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超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏(GIDL)电流指数增强,本文报道N2O中退火SiO2(两步法)生成超薄(5.5nm)氮氧化硅(SiOxNy)栅NMOSFET中的GIDL效应,包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响.发现GIDL在一定的偏置下成为主要的泄漏机制,且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用.二维器件模拟结果指出,与SiO2栅NMOSFET相比,LDD掺杂结构使SiOxNy栅NMOSFET的GIDL进一步增强. 相似文献
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根据理论研究和国际半导体技术发展路线图(ITRS),传统的硅基CMOS正在接近其极限.为了使微电子技术得以继续发展,最近提出了许多基于多种不同机制的新兴器件,它们可能作为下一代的微电子技术的支柱.但是,作为经典的、二能级开关,这些新兴器件也都受到量子力学和热力学的限制.为了克服这两个基本限制,更大的提高ULSI系统的性能,需要发展功能比二值开关更高的器件或者提出新型的、不同于传统的信息处理系统模型.本文将从器件功耗延迟积的角度来讨论这个问题. 相似文献
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智能客户端为了支持离线运行,需要在本地缓存业务数据,对这部分数据的保护是构建客户端安全体系的一个重要方面。文章分析了智能客户端本地数据的安全需求及实现方法,并提出了应用DPAPI加密的解决方案。该方案具有安全性强、简单高效的特点,在实际应用中取得了较好的效果。 相似文献
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用高频感应石墨条作为红外辐射热源,对淀积在二氧化硅衬底上的多晶硅进行了区熔再结晶.再结晶后硅膜晶粒宽度可达几百微米甚至几毫米以上,长度可在区熔扫描方向延伸到样品尺度.在晶粒中存在大量间隔约10-50μm的亚晶界.采用热沉技术及多晶硅膜厚调制技术对亚晶界进行了定域限制,达到了非常好的效果.TEM分析表明再结晶后硅膜呈[100]晶向.SEM观察表明再结晶后样品具有平整的表面及界面.Raman谱测量表明区熔再结晶后硅膜中张应力很小,约为0.9×10~9 dyne/cm~2. 相似文献
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本文针对CB-FA40齿轮泵采用三层复合材料轴承代替20高锡滑动轴承的可行性进行试验台试验,并用铁谱技术对轴承磨损状况进行检测。结果表明,三层复合材料轴承在承压能力、温度变化、使用寿命等方面,都大大优于20高锡滑动轴承。 相似文献