医学论文题名的撰写

强调论文题名的重要性,从论文构成中分析如何确定题名,列举了科研论文中常见的一些问题,并归纳了撰写文题的要点。     

一种6倍无源增益低OSR低功耗的二阶NS SAR ADC

针对一阶噪声整形(NS)往往需要增加功耗而以较高的过采样比(OSR)来实现较高的有效位数(ENOB),提出了一种低OSR、低功耗的二阶无源NS SAR ADC。该无源NS模块较高的无源增益可以更好地抑制比较器的噪声;其残差电压是通过开关MOS阵列复用积分电容实现采样,从而无需额外的残差采样电容,避免了残差采样电容清零和残差采样时kT/C噪声的产生,因此减小了总的kT/C噪声。180 nm CMOS工艺仿真结果表明,在不使用数字校准的情况下,所设计的10位二阶无源NS SAR ADC电路以100 kS/s的采样率和5的OSR,实现了13.5位ENOB,电路功耗仅为6.98 μW。     

基于半嵌入结构的超透镜共聚焦特性

设计了一种1∶1比例的半嵌入全介质超透镜,该透镜能够实现不同窄波段的共聚焦特性。采用时域有限差分法对不同高度和晶格常数下纳米单元的相移进行了数值分析。基于惠更斯-菲涅耳原理,构建了1环(半径为7.7μm)和3环(半径为13.5μm)的超透镜,并对比分析了它们的聚焦特性。在3环设计下,当波长为600 nm、线偏振光时,超透镜的焦距离设计目标偏差约为2.2%,焦点半高全宽为1.1μm,聚焦效率达到68.28%。此外,还对650～490 nm波段内的超透镜色散进行了分析,并得到了650～550 nm波段内100 nm带宽和550～490 nm波段内60 nm带宽的恒定共聚焦焦点,这是由于焦深的存在所导致的。所设计的超透镜结构具有偏振不敏感、亚衍射极限聚焦、变焦和窄波段共聚焦的特性,在超分辨率、光路复用、彩色成像等领域具有潜在的应用价值。     

基于双平行相位调制器的微波光子链路系统

针对相位调制微波光子链路输出信号无法被光电探测器直接探测的问题,采用双平行相位调制器搭建微波光子链路,从而实现相位调制的直接探测。双平行相位调制器微波光子链路采用2个相位调制器,通过调节调制器的相位偏移差为π,使2路相位调制信号在接收端拍频时不会相互抵消,实现微波信号相位调制直接探测。采用光仿真软件Optisystem进行链路模拟仿真设计和性能分析,仿真结果表明:优化后的链路可有效传输相位调制信号,并具有结构简单和噪声小等优势。     

基于AR技术龙井茶包装APP设计与开发

目的以龙井茶为对象,针对当前龙井茶包装在产品信息的传递、茶文化的弘扬以及购买后包装被废弃等方面的不足,探究AR技术在龙井茶包装的设计与应用。方法利用AutoCAD软件将龙井茶包装结构设计为可复用的工艺品;根据龙井茶的展示特性,设计含有AR技术的包装装潢图,剪辑龙井茶冲、泡等视频,创建茶文化相关三维模型;Unity,Vuforia以及visualstudio工具开发可实现虚实结合效果的应用软件。结果发布一款龙井茶包装移动应用软件,以AR图像识别、3D扫描为手段,识别龙井茶包装盒,实现茶叶模型脱卡、旋转、缩放等功能,以及龙井茶制作工艺、产地信息介绍等展示效果。结论 AR技术应用于龙井茶包装,产品的信息展示从平面变为三维,包装作为家庭摆件的二次利用减少了资源浪费。传统产品与现代技术的结合,实现了"茶文化"的"可视化",为传统文化的弘扬提供了新思路。     

线性间距固定电荷岛薄膜SOI功率器件

提出线性间距固定电荷岛高压器件新结构（LFI LDMOS）. 通过Cs和I离子注入埋氧层形成大量的线性间距固定电荷岛,吸引并积累动态空穴,这些空穴是增强埋氧层电场和提高击穿电压的关键. 利用固定电荷岛间距的线性变化改善表面电场分布,提高漂移区浓度,降低导通电阻. 数值结果表明, 在保持较小导通电阻下, LFI器件耐压高达500V,而常规器件仅为209V.     

多晶硅发射极微波功率管的三维热电耦合模型

文章结合双层多晶硅发射极双极型微波功率管器件结构,采用步内建模法,首次建立了三维热电耦合模型,并进行了直流稳态模拟.模拟结果表明,新的三维热电耦合模型可准确预测功率管结温的均匀状况.与单子胞器件CI相比,多子胞器件C2的中心区域结温变化平缓,结温温度约为390K,比单子胞器件C1的结温温度下降约10K.此外,低热传导率...     

基于Ti/Pt/Au欧姆接触金属系统的InP基HEMT器件

应用钛/铂/金(Ti/Pt/Au)金属系统在InP基HEMT制备工艺中形成了良好的欧姆接触,通过优化合金条件,获得了较低的欧姆接触电阻,并在此基础上对钛/铂/金欧姆接触形成机理进行了深入讨论。实验结果表明:在氮气气氛下进行温度300℃/30 s快速热退火后,得到欧姆接触最小电阻值为0.025Ω·mm。同时合金界面形态良好。制备出栅长1.0μm的InP基HEMT器件,测试结果表明器件具有良好的DC和RF特性,器件最大跨导(Gmmax)为672 mS/mm。饱和源漏电流IDSS为900 mA/mm,阈值电压为-0.8 V,单一的电流增益截止频率(fT)为40 GHz,最大晶振fmax为45 GHz。     

基于H形金属狭缝阵列结构双共振谷折射率传感特性

提出了一种基于H形金属狭缝阵列的新型结构。利用该结构形成的法布里-珀罗腔(Fabry-Perot,F-P)来加强表面等离激元的耦合作用,以获得一种双共振反射现象;同时研究了基于该现象的折射率传感特性。采用时域有限差分法研究了该结构中狭缝长度、宽度、金膜厚度等参数对双共振反射现象的影响。研究发现,双共振谷波长可由以上主要参数有效调控,当竖直狭缝长度为150nm、水平狭缝长度为200nm、狭缝宽度为50nm、金膜厚度为300nm时,该结构具有较好的双共振反射现象,其灵敏度分别为590和1199nm/RIU。该发现为新一代高性能表面等离子共振传感器设计提供了理论参考。