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41.
基于模拟退火机制的多种群并行遗传算法   总被引:37,自引:1,他引:37  
模拟退火和多种群并行遗传进化是两种较好的改进遗传算法性能的方法 .将这两种思想有机地结合起来 ,提出了一种基于模拟退火机制的多种群并行遗传算法 .仿真结果表明 ,该算法不仅能增强算法的全局收敛性 ,还能加快遗传进化速度 ,得到满意的全局最优值 .  相似文献   
42.
43.
真空微电子磁敏传感器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
王海笑  朱长纯 《电子器件》1994,17(3):116-119
本文介绍了真空微电子磁敏传感器的原理,并用计算机模拟了器件的内部电场分布,电子飞行轨迹等多数,证明了这是一种具有很高灵敏度的新型器件。  相似文献   
44.
三极结构场致发射显示器件的制作   总被引:11,自引:10,他引:1  
利用钙钠玻璃作为阴极和阳极面板,并采用低熔点玻璃粉进行高温烧结,制作了三极管型的碳纳米管阴极场致发射平板显示器件样品。高效的烧结排气工艺提高了器件的制作成功率,避免了碳纳米管阴极和阳极荧光粉的损伤。改进的消气剂装配确保了器件的良好密封性能。整体显示器件具有高的显示亮度和低的制作成本。  相似文献   
45.
46.
三级碳纳米管场发射显示屏的制作研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题,在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。  相似文献   
47.
王颖  朱长纯  宋忠孝  刘君华 《半导体学报》2004,25(12):1634-1638
采用磁控溅射法在n型〈111〉晶向的Si衬底上形成了Zr-Si-N薄膜及Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统.将Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统样品分别在真空及H2/N2(体积比为1∶9)气氛中800℃退火1h.对Zr-Si-N薄膜和退火后的金属化系统样品进行X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、薄层电阻率及俄歇电子能谱测试与分析.结果表明,Zr-Si-N阻挡层是以ZrN晶体与非晶相Si3N4或其他Si-N化合物的复合结构形式存在.经过两种气氛退火后的样品均没有发生阻挡层失效,但与真空退火相比,H2/N2退火气氛由于不存在残余O2的作用而表现出较低的Cu膜薄层电阻率及较好的Cu/Zr-Si-N/Si界面状态.  相似文献   
48.
离心机臂的摆振及其对振动台振动的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在振动离心复合环境下由于振动台激振力及弹簧弹性力的作用导致离心机臂摆振。本文分析了离心机臂的摆振特性及其对振动台振动的影响 ,并进行了相应的建模和仿真。研究和仿真结果表明 :在振动离心复合环境下离心机臂偏离平衡位置主要由共振引起 ,在低频段影响很大 ;共振点随试件、夹具及电枢质量的降低向高频方向移动 ;随离心机转动角速度的增加向高频方向移动  相似文献   
49.
碳纳米管场致发射特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
详细论述了碳纳米管的场致发射特性,包括开启电场、阈值电场、发射电流密度、发射电流的稳定性及场发射电子能量分布等;阐述了场发射的机制;分析了发射特性与其几何结构、吸附态及尖端缺陷等因素的关系;并简要介绍了碳纳米管场发射特性在平板显示领域中的实际应用。  相似文献   
50.
宽带隙半导体材料金刚石的负电子亲合势特性使其在电子场发射应用方面备受瞩目。材料的功函数对其热电子发射或场电子发射都有决定性的影响,本从热电子发射的角度出发,对钨基金刚石薄膜阴极有效功函数进行了测量,章阐述了实验方法,装置及结果,测得金刚石涂层阴极的有效功函数为0.70eV,并对实验结果进行了理论分析。  相似文献   
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