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41.
李墨 《中国新技术新产品》2009,(13):29-29
本文阐述了ME300b单片机开发系统与PC机COM串口间的通信方法。该方法通过汇编语言指令对单片机、PC机底层硬件的访问,分别以查询方式和中断方式实现了异步串行通信。 相似文献
42.
面对第三代红外探测器对多波段探测的需求,中/中波双色同时获取两个波段的目标信息,对复杂的背景进行抑制,可以有效排除干扰源的影响,提高了探测的准确性,增强了在人工及复杂背景干扰下的目标识别能力,因此中/中波双色探测器设计和制备最近快速发展起来。锑化铟红外探测器通过分光可实现两个中波波段的探测,锑化物Ⅱ类超晶格探测器通过能带结构设计实现多波段探测。本文阐述了锑化物中/中波双色红外探测器的主要技术路线和目前研究进展,与传统InSb双色探测器相比,中/中波双色超晶格红外器件用于红外成像探测具有鲜明的特点和优势,但需要在探测器结构设计、锑化物超晶格材料生长、阵列器件制备等方面进行进一步研究,以提高探测性能,满足工程化应用需求。 相似文献
43.
在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并对其电性能进行测量分析,研究发现:77 K温度时,在-0.1 V的外偏电压下,p+-p+-n--n+结构和p+-n--n+结构InAlSb器件的反偏电流分别为3.410-6 Acm-2和7.810-6 Acm-2。基于p+-p+-n--n+结构研制的InAlSb二极管的暗电流保持在一个很低的水平,这为提高红外探测器的工作温度提供了重要基础。 相似文献
44.
采用分子束外延生长方法在InSb (100)衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的In1-xAlxSb外延层。运用X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,InAlSb外延层的半峰宽为0.05,表明外延材料的单晶性能良好,并通过布拉格方程和维戈定律计算出Al组分为2.5%。然后将外延材料制备成多元红外探测并测得77~210 K下的光谱响应曲线,实验发现探测器的截止波长从77 K时的4.48 m增加至210 K时的4.95 m。通过数据拟合得出In0.975Al0.025Sb禁带宽度的Varshni关系式以及其参数Eg(0)、和的值分别为0.238 6 eV,2.8710-4 eV/K,166.9 K。经I-V测试发现,在110 K,-0.1 V偏压下,器件的暗电流密度低至1.0910-5 A/cm-2,阻抗为1.40104 cm2,相当于77 K下InSb探测器的性能。同时分析了温度对器件不同类型的暗电流的影响程度,并得到器件的扩散电流与产生-复合电流的转变温度约为120 K。 相似文献
45.
46.
小像元是InSb红外焦平面器件制备的发展方向之一,但其会对器件的光电流响应和串音产生很大影响。因此使用Sentaurus TCAD软件建立了小像元InSb红外焦平面阵列器件的台面结器件模型、平面结器件模型和外延结构器件模型,采用背照射的3个像素单元的InSb阵列器件仿真了3种器件结构的光电流响应和串音。结果表明,台面结器件和平面结器件可以通过减小器件厚度和增加结深的方法来增加光电流响应和减少串音;外延结构器件可以通过增加吸收层厚度和选择合适的掺杂浓度来改善光电流响应和串音。综合考虑工艺难度影响,对小像元InSb红外焦平面阵列器件,建议采用深离子注入的平面结结构和采用分子束外延制备的厚度和掺杂浓度可控的外延结构。 相似文献
47.
48.
49.
铝盐作为净水材料被长期使用,但随着科学的发展,人们认识到铝可对人体产生慢性毒性,因此需加强对水体中铝的检测.筛选最佳石墨炉原子吸收分析条件对生活水中铝含量进行测定.结果显示:选择质量分数为0.1%的硝酸镁为基体改进剂;三步干燥温度分别为90℃、105℃和110℃;最佳灰化温度和最佳原子化温度为1300℃和2400℃.该法在0~100.0μg/L浓度范围内线性良好,相关系数r=0.9999,回收率95.85%~101.63%,测试出方法检测限为3.315μg/L,最低检出质量浓度为13.26μg/L.该方法结果符合要求,操作简便、快速、准确、干扰小、检出限低,适用于生活水中铝含量的测定. 相似文献
50.
为提高井下的安全性,设计了一种基于CC2430的ZigBee无线传感器网络矿井安全监测系统,提出了RAPIT定位算法来解决定位精度问题.结果表明,此方案完全满足井下安全监测和人员定位的要求.对比传统的总线式传输和RFID定位,具有安全可靠、成本低廉、布置简便以及定位更准等优势. 相似文献