PECVD多晶金刚石平面薄膜场发射特性

以n-Si为衬底，用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜。采用以金刚石薄膜为阴极的二极管结构测试了场发射特性，在6V/μm的电场下，场发射电流为5μA。研究了场发射的有效势垒随外加电场的变化，发现在有效势垒随外电场变化的曲线中存在一段平台。从理论上对这种现象进行了研究，分析了电子从Si衬底注入金刚石薄膜的方式，认为有效势垒的平台是由于缺陷能级在金刚石禁带中分布不均匀所致，并由此建立了在注入限制情况下多晶金刚石薄膜的场发射模型。根据模型计算得到有效势垒的理论曲线与实验曲线，反映了相同的变化规律。     

纳米管状聚苯胺织物涂层与导电及微波屏蔽性能

利用所合成的纳米管状聚苯胺,采用MinitabDOE多因子优化分析实验方法,通过选择纳米管状聚苯胺与普通盐酸掺杂聚苯胺混配比、碳纳米管掺杂剂用量、有机粘合剂用量、织物涂层用量4个因数对涂层织物的表面比电阻进行优化实验,确定了合理的织物涂层整理剂配方。利用对整理剂用量的单因数工艺实验,对涂层织物的表面比电阻和微波屏蔽性能进行了分析,优化涂层织物的最低表面比电阻使之达到16Ω,整理后织物的导电性大大提高。利用波导管法测试整理后织物的微波段电磁屏蔽效能,SE值为48dB。该整理技术对开发抗电磁波、导电、抗静电、电热纺织服装产品具有重要的实际意义。     

IGCT器件的计算机模拟

对IGCT器件的主体GCT部分进行了工艺模拟，包括一维模拟与二维模拟，对工艺流程进行了优化设计，最后得到了理想的纵向杂质分布及网络划分，并对模拟和设计的有关问题进行了分析总结。     

硅锥场发射阴极电热状态的数值模拟

用有限差分法求解相互耦合的电流连续方程和导热方程 ,对硅锥阴极的电热状态进行了数值模拟。模拟中采用了与温度、电场相关电导率模型以及和温度相关的热导率模型。模拟的结果表明 ,锥体顶端的电位变化比较突出 ,在较小的电流下其内部电场即可以达到临界场强 ,使载流子漂移速度开始饱和 ,并表现出饱和的发射特性。在尖锥顶端内部电场达到临界场强直至发生碰撞电离时 ,温升不显著     

硅压阻式压力传感器温度系数 的在线实时补偿

在硅压阻式压力传感器与微机组成的数据采集系统中,利用软件编程很容易使传感器灵敏度及零位温度系数达到10~(-5)/℃数量级。文章分析了各种影响补偿精度的因素,除外部因素外,补偿精度受限于传感器本身的重复性及迟滞。此法简便易行,不需其他附加硬件的帮助。     

MIS结构界面参数的测量

本文在理论上和实验上发展了变温光电法,借助该法不仅可测量MIS结构器件的表面势垒高度,而且可测量其品质因数n值和界面态密度。该法已应用于比透明金属结构更重要的栅状电极的MIS结构器件中。文中给出实验样品的测试结果。     

宽度与取向变化的干涉条纹计数技术研究

干涉计量以它的高精度在生产实践中越来越被人们所重视。而所遇到的问题之一是干涉条纹(或莫尔条纹)的宽度和取向不一致,即有随机变化。例如平板玻璃厚度检测的干涉条纹就是如此。这使传统的电子学频率     

超长钨丝阵列锐化的研究

本文报告了玻璃介质钨丝阵列场发射阴极欧姆接触的三种制造方法，以及场发射尖端阵列的锐化工艺—提拉法和倒提拉法。同时给出了锐化结果的电镜照片。     

MINP结构光敏快速开关

本文报导了我们研制的金属-绝缘体-N/P结半导体(MINP)结构电流控制负阻光敏开关。这四层MINP结构的电流-电压曲线与可控硅的伏安特性相似,正向有两个阻抗状态:高阻态和低阻态。当所加正向电压低于器件的开启电压时,它处于高阻态(关     

用Logist方程产生白噪声

首先说明确定的非线性 L ogist方程可以发展成为混沌的过程。提出了由信号的统计特性和时频特性证明 L ogist迭代序列是平稳的随机过程的论点 ,并给出了当参数 λ=4时 ,所产生的信号的统计特性和时频特性与白噪声一致 ,说明了用 L o-gist方程可以产生白噪声。最后给出了白噪声发生器的软件和硬件实现原理图 ,并进一步提出采用两个 L ogist方程可以改善白噪声的性能。