两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究

详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺，制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106／cm2，硅锥曲率半径可做到20nm。     

超突变结变容管的模型研究

在改进的超突变结变管掺杂分布模型的基础上，对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究，并用二分法得到了通常实用范围的Ｖｂ，Ｎｏ数据表；同时用牛顿迭代法进行了数值求解，得出了归一化的Ｃ－Ｖ和Ｗ－Ｖ数据表。     

IGBT温度特性及其等效电路模拟

文章提出了一种基于子电路的IGBT模型，并对IGBT的温度特性进行模拟。用电压控制的可变电阻等效IGBT的宽基区调制电阻取得了很好的效果。用SPICE的LEVEL_8模型，确保模拟的精确性和收敛性。模拟结果表明，无论PT型还是NPT型IGBT，其温度系数均可正可负，纠正了一种普遍的观点称为PT型IGBT，其温度系数可正可负而NPT型IGBT，其温度系数只为正。模拟结果与实验对比符合较好。     

硅基场致发射光电探测器及硅锥阴极工艺研究

半导体硅锥的场致发射所具有的饱和特性可以用于制造一种新型的光电探测器,本文介绍了这种光电探测器的基本原理和构造,并对其光电阴极的核心部件——硅锥阴极的工艺进行了实验研究。     

二十一世纪的电子器件

一、概述 自80年代以来,以半导体为基础的微电子工业正在经历一场深远的根本的改变,以真空微电子学为代表的这场变革正取得十分迅猛的发展。至今,国际真空微电子学会议已召开七届,全国场致发射会议也召开了五届,愈来愈多的研究机构和学者投入到了真空微电子学的研     

Implementing wavelet transform with SAW elements

Wavelet transform not only has inherited and developed the partial idea of short-time Fourier transform, but also has overcome the shortcoming that the window of short-time Fourier does not vary with frequency. In order to clearly observe the variation of a signal with time, if this signal is of high frequency, and its period is short, short-time window should be adopted; if this signal is of low frequency, and its period is long, long-time window should be adopted. Therefore, wavelet transfor…     

用Logist方程产生白噪声

首先说明确定的非线性 L ogist方程可以发展成为混沌的过程。提出了由信号的统计特性和时频特性证明 L ogist迭代序列是平稳的随机过程的论点 ,并给出了当参数 λ=4时 ,所产生的信号的统计特性和时频特性与白噪声一致 ,说明了用 L o-gist方程可以产生白噪声。最后给出了白噪声发生器的软件和硬件实现原理图 ,并进一步提出采用两个 L ogist方程可以改善白噪声的性能。     

大面积碳纳米管薄膜的低温制备与表征

采用研制的大体积射频等离子体红外加热化学气相沉积设备,在600℃的低温下,在5cm×5cm大的Ni片上生长出碳纳米管薄膜。扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察显示,碳纳米管薄膜具有很好的均匀性,管径大约为70～90nm。随机地对样品的3个不同区域进行了场发射特性的测试,结果表明这种薄膜具有良好的场发射特性及一致性。开启电场约为2.4V/μm,在电场为6.6V/μm时的发射电流密度达到1635μA/cm2。实验结果表明在低温条件下,大面积生长场发射用碳纳米管薄膜是可行的。     

新型阴极粘贴技术制备三极CNT-FED的研究

利用催化剂高温分解在硅衬底上生长了碳纳米管薄膜阴极；采用丝网印刷工艺、高温烧结工艺以及低熔点玻璃封接技术，制作了三极结构的碳纳米管场致发射显示器器件．采用了新型的阴极粘贴技术来装配碳纳米管阴极。解决了硅片和封装玻璃之间热膨胀系数不一致的技术难题，实现了稳定可靠的整体器件高温封装，同时也避免了其他器件制作工艺对碳纳米管阴极的损伤，增强了阴极装配技术的适用性和灵活性．整体显示器具有良好的场致发射特性以及比较高的显示亮度．     

锥形体电阻数值计算中边界条件的处理

讨论了用微分方程数值解法计算锥体电阻时,不适当的侧面边界条件差分格式所引入的附加误差问题,通过对不同差分格式的理论分析及实际计算效果对比发现,在侧面边界上,如忽略轴对称疰一维问题与二维问题的差异,则所用边界条件的差分格式会引入明显的附加误差。