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李祥平 《西安建筑科技大学学报(自然科学版)》1993,(4)
通过对受限贴附射流影响段的分析,指出,对于受限贴附射流,应用受限度h/H表征受限程度,用贴附度D/H表征贴附程度,并对各种不同的模型实验进行了讨论和分析。 相似文献
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本文通过对平板环形毛坯冲压基本变形方式的分析,着重论述毛坯相对尺寸对变形趋向的影响,进而提出了拉深-翻边复合变形方式,并推出一种由环坯冲制管箍零件的工艺方案。 相似文献
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报道了采用微波消解-电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定云浮黄铁矿中钒、铬、钴、镍、铜、锌、砷、硒、锶、钼、银、镉、锑、钡、铊、铅等16种重金属元素。重点研究了消解体系以及影响测定的因素,包括多原子离子干扰和样品的基体干扰。研究表明:选用HNO3-H2O2作为消解体系,消化效果较好。在动态反应池内引入NH3,可有效消除多原子离子干扰;样品中基体的盐度小于2.0g/L和基体铁的浓度小于1.0g/L时,不影响测定结果;采用基体稀释与内标法联用的方式克服基体效应所带来的干扰。该方法的检出限在0.008~0 相似文献
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磁控溅射法制备高性能ZnO薄膜晶体管 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了磁控溅射法制备的ZnO薄膜晶体管(TFT)。以NH3处理的热生长SiO2作为绝缘层,控制好Ar-O2比等条件溅射合适厚度的ZnO作为器件的有源层。实验表明,与普通条件下热生长的SiO2绝缘层硅片相比,NH3处理的高性能SiO2绝缘层Si片器件的载流子迁移率至少要高1个数量级以上;溅射条件在Ar-O2比25∶1情况下制作的器件性能最好;ZnO薄膜厚度也对ZnO-TFT性能有很大的影响。实验中,采用了4种膜厚,测试表明,其中25nm厚的ZnO薄膜迁移率最大。 相似文献