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基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6Li(n, α)3H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6LiF膜厚。在10~600 V反向偏压下,漏电流维持在6.4 nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。 相似文献
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为了更精确地计算接地网的接地参数,需要采用水平多层土壤模型。运用复镜像法求得水平分层土壤中点电流源的格林函数的数值解,然后泳边界元法计算了不同土壤模型中的接地参数,与国外学者的计算结果进行了比较,结果较为吻合。 相似文献
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针对三相Vienna整流器中电压矢量选择少,不能同时满足交流电流和中点电位调节需求的问题,提出了一种优先调节交流电流,兼顾调节中点电位的新型开关表设计方法。首先,分析并确定了每个电流扇区的8个电压矢量对交流电流的dq分量(id、iq)、上下电容电压差的影响;然后,根据上述分析结论,在开关表的设计中,利用对交流电流影响相同,对中点电位影响相反的一对冗余小矢量代替了传统开关表中对应调节目标的电压矢量,在保持交流电流调节能力的前提下提高了中点电位的调节能力;最后借助仿真和实验平台验证了该新型开关表的有效性,结果表明设计的新型开关表具有良好的交流电流和中点电位调节能力。 相似文献
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穿越隧道管道跨度较大,受力情况复杂,敷设方式不当很容易导致管道失效。基于非线性有限元方法,建立了穿越隧道管道有限元模型,使用管单元模拟管道,非线性土弹簧模拟管土相互作用。参考实际工程数据,考虑了温度和内压组合荷载的作用,对比计算了不同敷设方式、回填土性质和滑动支撑间距等参数下的管道应力及位移,通过分析得到:直埋敷设能更好地保证管道的安全运行,该敷设条件下管道优先选择用黏土回填并进行夯实;若采用支墩敷设的方式,滑动支撑的间隔应取20 m左右,并且对弯管处管道壁厚进行加厚。研究结果可为穿越隧道管道的敷设设计提供一定的参考。 相似文献
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