限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均匀度的研究

针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限流层,在其上制备CNT阴极薄膜.对CNT薄膜阴极的发射电流稳定性和均匀性进行了测试,给出了电阻限流层对场发射特性曲线的影响效果.SEM分析表明,氧化锌电阻层有利于消除CNT阴极的尖端屏蔽效应,并且使得CNT与衬底具有更加紧密的接触.场发射特性和场发射发光照片表明,虽然随着限流层厚度增加,阈值电压有所增加,发射电流有所减小,然而限流层的存在有效地改善了发射电流的稳定性,使得发射电流和场发射发光点分布更加均匀.     

提高碳纳米管阴极膜场发射特性的研究

通过研究多步印刷制备的多层碳纳米管(CNTs)厚膜的场发射性能,发现开启电场随印刷次数增加而增加,二次印刷膜具有最好的场发射特性。微观特性研究表明,两步印刷制作的CNTs膜在热处理后界面间形成了良好的匹配结构,且底层膜与基底接触面积增加,从而增加了膜层导电性和形成欧姆接触的几率,并且提高了平均场增强因子。四种不同成分的CNTs膜一致显示两步印刷显著提高了CNTs阴极膜的场发射电流及发光均匀性。     

催化剂颗粒对自持放电型碳纳米管气体传感器电极的影响

根据高电场作用下，气体的自持暗放电曲线不同区分气体的方法灵敏度高，不易产生交叉敏感，但是工作电压高，用催化热解法在硅基上生长出垂直于基底的碳纳米管阵列，利用碳纳米管的尖端效应，使得高电场集中在一个微小的区域内（纳米级），从而使得气体导电所需的工作电压大幅度下降，催化热解法生长出的碳纳米管顶端含有催化剂颗粒，当其紧密排列时，形成屏蔽层，减弱了碳纳米管的表面场强，这里，提出三步纯化法，去除了碳纳米管阵列顶端的催化剂颗粒，极大地增强了碳纳米管的表面场强。     

声表面波式小波变换阵列器件的延时补偿方案

针对声表面波式小波变换阵列中各个尺度器件之间时间不同步的问题,提出补偿输入和输出叉指换能器之间距离,实现时间同步的延时补偿方案.该方案利用了声表面波在晶体基片表面的延时特性,通过在声表面波器件内部进行延时补偿,确保了各个尺度器件在触发信号作用下具有相同的响应时间,避免了由于时间不同步造成阵列器件的小波变换输出结果具有不正确时频特性的问题,推导并给出了对阵列器件进行延时时间补偿的参数计算公式.最后,以一个具体声表面波式小波变换阵列器件的延时补偿为例,说明了该延时补偿方案的有效性.     

一种硅/二氧化硅双层微悬臂梁温度传感器

利用IC工艺和微机械加工技术制作了一种硅／二氧化硅双层微悬臂梁温度传感器。基于硅和二氧化硅两种材料热膨胀系数的差异，不同温度下梁的挠度不同，其形变可通过位于梁根部的压敏电桥检测。理论计算和实验结果表明：压敏电桥输出电压与温度成线性关系。对器件结构进行了优化设计，实验探索了提高传感器测量重复性的时效处理工艺。该温度传感器可用于瞬态温度的测量。     

使用分子动学方法研究碳纳米管的力学性质

用分子动力学理论对单壁碳纳米管的机械性质进行了计算和分析，通过对直径为1.2nm，长度为4.7nm的拓扑结构为扶手椅形式的单壁碳纳米管进行分子动力学计算，得出其杨氏模量为3.62TPa，拉伸强度为9.6GPa。从计算结果可以看出，单壁碳纳米管的杨氏模量和拉伸强度很高，比普通金属材料大1-2个数量级，这说明碳纳米管是一种机械性能非常优良的材料。     

碳纳米管杨氏模量的模拟计算

使用分子动力学和 Tersoff-brenner 多体势,模拟计算单壁碳纳米管的杨氏模量。所计算的单壁碳纳米管的杨氏模量的平均值为704.5 GPa,计算结果与实验值吻合。     

碳纳米管场发射显示屏发光规律研究

通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器试验性样管。比较测试可知,直接测量显示屏的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。通过光亮度与电压、电流、功率的关系曲线比较分析可知,用光亮度与电流成线性关系的结论表征碳纳米管场发射显示屏的性能比用电压更合理,更利于器件的分析和设计。     

织物与服装产品纳米抗紫外整理技术的应用研究

论述将纳米复合材料通过浸渍涂层的方法整理到棉织物及服装产品上,使其具有抗紫外线性能。对纳米粒子进行特性与表征分析,探讨如何将纳米粒子整理到织物及服装产品上的方案。对不同种类的织物及服装产品进行对比试验,运用遮蔽率指标及相应的测试手段对整理后的织物、服装产品进行了分析测试。并对整理后织物、服装抗紫外线的耐洗牢度进行分析评价。     

全自对准槽栅IGBT设计

本文设计了一种全自对准的楷栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构，其工艺简单，全套工艺只有两块光刻版，且两次光刻之间没有套刻关系，避免了套刻误差，提高了工艺成品率。同时，降低了制版费用和制造成本。我们设计了一种独特的IGBT多重沟道短路结构，有效地防止器件闩锁。用氧化层硬掩模和先进的硅化物工艺实现全自对准的多晶硅反刻和金属连接，可使元胞尺寸缩小到2μm甚至更小；增加了IGBT芯片单位面积的元胞密度和沟道宽度，提高了电流。用砷(As)掺杂代替磷(P)，可有效提高源区表面浓度，实现浅结工艺。