用于RF ID的EEPROM技术及IP设计

设计了一个1 kb EEPROM IP电路,包括1.2μm EEPROM工艺和EEPROM IP电路的设计。通过对电路结构的改进和对电路的优化设计,达到了低压低功耗的要求,并可以在较大的电压范围内工作。采用与CMOS工艺兼容的1.2μm EEPROM工艺进行流片,降低了生产成本,适用于RF ID系统。     

一种适用于NOR结构快闪存储器的快速页编程算法

为了降低NOR结构快闪存储器的编程时间,本文提出一种能够根据编程数据的特点改变编程脉冲时序的快速页编程算法.它通过一个简单的判断电路对输入的编程数据中"1"的个数进行判断,并在状态机的控制下产生具有最小编程时间的页编程脉冲时序,从而达到缩短页编程时间的目的.统计结果表明,本算法的页编程时间不到传统方法的70%.     

一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器

提出一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器结构,在便携式低功耗的code闪存中有着广泛的应用前景.该结构采用带-带隧穿热电子注入 (BBHE)进行"写"编程,采用源极Fowler-Nordheim隧穿机制进行擦除.研究显示控制栅编程电压为8V,漏极漏电流只有3μA/μm左右,注入系数为4×10-4,编程速度可达16μs,0.8μm存贮管的读电流可达60μA/μm.该新型结构具有高编程速度、低编程电压、低功耗、大读电流和高访问速度等优点.     

小型游泳池设计浅谈

通过对小型非专业娱乐性游泳池的设计，介绍了在设计过程中需要注意的一些问题。     

方形波导激光器的反射耦合研究

针对方形波导激光器的反射耦合问题提出了一种采用柱面反射镜的新型耦合方式。应用衍射理论详细推导了柱面反射镜和球面反射镜对方形波导激光器的耦合效率。通过数值计算分别得到采用球面反射镜时,EH11模和EH21模的耦合效率对反射镜曲率半径R的关系曲线,以及采用柱面反射镜时EH11模,EH21模和EH12模的耦合效率曲线。通过对比,得到波导口到反射镜距离d较小的时候,柱面反射镜对EH11模具有与球面反射镜接近的耦合效率。同时相对球面反射镜,柱面反射镜对EH21模和EH12模具有更强的抑制作用。在d较大时,相对球面反射镜柱面反射镜对EH21模的抑制作用将会变得更强,而对EH12模的抑制作用将会减弱。     

高稳定及免调试“猫眼”谐振腔He-Ne激光器的研究

提高谐振腔的稳定性一直是激光技术的一个重大问题。将“猫眼”逆向器作为反射镜,组成“猫眼”谐振腔可提高激光谐振腔的稳定性。以功率稳定性为参考指标,做了一系列对比实验来对比“猫眼”谐振腔He-Ne激光器和现有He-Ne激光器在失调特性、温度漂移方面的性能。结果表明,“猫眼”谐振腔激光器稳定性显著优于传统平凹谐振腔和凹凹谐振腔激光器。进行了免调节“猫眼”谐振腔He-Ne激光器的实验,“猫眼”谐振腔He-Ne激光器的功率稳定性达到了以前各种构造的He-Ne激光器无法达到的高水平。     

用玻璃粉作粘结剂制备碳纳米管厚膜及其场发射特性

研究了用涂敷法制备的碳纳米管（CNT）厚膜及其场发射特性,裂解法获得的碳纳米管与玻璃粉等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,经烧结后制成碳纳米管厚膜,二极结构测量的结果表明,碳纳米管厚膜有较低的开启电场（1.0～1.25V/μm）,场强为5V/μm时,电流密度达到了50μA/cm^2.该工艺的烧结过程应控制好,加热时间稍长会使CNT厚膜的场发射性能很快下降,时间过长会使CNT处在厚膜表面之下,无法有效发射电子.浆料中的玻璃粉比例增大时,碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低.     

基于不同测量手段的纳米晶器件的存储特性

对纳米晶器件,尤其是MOS电容进行了横截面TEM分析和不同条件下的电学特性(C-V特性)测量,包括+/-BT分析. 揭示了系统的纳米晶存储物理机制,例如电荷俘获、界面态填充和温度特性. 研究结果表明,高温、大电压摆幅和偏置情况下,器件编程窗口的恶化和阈值电压的漂移与多数载流子的种类有关.     

Flash存储器技术与发展

Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器，它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和系统的电可擦除性等优点，是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对Flash存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。