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991.
容迟容断移动传感器网络DTMSN(delay/disruption tolerant mobile sensor network)用于广泛的数据收集,在DTMSN动态变化的网络环境中传统传感器网络的路由策略不再适用.提出了一种基于节点活跃性的路由策略ABR(activity-based routing),其出发点为:网... 相似文献
992.
993.
994.
995.
背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32?32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能。结果表明,温度高于220K时吸收层材料热激活能为0.443eV,300K时在所考虑的偏压范围内,暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成。对组件焦平面特性也进行了研究,并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容,在测试温度范围内约为10fF左右。 相似文献
996.
长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数 总被引:1,自引:0,他引:1
通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的“长波弱P”型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析,获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数,计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析. 相似文献
997.
制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应光谱,测得峰值响应在入射光波长为260 nm处,响应电压高达129.6 mV(此时辐射功率为39.8 nW)。器件响应机理为:紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收,产生光生载流子并复合生热,热量通过AlGaN材料传导给PVDF结构的电极,温度升高,PVDF对温度变化产生响应。为了进一步验证,制作了对比器件,即在AlGaN结构和PVDF结构之间加了一层多孔SiO2隔热层,测得的响应光谱中有两个峰值,一个在260 nm,另外一个在300 nm。与参考器件相比,在260 nm处的响应电压大大减小,说明了利用热效应探测的可行性。另外,测量了不同频率下的器件响应并对其进行理论拟合,深入研究300 nm处的响应机理。 相似文献
998.
999.
1000.
采用共沉淀法制备了LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2的前驱体,把真空干燥的前驱体置于空气气氛下的马弗炉中,分别控制温度为850℃,900℃,950℃,对该前驱体进行煅烧。对所得样品进行XRD、SEM表征、电性能测试,根据XRD图、SEM图和充放电循环曲线,探讨了不同煅烧温度对产物的影响,并分析了Li2MnO3固溶体杂相生成的原因和在充放电过程可能发生的变化,最后得到900℃下煅烧的材料形貌和电化学性能最佳的结论。 相似文献