非掺杂AlGaN/GaN HEMT微波功率器件

介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果.制作了几种0.6μm栅长、100～1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100,300和500μm的器件,典型最大跨导为190～170mS/mm;截止频率比较相近,大约为24GHz;而最高振荡频率随栅宽增加而降低,分别为56,46和40GHz.测试了8GHz频率时,不同工作条件下1000μm栅宽器件的连续波微波功率特性:Vds=17V,Id=310mA,Pin=25.19dBm时,Po=30dBm(1W),Ga=4.81dB;Vds=18V,Id=290mA,Pin=27dBm时,Po=31.35dBm(1.37W),Ga=4.35dB.     

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)

5 制作工艺和优化 Ⅱ型InP DHBT的工艺流程与传统Ⅰ型InP HBT和DHBT工艺基本相同,一般沿用传统的三台面工艺,所不同之处主要是基区材料不同而导致湿法腐蚀和工艺细节变化,此外,由于Ⅱ型DHBT集电区全部采用InP材料,从而减小了由于四元缓变层带来的形成集电区台面时的工艺难度.     

基于InGaAs/InP SHBT技术的10 Gb/s单片跨阻放大器研究

介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极.基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10 Gb/s跨阻放大器.其中SHBT获得了在Ic=10 mA,Vce=2 V时,fT和fmax分别为60、75 GHz,电流密度为100 kA/cm2,击穿电压大于3 V;跨阻放大器的跨阻增益为58 dBΩ,灵敏度为-23 dBm,3 dB带宽为8.2 GHz.该单片跨阻放大器可广泛应用于光纤通信.     

长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制

介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。     

基于环形谐振腔的双波长半导体激光器的研制

由于半导体环形激光器器件尺寸不再受解理面的限制,结构简单紧凑,容易集成,近年来成为集成光源领域的研究热点之一。采用MOCVD系统外延生长InAlGaAs多量子阱激光器材料,利用BCl3,Cl2和Ar刻蚀气体的ICP干法刻蚀技术和PECVD介质钝化工艺,研制了基于环形谐振腔的双波长半导体激光器样品,实现了激光光源的单片集成。该激光器由两个半径分别为200和205μm的环形谐振腔和一条脊宽为3.4μm的直波导耦合构成,两者之间的耦合间距为1.0μm,当两个环形激光器的注入电流分别为50.12和50.22 mA时,对应的激射波长为1 543.12和1 545.64 nm。改变激光器的注入电流,可调节峰值波长与波长间隔。     

高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器

叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～ 8GHz频率范围功能正确     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

压焊点底下介质容抗对HBT高频性能影响

在对采用了同一流片相同制备工艺制得的两个异质结双极晶体管(HBT)高频特性实验测量数据分析比较的基础上,探讨了压焊点(Pad)底下介质容抗对HBT高频性能的影响,结论表明:Pad底下的介质容抗对HBT的高频性能影响比较明显,且高频段[-20dB/decade]直线外推fT、fMAX的规律由于介质容抗的存在会造成较大的误差可不再有效,因而等效电路模型需作相应的修正。     

抢挖掘机工作装置的可视化性能分析

在推导和分析液压挖掘机工作装置运动轨迹和受力规律的基础上,开发了工作装置挖掘性能可视化软件,该软件可快速准确地描绘出工作装置挖掘范围,并且该软件绘制的挖掘力云图可直观描述挖掘机在某一区域的挖掘性能.为挖掘机工作装置的设计提供理论依据和实用手段,对于国内挖掘机生产厂家消化和吸收国外挖掘机产品的技术,提高国内挖掘机的设计水平,推动国内挖掘机行业的发展具有十分重要的意义.     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ