全文获取类型
收费全文 | 45篇 |
免费 | 0篇 |
国内免费 | 166篇 |
专业分类
电工技术 | 3篇 |
金属工艺 | 2篇 |
无线电 | 195篇 |
一般工业技术 | 11篇 |
出版年
2021年 | 2篇 |
2020年 | 4篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 15篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 6篇 |
2008年 | 12篇 |
2007年 | 41篇 |
2006年 | 12篇 |
2005年 | 39篇 |
2004年 | 15篇 |
2003年 | 8篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 9篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 4篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有211条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
112.
113.
114.
115.
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和台面组成,其中沟槽宽度为1~10μm不同间隔,沟槽之间距离为1~10μm不同间隔.对于在不同的沟槽和台面尺寸区域3C-SiC的生长进行了详细研究.采用扫描电镜分别观察了不同区域的生长形貌,分析了图形衬底结构上SiC的生长行为.其中合并生长形成的空气隙结构可以释放由Si和SiC晶格失配引起的应力,从而可以用来解决SiC生长中的晶片翘曲问题,进行厚膜生长.XRD结果表明此无掩模硅图形衬底上得到3C-SiC(111)取向生长. 相似文献
116.
研究GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件,发现在一定的/比下,衬底温度和生长速率是影响InxGa1-xAs/GaAsQD形成及形状的一对重要因素,其中衬底温度直接影响着In的偏析程度,决定了InxGa1-xAs/GaAs的生长模式;生长速率影响着InxGa1-xAs外延层的质量,决定了InxGa1-xAs/GaAsQD的形状及尺寸.通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的InxGa1-xAs/GaAsQD(x=0.3) 相似文献
117.
118.
119.
着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题。结果表明,高Al组分的AlGaN EBL凭借其足够高的势垒高度,可以有效降低电子泄漏水平,从而改善UV LED芯片在老化后的反向漏电问题。选取365~415 nm波段、量子阱禁带宽度为3.0~3.4 eV的外延片为研究对象,研究了EBL工艺对老化后芯片漏电性能的影响,得到AlGaN EBL的最佳Al组分为30%~40%,对应禁带宽度为4.0~4.3 eV。使用该方法制作的UV LED芯片在经过长时间老化后,其漏电流可以保持在1 nA以下,综合性能大幅提升。 相似文献
120.