铁电畴层波的伏特效应

铁电１８０°畴结构在超声波作用下将被诱导出铁电畴层波。在平行于畴壁的两个表面上，铁电畴层波电势数值不相等，在两表面之间有电势差，它提供了一个电动势。这个现象在超声控制和声电转换方面是有价值的     

多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压

利用准分子激光在p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜BIT／PZT／BIT、PZT／BIT和BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压，其中Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si（100）的ΔVb最小而Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb最大，但Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的ΔVb与Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb相差不多。Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的I－V特性曲线非对称的整流特性和P－V回线的刻印失效是最小的而Au/BIT/p-Si(100)的则是最大的。     

大功率CO_2激光器合成新型钨酸铝热敏材料的研究

本文采用激光烧结新工艺合成了Al_2O_3-WO_3系负温度系数(NTC)热敏陶瓷材料。该材料在一定温区及组成下阻温关系呈线性变化,分析表明,材料中的导电相为非平衡相铝钨青铜Al_xWO_3。     

在180°畴超格子中的铁电畴层波对能带的影响

铁电180°畴超格子在超声波的作用下将被诱导出铁电畴层波,在这个波的作用下,存在许多新现象,其特征归纳为一个元激发“畴子”。本文研究了在180°畴超格子中导带和价带中的载流子与畴子的相互作用,这样一种相互作用将在导带和价带形成子能带,同时改变电子或空穴分布,从而影响铁电体的电导率。     

准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体管

讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题。用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅薄膜进行了诱导晶化处理 ,成功制备了多晶硅薄膜晶体管 ,获得最大场效应迁移率为 1 4.5cm2 /V· s,亚阈值斜率为 1 .9V/dec,开关电流比为 1 .0× 1 0 6的器件性能。     

Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，获得了电流密度－电压（I－V）回线和极化强度P－V电滞回线。在这三种结构中，Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100）结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系，他们与I－V回线及P－V回线的关系相匹配，这种匹配关系使得以I－V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。     

多层结构铁电薄膜的I—V特性性能的研究

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。     

层状结构铁电薄膜中频率对界面电位降的影响

利用准分子激光原位沉积方法制备了层状结构铁电薄膜,借助HP4192A低频率阻抗分析仪对样品的C－V特性进行了测试,对同一频率下不同结构的铁电薄膜的界面电压降及不同频率下同一结构的铁电薄膜的界面电压降进行计算。结果表明,在同一频率下不同结构的铁电薄膜其界面电压降不同,同一结构的多层铁电薄膜在不同频度下其界面电压降也不同。不同的耗尽层厚度导致了界面电压降的不同。     

铁电畴层波的弹光效应

铁电１８０°畴结构在超声波作用下将被诱导出沿畴壁传播的铁电畴层波，其应变场导致了构成铁电１８０°畴结构的晶体的弹光效应，畴结构的光率体发生了改变，晶体的主折射率和双折射率受到激发铁电畴层波的超声波的调制，这一现象在声光控制和超声检测方面有应用价值。     

在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降

利用准分子激光原位淀积制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，建立了一条修正的经验幂定律I＝A（ξV）^a和一个层状铁电流密度－电压（I－V）曲线的近似公式，它包括了非线性系数a和界面电位降特征参数ξ。由修正的经验幂定律和I－V曲线近似公式算出的界面电位降Vi与由C－V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容，薄膜电容及耗尽层电容有关。