87Kr活度测量中干扰核素的扣除

用内充气正比计数管测量短寿命核素87Kr活度中,存在气体核素85mKr和125Xe的干扰,且在制源过程中无法将杂质核素分离出去.根据各核素半衰期不同的特点,对样品进行跟踪测量,用加权最小二乘法求解线性方程组的系数对干扰气体进行了扣除,准确测量了87Kr的活度.     

区块链网络安全保障:攻击与防御

随着区块链技术的迅猛发展,区块链系统的安全问题正逐渐暴露出来,给区块链生态系统带来巨大风险.通过回顾区块链安全方面的相关工作,对区块链潜在的安全问题进行了系统的研究.将区块链框架分为数据层、网络层、共识层和应用层4层,分析其中的安全漏洞及攻击原理,并讨论了增强区块链安全的防御方案.最后,在现有研究的基础上展望了区块链安...     

长波红外主被动复合成像中目标检测仿真研究

给出了Jeffrey H. Shapiro等人的目标检测算法,以及在该算法基础上推导出的七个目标检测公式。自行编程设计和实现了仿真实验。在理想情况下,通过仿真对检测性能进行了对比,从仿真结果可知, ?孜的取值在5 dB附近或者大于5 dB时,在激光雷达的工作范围内（CNR≈10~30 dB）,综合利用主被动两种信息进行目标检测的性能要优于仅利用其中任何一种信息进行目标检测的性能,综合利用主被动三种信息进行目标检测的性能要优于仅利用其中任何一种信息以及两两信息组合进行目标检测的性能。强度像、距离像与被动红外融合时的检测性能最高,从而验证了长波红外主被动复合成像的优越性。同时,讨论了理想情况下子帧大小对目标检测公式性能的影响,对非理想情况进行了初步探讨。     

面向园区能源互联网的多元负荷特性及其调控潜力研究现状与展望

需求侧负荷特性的准确把握是构建园区能源互联网的前提与基础。文章从多元负荷的共性和耦合指标、负荷聚类与相关性分析等方面,探讨了基于数据驱动的用户负荷画像及其类型化方法;评述了单元用户冷、热、电负荷预测方法及园区整体负荷预测方法的研究现状,从同类负荷的时序调控及异类负荷的互补调控两个层面探讨了园区多元负荷的调控潜力;展望了本领域的未来研究方向。     

传统文化介蕴于大众化商品的新兴传播路径研究

在顺应新时代传媒行业发展的大背景下,本文在研究以李子柒为例的新媒体视域下优秀传统文化传播路径的基础之上,进行了对于李子柒品牌效应中蕴含的传统文化及其这一大众化商品传播路径的探究。本文主要描述了李子柒商品生产链这一新型商业关系的具体内容,和在这一背景下所体现的传统文化的商业化影响,以及对于以后优秀传统文化的创新性传播方式...     

论教学管理班主任德育影响之浅见

当前中职院校教学管理上,班主任起着举足轻重的关键作用,作为学生的各方面的领导者,班主任所处地位的对学生的影响非常的大,班主任如何权衡好自己的影响力,本文将对此展开分析。     

基于STC系列单片机的串行通信

章介绍了数据采集系统中STC12系列单片机与PC机之间的串行通信。设计了STC12C2052AD与MAX232的硬件电路，使用汇编语言编程，设置了串行口的工作方式，相应的波特率计算方法及特点，发送并接收数据。单片机从EEPROM中读取数据，通过RS-232将其传入PC，并将数据存储在24C02中。     

单条纹截面轮廓传感器的设计与标定

为实现单条纹截面轮廓传感器的设计与标定,建立了单条纹截面轮廓传感器测量物体表面点空间坐标的数学模型,基于此模型分析了单条纹截面轮廓传感器的测量误差,得出了传感器各结构参数与测量误差之间的关系.在综合分析各结构参数对测量误差的影响的基础上,得出了传感器结构参数设计的依据,并给出了结构参数设计及标定的实例.最后,通过实验的方法对传感器的测量精度进行了验证.实验结果表明:深度测量相对误差＜0.3%,重构的复杂表面具有良好的视觉效果.     

大跨度斜拉桥拉索参数振动分析

大跨度斜拉桥在荷载的作用下,桥面和桥塔会按一定的频率振动,在一定条件下可能诱发斜拉索参数共振,影响形成安全和斜拉索的耐久性。文章以某大跨斜拉桥为工程背景,在考虑索、塔、梁的协同作用下,通过分析拉索参数振动机理、计算该桥的动力特性、拉索振动频率,得出参数振动与线性内部共振的条件及影响因素,为设置拉索的抑制振动装置提供理论依据。     

封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究

为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究。基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理。封装打线时将铝线分别键合于多个IGBT芯片发射极的不同部位,并基于自主搭建的测试平台,对该批初步封装的IGBT芯片进行了电感无钳位开关条件下的应力测试。最后提出了封装改进建议,避免封装键合点对于IGBT UIS失效的影响。实验结果表明:封装焊线在IGBT发射极金属所引入的横向电阻会导致IGBT芯片的并联元胞等效电阻不均匀,并使电流更易集中于封装键合点附近,最终导致IGBT芯片在UIS条件下的失效点均位于铝线键合点附近。