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铁电180°畴结构在超声波作用下将被诱导出铁电畴层波。在平行于畴壁的两个表面上,铁电畴层波电势数值不相等,在两表面之间有电势差,它提供了一个电动势。这个现象在超声控制和声电转换方面是有价值的 相似文献
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多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压 总被引:1,自引:1,他引:0
利用准分子激光在p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜BIT/PZT/BIT、PZT/BIT和BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压,其中Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的ΔVb最小而Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb最大,但Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的ΔVb与Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb相差不多。Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的I-V特性曲线非对称的整流特性和P-V回线的刻印失效是最小的而Au/BIT/p-Si(100)的则是最大的。 相似文献
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在180°畴超格子中的铁电畴层波对能带的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
铁电180°畴超格子在超声波的作用下将被诱导出铁电畴层波,在这个波的作用下,存在许多新现象,其特征归纳为一个元激发“畴子”。本文研究了在180°畴超格子中导带和价带中的载流子与畴子的相互作用,这样一种相互作用将在导带和价带形成子能带,同时改变电子或空穴分布,从而影响铁电体的电导率。 相似文献
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利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。 相似文献
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多层结构铁电薄膜的I—V特性性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为FRAM、FFET和FDM的实际应用研究,提出了多层结构铁电薄膜的设计思想,实际制备了M/BIT/p-Si、M/PZT/BIT/p-Si、M/BIT/PZT/BIT/p-Si三种结构铁电薄膜,并测量了它们的I-V特性曲线。结果表明,夹层结构铁电薄膜M/BIT/PZT/BIT/p-Si漏电流密度J最小,在500nm厚时J+(+3V)约2.8×10-10A/mm2,J-(-3V)约1.2×10-12A/mm2优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。 相似文献
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铁电180°畴结构在超声波作用下将被诱导出沿畴壁传播的铁电畴层波,其应变场导致了构成铁电180°畴结构的晶体的弹光效应,畴结构的光率体发生了改变,晶体的主折射率和双折射率受到激发铁电畴层波的超声波的调制,这一现象在声光控制和超声检测方面有应用价值。 相似文献
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在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降 总被引:1,自引:1,他引:0
利用准分子激光原位淀积制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,建立了一条修正的经验幂定律I=A(ξV)^a和一个层状铁电流密度-电压(I-V)曲线的近似公式,它包括了非线性系数a和界面电位降特征参数ξ。由修正的经验幂定律和I-V曲线近似公式算出的界面电位降Vi与由C-V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容,薄膜电容及耗尽层电容有关。 相似文献