磁信息读写及工业自动控制等领域。在汽车传感技术上的应用是巨磁电阻材料的一个重要应用领域。     

不同缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换耦合场的影响

采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜 ,分别以Ta ,Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大 ,而矫顽力却很小。本文分别从织构、界面粗糙度、界面偏聚等几方面对其中的原因进行了分析。除不同缓冲层引起的织构、界面粗糙度不同对交换耦合场有影响外 ,不同缓冲层引起的界面偏聚对交换耦合场也有影响     

Cu-Co合金的微结构与磁性的关系

利用场离子显微镜－原子探针（ＦＩＭ－ＡＰ）以及分析电镜（ＴＥＭ）研究甩带Ｃｕ８８Ｃｏ１２颗粒合金的微结构。ＦＩＭ的研究结果表明，原始状态下甩带Ｃｕ８８Ｃｏ１２合金中观察不到Ｃｏ的析出，可以看到明显的环结构，这说明甩带样品已很好地晶化。用ＡＰ进行纳米范...     

SiO2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应:37Ta+15SiO2=5Ta5Si3+6Ta2O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3、Ta2O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.