氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善

高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔。以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标，研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。在适当的热处理温度和冷却条件下，观测到二极管反向漏电流的显著改善，部分样品漏电流可降低3个数量级。     

消除CCD不良背景的工艺研究

对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件.测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制.     

双2×46 CCD红外信号处理器

双2×46 CCD 红外信号处理器主要用于8×2元 HgCdTe 红外探测器的信号预处理,理论上它能使系统的信噪比提高21/2倍.详细介绍了双2×46 CCD红外信号处理器的理论设计及制作,给出了工艺流程及器件的测试结果.     

4×128元HgCdTe红外焦平面TDI CCD信号处理器件

采用三相埋沟结构，设计并研制成功用于高背景下红外探测器的高灵敏度4×128元TDICCD信号处理器件。器件转移效率99．99％，动态范围60dB，时钟频率10MHz。文章详细阐述该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。     

512×512元高帧速可见光CCD

CCD具有低响应非线性、宽光谱响应、低噪声、高动态范围和测光精度,已被广泛应用于许多成像领域.本文介绍了利用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制的16抽头512×512元高帧速可见光CCD.测试结果表明,该器件具有高的光响应均匀性、高动态范围和低噪声,并已成功应用于高分辨率高速成像.     

黑硅微结构与光学特性研究

利用无掩模反应离子刻蚀法制备黑硅,研究了黑硅微结构密度和高度对其光学特性的影响.采用场发射扫描电子显微镜和带积分球的紫外-可见-近红外分光光度计分别表征黑硅微结构形貌和光学特性.研究结果表明,黑硅微结构密度增大和高度增加,则黑硅吸收率增大,高度较大的微结构更加有利于增强黑硅近红外光吸收.无掩模反应离子刻蚀法制备的黑硅的吸收率在高温退火过程中保持稳定.     

黑硅无掩模反应离子刻蚀法制备及光学性能研究

采用无掩模反应离子刻蚀法制备了黑硅.利用扫描电子显微镜及紫外-可见-近红外分光光度计研究了黑硅的微结构和光学特性.结果表明,黑硅微结构高度为2.0～3.5 μm,径向尺寸90～400 nm,间距200～610 nm.在400～1 000 nm光谱范围内黑硅吸收率为94％,是单晶硅的1.5倍;在1 200～1 700 nm光谱范围吸收率为55％～60％,是B掺杂单晶硅的20倍.制备的黑硅的光学带隙为0.600 6 eV,吸收光谱明显向红外方向偏移.     

浮胶引起的缺陷对CCD成像的影响分析

针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCOS、地和沟阻工艺中产生的浮胶是CCD成像黑缺陷的主要来源。在制作多晶硅栅过程中,光刻浮胶可产生成像黑缺陷或导致信号电荷转移问题。最后,提出了减少光刻工艺产生浮胶的方法。     

HgCdTe红外焦平面用1×288 CCD读出电路

设计和研制了一种采用多晶硅交叠栅结构的1×288红外信号处理器读出电路.制作中采用了多重吸杂技术和大剂量离子注入技术,提高了电路的信号处理能力,降低了信号噪声.该电路具有分割、抗晕、背景撇出功能.其功耗小于等于50 mW,动态范围大于等于60 dB,转移效率大于等于99.99%.详细介绍了这种1×288红外读出电路的理论设计和研制方法,给出了工艺流程及器件的测试方法.     

柯尔克夏克河防洪治理方案研究

本文针对柯尔克夏克河现状岸坡存在的河道狭窄,河沟深浅不一,堤防现状破旧,坡体滑塌,防洪能力薄弱等问题,制定了整治方案。通过对河床的冲刷深度计算、衬砌厚度及抗冻胀结构设计计算,根据河段两岸现状条件,提出矩形断面、梯形断面护坡及护岸断面形式。按照河段的具体条件,采用雷诺护垫、咬合式花砖护坡、混凝土板防冲衬砌或混凝土直墙等不同护坡、护岸衬砌结构。设计成果可对其他地区的护岸设计提供参考。