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激光制备多层薄膜及铁电性能的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
利用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法,在Si基片上制备了BIT/Si〔100〕、PZT/BIT/Si〔100〕和BIT/PZT/BIT/Si〔100〕铁电薄膜。用XRD分析了多层铁电薄膜的晶相结构;用Sawyer-Tower电路研究了这些单层和多层铁电薄膜的铁电性能。结果表明,单层BIT的矫顽场Ec为4kV/cm,剩余极化强度为3.4μC/cm2;PZT/BIT的矫顽场Ec为82kV/cm,剩余极化强度Pr为36μC/cm2;BIT/PZT/BIT夹层铁电薄膜的矫顽场Ec为57kV/cm,剩余极化强度Pr为29μC/cm2。最后讨论了薄膜的铁电性能与多层结构的关系 相似文献
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Mn掺杂BST薄膜的制备与表征 总被引:10,自引:1,他引:9
采用醋酸水溶液体系溶胶-凝胶法制备了未掺杂和掺Mn(II)钛酸锶钡(BST)薄膜。用这种方法。可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离子,并可在室温下长期保存,根据X-射线衍射图(XRD)和表面形貌,薄膜的晶化温度取为650-750℃,根据掺Mn BST的Mn2p3/2X-射线光电子能谱(XPS)图中Mn2p3/2的峰位置,显示出薄膜中Mn的价态与加入Mn(II)离子价态相同,根据结合能的峰移,可以得到掺Mn BST的费密能级降低0.7eV.I-V特性和介电特性测试表明,掺Mn(II)BST的漏电流明显降低,相对的介电常数增加,损耗角正切降低0.01,根据漏电性质,介电常数和损耗的关系,2%(摩尔分数)的Mn掺杂的BST薄膜适合于低频小信号(2V以下,约500kHz)应用,而高浓度的Mn掺杂适合于大信号较高频率(1MHz以上)应用。 相似文献
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本文探讨了总结合能Λ′、结合能(升华能)Λ和有效结合能Λeff,与扫描隧道显微镜(STM)场蒸发的关系。计算表明,随着探针样品间距d减小,Λeff迅速减小,而Λ′不断增加。相应地采用Λeff计算的蒸发场强随着d减小而迅速减小,且能给出与实验相吻合的结果。而采用Λ′计算的蒸发场强随着d减小会出现一个峰值,该峰值超过当d为无穷大时的蒸发场强,明显与实验矛盾。当使用Λ时,蒸发场强随着d减小变化缓慢,而且高出实验测量值几倍。本文认为在STM场蒸发中真正起作用的是有效结合能Λeff。 相似文献
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用添加晶种的方法制备了掺钕钛酸铋(BNT)铁电陶瓷靶材。通过XRD及SEM研究了烧结工艺对铁电陶瓷BNT晶相结构的影响,用RT66型铁电测试仪测定铁电材料BNT的电滞回线。结果表明,采用在800℃预烧、保温2h,1100℃烧结、保温12h的烧成工艺,所得的BNT铁电陶瓷具有良好的c轴取向,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在应用电压为5V,测试频率为1MHz下,BNT铁电陶瓷的剩余极化强度(Pr)及矫顽场强(Ec)可分别达到2.2×10–6C/cm2和5×103V/cm。 相似文献
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本文探讨了总结合能Λ′、结合能(升华能)Λ和有效结合能Λeff,与扫描隧道显微镜(STM)场蒸发的关系.计算表明,随着探针样品间距d减小,Λeff迅速减小,而Λ′不断增加.相应地采用Λeff计算的蒸发场强随着d减小而迅速减小,且能给出与实验相吻合的结果.而采用Λ′计算的蒸发场强随着d减小会出现一个峰值,该峰值超过当d为无穷大时的蒸发场强,明显与实验矛盾.当使用Λ时,蒸发场强随着d减小变化缓慢,而且高出实验测量值几倍.本文认为在STM场蒸发中真正起作用的是有效结合能Λeff. 相似文献
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采用铌掺杂的方法制备钛酸锶(STO)粉末,烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压(I-V)特性和介电特性测试表明,多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能,其介电常数很大,有良好的介电温度系数和频率系数,介电损耗小,压敏电压低,非线性系数大。全面给出了压敏电阻的9项指标,并与文献中的数值进行了比较。eεff高达(4~9)×105,具有良好的介电温度系数(|αs|<0.3%)、频率系数(fr<12%)和电压温度系数(|k|=0.2%);介电损耗小(tanδ<1%);非线性系数大(α=4~10);电流密度为1 mA时的场强(E1 mA)值很低(0.3~2.9 V/mm);电压系数小于10%。 相似文献
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准分子激光制备多层铁电薄膜的C—V特性研究 总被引:3,自引:2,他引:1
采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜,采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。 相似文献
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准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜 总被引:2,自引:1,他引:1
利用脉冲准分子激光(工作气体XeCl,波长308nm,脉宽28ns)在外延YBCO/LaAlO3(100)单晶基片上淀积了Pb(Zr0.55Ti0.45)O3铁电薄膜,YBCO薄膜既为生长高取向PZT薄膜提供了晶体匹配条件,同时也为PZT铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用X射线衍射表征了该多层膜的晶相结构,扫描电镜观察其表面形貌。PZT铁电薄膜的剩余极化为21μC/cm2,矫顽场为65kV/cm。 相似文献