提高丝网印刷ZnO纳米针场发射的均匀性和稳定性研究

针对现有的ZnO纳米针场发射的均匀性和稳定性不良问题,提出丝网印刷碳纳米管(CNTs)掺杂过滤的Zno纳米针的方法,将印刷的薄膜在450～600℃下烧结,并研究了过滤及CNTs掺杂对ZnO纳米针场发射性能的影响.结果表明,印刷薄膜在450℃下烧结,尽管还有残余的浆料存在,但CNTs没有被氧化,而在500℃和600℃下烧结,几乎所有的CNTs被氧化.场发射测试结果显示在相同的电压下,450℃烧结的薄膜具有最高的场发射电流密度和最好的场发射稳定性.由此表明,利用过滤和CNTs掺杂可以有效地提高ZnO纳米针场发射的均匀性和稳定性.     

MEMS器件各向异性腐蚀过程中的Al连线保护

微电子机械系统 ( MEMS)器件制造过程中的各向异性腐蚀工序 ,会引起硅片正面的 Al连线被腐蚀 ,造成器件的失效。本文论述了使用一种环氧树脂和聚酰胺调配的胶体将器件正面电路密封起来的方法 ,使 MEMS器件在 85℃ ,浓度为 3 3 %的 KOH溶液里进行各向异性腐蚀 ,可以成功地保护 Al连线。这种方法的使用 ,为 MEMS器件的制作完成奠定了技术基础     

碳纳米管聚苯胺薄膜SAWSO2传感器的实验研究

以128°Y-LiNbO3晶体上实现的双声路声表面波(SAW)器件为载体,在器件的测量声路上制作了对SO2气体具有敏感作用的碳纳米管聚苯胺薄膜,提出了一种基于碳纳米管聚苯胺薄膜的SAW SO2气体传感器.该传感器中的双声路结构消除了因外界测量条件改变引起的测量误差,提高了传感器的可靠性和准确性.利用原位法制备的碳纳米管聚苯胺增加了SO2气体的吸附面积,提高了传感器的灵敏度.实验结果表明,基于碳纳米管聚苯胺薄膜的SAW SO2气体传感器在测量范围内对各种浓度的SO2气体具有好的响应特性;当输入体积分数为1×10-6时,传感器的响应灵敏度约为8.3 kHz,比单一聚苯胺薄膜高1.8 kHz.此外,该传感器也具有更好的线性特性.     

钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究

采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2 和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5~1.5μm 的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1~0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108 个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm。XPS分析结果表明,钴原子仅存在于多孔硅表面非常薄的一层内。其场发射具有较好的可靠性和可重复性,开启场强一般为2.3V/μm 左右,场强为5.4V/μm时,亮点均匀而且密集,发射电流密度达到30μA/cm2 左右。     

基于相关空间辨识迭代映射形成的混沌时间序列和白噪声

本文研究了Logist迭代映射产生的混沌和白噪声的统计特性及时频特性，指出利用统 计的方法和传统的时频仪器是无法区分噪声和混沌的．进而提出一种可区分混沌与噪声的“ 相关空间法”，基于Logist映射混沌序列是由确定的非线性方程迭代产生的，相邻迭代值必 然存在相关性；而白噪声却是由大量的偶然因素产生的，相邻值不存在相关性．因而本文首 次提出由相互关联的临近序列组成相关空间，从而区分混沌和噪声．     

Logist方程形成的混沌时间序列和白噪声的一种辨识方法

确定的非线性系统能够产生貌似噪声的混沌,本文分析了混沌和白噪声的统计特性及时频特性,指出利用传统的时频仪器是无法区分噪声和混沌的.并且提出一种可区分混沌与噪声的"相关空间法",基于Logist方程的迭代混沌序列是由确定性方程产生的,具有较小的自由度,必然存在短期可预测性;而白噪声却是由大量的偶然因素产生的,具有较多的自由度,不存在可预测性.进而提出由相互关联的临近序列组成相关空间,将迭代序列投影于该相关空间,从而区分混沌和噪声.     

基于虚拟设备驱动程序的软件逻辑分析仪

基于Windows 9x操作系统平台提出了利用虚拟设备驱动程序开发软件逻辑分析仪的方法，并开发了相应的软件。软件逻辑分析仪主要用于调试和逆向设计PC机扩展卡及其他外围设备，其基本功能是连续长时间捕获驱动软件对硬件设备发出的I／O端口操作指令。介绍了它的工作原理，概述了它的功能扩展。     

纳米管状聚苯胺合成与导电织物涂层整理研究

本文研究采用改性的碳纳米管为模板，采用氧化聚合法合成了纳米管状聚苯胺。利用FTIR、UV／Vis Spectra、TEM等分析表明：合成的聚苯胺分子具有良好的纳米管状结构。利用合成的聚苯胺与有机粘合剂等材料进行复配，形成稳定的整理剂，利用Mini-TAB对各整理工艺进行优化分析，使整理后的织物的导电性大大提高。该整理技术将对开发导电、抗静电纺织服装产品具有实际应用意义。     

印刷碳纳米管薄膜场发射失效行为研究

对基于印刷碳纳米管（CNT）薄膜的场发射器件的失效行为进行了研究。微观分析结果表明，器件失效主要是由真空击穿对CNT和导电衬底造成损坏所引起的。印刷CNT薄膜中存在的CNT团聚颗粒所造成的正反馈的发热和电流增加导致了真空击穿的发生。通过在真空室中对印刷CNT薄膜进行场发射条件下的老炼处理，有效地预防了真空击穿的发生，并使薄膜的场发射均匀性得到提高，证实了真空老炼对预防真空击穿和提高器件工作可靠性的作用。     

硅的直接热生长氮化膜及其应用

本文阐述了超薄热生长氮化硅膜的工艺和在一些器件中作为半绝缘的隧道薄膜的优点,研究了氨气中硅直接热氮化膜的性质,并用该氮化膜制成了金属-半绝缘膜-N-P~+结构的快速开关。