医用诊断X线工作者外周血淋巴细胞染色体畸变率和微核率的关系

本文报道了医用诊断 X 线工作者和非 X 线专业的医务工作者外周血淋巴细胞染色体畸变率和微核率的关系,经统计处理测得相关系数,表明两者无显著相关性。并对不相关的可能原因,进行了初步探讨。     

迭代扩张状态观测器及其在迭代学习控制中的应用

针对一类迭代学习控制(ILC)系统的不确定项,根据时域中扩张状态观测器的思想,提出迭代域中线性迭代扩张状态观测器(LIESO),该线性迭代扩张状态观测器可以利用迭代过程的跟踪误差给出迭代学习控制系统的不确定项的显式估计。给出了基于该估计的迭代学习控制算法,并应用类Lyapunov方法证明其收敛性。仿真结果表明,所提出的迭代学习控制算法是有效的,应用迭代扩张状态观测器可以大幅度提高迭代学习效率。     

嵌入式网络视频监控系统的硬件设计与实现

为了建立具有自主知识产权的第三代网络视频监控系统,本论文介绍了国内外视频监控系统的发展现状。通过比较第三代网络视频监控系统与第二代网络视频监控系统的异同,指出第三代网络视频监控系统的优缺点。通过研究faraday提供的网络视频监控系统的解决方案,给出了基于嵌入式技术的网络视频监控系统的详细硬件结构与框图。     

基于“四课堂联动”模式的计算机专业学生职业核心能力培养

学生职业核心能力的培养是当前高职院校内涵建设的必然要求,也是学生竞争力的内在体现。文章结合计算机类学生的培养目标,通过"四课堂联动"培养模式的构建,借助Iteam学生技能培训与创业孵化基地平台的推进,建立基于学生职业核心能力的评价体系,提出一系列的培养保障措施,探讨提高学生职业核心能力的有效途径。     

HgCdTe轴温探测器噪声的温度特性研究

针对HgCdTe列车轴温探测器,通过测量不同温度下其噪声功率谱的变化,研究了温度对器件噪声的影响。实验结果表明：在-30-20℃范围内,当温度降低时,探测器噪声显著增加,最大增幅分别达到2．7倍（偏流为1mA时）和3．6倍（偏流为2mA时）。经过理论分析发现,探测器热噪声对总噪声的贡献很小,温度变化的主要影响是器件的产生一复合噪声和1／f噪声。     

沙角C电厂计算机KRA管理的实现方法

借鉴国内外先进的管理经验，结合沙角C电厂的实际情况，提出了KRA(关键结果区域)管理的思想和方法。运用计算机技术对KRA进行流程控制和信息发布：(1)通过数据挖掘技术从其它数据库中提取关键指标数据，实现信息共享和再利用；(2)与内部电子邮件系统、办公软件协同实现KRA管理；(3)借助Java丰富的界面表现手法实现多种查询和图表输出。     

具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器的制备及特性研究

通过湿法腐蚀工艺成功制备了具有绝热结构的锰钴镍氧(MCNO)热敏电阻探测器.测试表明,绝热结构使得热敏探测器的热导大幅降低,在真空环境下仅为没有绝热结构器件的1/20,典型热导率值为1.37 mW/K.通过V-I测试并结合理论曲线拟合发现,MCNO薄膜材料的热导率随温度增高而减小.绝热结构使得MCNO热敏探测器的响应率大幅提高,在30 Hz调制频率、36V偏置电压下,响应率典型值为50.5 V/W,是没有绝热结构器件的10倍.实验验证了在MCNO薄膜材料上制作绝热结构热敏探测器的可能性,为制作新型室温全波段高性能红外探测器奠定了基础.     

1 024×1 024 AlGaN紫外焦平面读出电路的超低功耗设计

提出了一种新型的超低功耗读出电路用于18 μm中心距1 024×1 024面阵规模的AlGaN紫外焦平面。为了实现低功耗设计紫外焦平面读出电路,采用了三种设计方法,包括:电容反馈跨阻放大器CTIA结构采用工作在亚阈值区的单端输入运算放大器,列像素源随缓冲器和电平移位电路共用同一个电流源负载以及列级缓冲器的分时尾电流源设计。由于像素单元内CTIA采用了单端输入运算放大器,在3.3 V供电电压下,每个像素单元最小工作电流仅8.5 nA。该读出电路设计了可调偏置电流电路使读出电路能得到更好的性能并基于SMIC 0.18 μm 1P6M混合信号工艺平台进行了设计制造。测试结果表明:由于采用了上述设计方法,整个芯片的功耗在2 MHz时钟8路输出模式下仅67.3 mW。     

基于15位像素级模数转换器的640×512规格中波红外成像用48 mW数字读出电路

提出了一种用于中波红外成像的基于15位像素级单斜率模数转换器的低功耗数字读出电路。像素级模数转换器采用一种新型功耗自适应的脉冲输出型比较器,只有当斜坡电压信号接近积分电压时,比较器才产生功耗。此外,比较器输出脉冲信号,降低了15位量化结果存储器上消耗的动态功耗。该存储器采用三管动态结构,仅占约54 μm²面积,以满足15 μm像素中心距的面积约束。量化结果以电流模式读出到列级,避免相邻列总线间的电压串扰。基于0.18 μm CMOS工艺,采用该结构,设计并制造了640×512 规格的数字读出电路。测试结果表明,在120 Hz的帧频下,功耗仅为48 mW,总积分电容为740 fF,电荷处理能力为8.8 Me^-。在满阱状态,等效到积分电容的噪声电压为116 μV,峰值信噪比为84 dB。