SiO2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应:37Ta+15SiO2=5Ta5Si3+6Ta2O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3、Ta2O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.     

CARBON MIGRATION THROUGH THE WELDING JOINTS OF DISSIMILAR STEELS

本文从热力学的活度概念出发,讨论了异种钢焊接接头的碳迁移现象。除接头两侧化学成分差别外,着重指出不同晶体结构对碳迁移有很大影响,强调了相变过程对碳迁移的重要作用。 根据一些异种钢接头碳迁移的特点,将碳迁移过程分为两类:第一类是在焊接高温极短时间内发生的,析出先共析铁素体是发生强烈碳迁移的主要条件;第二类是在相对低的温度长时间内发生的,铬等强烈形成碳化物元素的扩散速度是影响碳迁移过程的主要环节。 为抑制这两类碳迁移,从热力学和动力学两方面考虑,提出了具体措施。     

关于异种钢焊接接头的碳迁移问题

本文从热力学的活度概念出发,讨论了异种钢焊接接头的碳迁移现象。除接头两侧化学成分差别外,着重指出不同晶体结构对碳迁移有很大影响,强调了相变过程对碳迁移的重要作用。根据一些异种钢接头碳迁移的特点,将碳迁移过程分为两类:第一类是在焊接高温极短时间内发生的,析出先共析铁素体是发生强烈碳迁移的主要条件;第二类是在相对低的温度长时间内发生的,铬等强烈形成碳化物元素的扩散速度是影响碳迁移过程的主要环节。为抑制这两类碳迁移,从热力学和动力学两方面考虑,提出了具体措施。     

Microstructures of NiFe/nonmagnetic metal spacer/FeMn films and their influences on exchange coupling

The discovery of the oscillatory exchange coupling between ferromagnetic (FM) layers separated by a nonmagnetic spacer layer in 1986[1] aroused peoples interest in the magnetic prop-erties of metallic multilayered films. FM/ nonmagnetic metal spacer /FM systems with any of the 3d transition metals Fe, Co and Ni or their alloys as FM material have been systematically stud-ied[24]. Oscillatory exchange coupling via spacers has been known as a general phenomenon relevant to many spacer materi…     

石墨－MDF水泥基复合材料屏蔽电磁波性能

研究了石墨、聚合物（ＰＶＡ）及材料厚度对石墨－ＭＤＦ（Ｍａｃｒｏ－Ｄｅｆｅｃｔ－Ｆｒｅｅ）水泥基复合材料屏蔽电磁波性能的影响及其机理．结果表明；当石墨添加量超过１８ｖ．％时，材料对２００—１６００ＭＨｚ的电磁波有１０—４０ｄＢ的衰减效果，屏蔽效率Ｓ随材料中聚合物增加而降低，随材料厚度增加而升高，随电磁波的频率ｆ的增加有升高的趋势．当石墨在水泥基体里形成导电网络时，材料的电阻车ρｖ发生显著变化，即出现渗滤阈值（ＰｅｃｏｌａｔｉｏｎＴｈｒｅｓｈｏｌｄ）现象后，具有较好的屏蔽性能，屏蔽电磁波主要以吸收电磁波为主．     

非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响

采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件.测量了NiFe元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,理论和实验符合.