高介电常数材料在半导体存储器件中的应用

高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法 ,及其在半导体存储器件中的应用和前沿课题     

新型嵌入式BeNOR结构Flash存贮器

提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的BeNOR阵列结构,该结构采用沟道热电子注入进行"写"操作,采用分离电压法负栅压源极F-N隧道效应进行擦除.对分离电压法负栅压源极F-N隧道效应擦除的研究表明,采用源极电压为5V,栅极电压为-10V的擦除条件,不仅能很好地控制擦除后的阈值电压,而且当字线宽度小于等于64时,源极电压导致的串扰效应能得到很好的抑制.研究表明该结构具有编程速度高、读取速度高、可靠性高及系统应用灵活的特点,非常适宜于在1M位以下的嵌入式系统中应用.     

一种新型大驱动、低功耗和高精度的电荷泵电路

提出一种适用于NOR结构快闪存储器应用的,具有大驱动能力、低功耗和高精度特性的电荷泵系统。它通过对八个子电荷泵的并联来提高电荷泵的驱动能力,并采用电容分离法来动态地自洽改变每个子电荷泵的驱动能力,仿真结果表明,在擦除模式、一位编程模式和八位编程模式工作下,其瞬态平均电流分别约为2.5mA、4 mA和12 mA,电荷泵的输出高压精度可达±2.3%以下,达到了节省功耗和提高输出高压精度的目的。     

采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器

提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时,位线漏电只有3.5μA左右,每位编程功耗为16.5μW,注入系数为4×10-4,编程速度可达20μs,存贮管的读电流可达60μA/μm以上.分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性.     

北斗高精度地基增强数据播发系统的创新——中国数字音频广播(CDRadio)技术应用

探讨共生调频数据广播在北斗导航定位领域的跨界创新应用,提出基于中国数字音频广播(CDRadio)技术,建设一种全新概念的北斗地基增强的数据播发系统,通过该技术的数模同播特性实现调频广播数字化改造,借助调频广播电台现有基础设施广泛存在及其信号覆盖范围广泛的优点,用于北斗导航增强数据播发,发展北斗高精度定位服务的大众市场.国家广电部门和测绘部门的检测表明:基于CDRadio技术的北斗增强数据播发系统,播出的模拟调频信号符合国家标准;播出的数字信号具备和模拟信号相当的覆盖范围;播发系统的数据传输时延小于1 s,满足北斗增强数据的实时性要求;大部分区域静态和动态实时定位精度可达厘米级,整个信号覆盖范围内的定位精度为亚米级.     

济钢烧结余热利用

济钢烧结采用分段回收的节能技术组合,即同时采用余热发电、余热锅炉和热风点火、热风烧结以及混合料预热等多种有效的回收形式对烧结余热加以全面利用,取得了明显的节能效果。     

单层多晶的EEPROM

针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEPROM,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM(single poly EEPROM),展示了single poly EEPROM的应用前景,同时提出了single poly EEPROM所面临的问题,并有针对性地给出了几种解决方案.     

新型嵌入式BeNOR结构Flash存贮器

提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的BeNOR阵列结构,该结构采用沟道热电子注入进行"写"操作,采用分离电压法负栅压源极F-N隧道效应进行擦除.对分离电压法负栅压源极F-N隧道效应擦除的研究表明,采用源极电压为5V,栅极电压为-10V的擦除条件,不仅能很好地控制擦除后的阈值电压,而且当字线宽度小于等于64时,源极电压导致的串扰效应能得到很好的抑制.研究表明该结构具有编程速度高、读取速度高、可靠性高及系统应用灵活的特点,非常适宜于在1M位以下的嵌入式系统中应用.     

一种FLASH存储单元的结构及功能分析

讨论了一种新颖的不挥发存储器单元－ＦＬＡＳＨ的结构描述及器件模拟，对实验单元进行了测试，采用了分离电压的方法进行擦操作并进行分析。这种单元占用芯片面积小，很有发展前景。