首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   468篇
  免费   13篇
  国内免费   137篇
电工技术   35篇
综合类   21篇
化学工业   45篇
金属工艺   15篇
机械仪表   30篇
建筑科学   18篇
矿业工程   6篇
能源动力   5篇
轻工业   18篇
水利工程   29篇
石油天然气   20篇
武器工业   2篇
无线电   262篇
一般工业技术   26篇
冶金工业   25篇
自动化技术   61篇
  2024年   1篇
  2023年   12篇
  2022年   12篇
  2021年   4篇
  2020年   5篇
  2019年   13篇
  2018年   14篇
  2017年   5篇
  2016年   7篇
  2015年   14篇
  2014年   22篇
  2013年   10篇
  2012年   30篇
  2011年   24篇
  2010年   20篇
  2009年   38篇
  2008年   40篇
  2007年   43篇
  2006年   43篇
  2005年   30篇
  2004年   33篇
  2003年   31篇
  2002年   27篇
  2001年   32篇
  2000年   42篇
  1999年   11篇
  1998年   7篇
  1997年   8篇
  1996年   14篇
  1995年   4篇
  1994年   1篇
  1992年   3篇
  1991年   2篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
  1988年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
  1984年   2篇
  1982年   1篇
  1981年   7篇
  1978年   1篇
排序方式: 共有618条查询结果,搜索用时 797 毫秒
461.
Quantum Confinement Effects in Strained SiGe/Si Multiple Quantum Wells   总被引:1,自引:1,他引:0  
Two heterointerfaces with several nanometers apart will confine the electrons(orholes) in the resulting wells.In the well,there existthe quantized subband levels.Confine-ment of carriers in1D(1dimension) ,2 D or3D occurs in the nanomet...  相似文献   
462.
用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料   总被引:2,自引:0,他引:2  
分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基  相似文献   
463.
应用 Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层 Si1- x Gex 层应力弛豫的影响 .Raman散射的峰位不仅与 Ge组分有关 ,而且与其中的应力状态有关 .在完全应变和完全弛豫的情况下 ,Si1- x Gex 层中的 Si- Si振动模式相对于衬底的偏移都与 Ge组分成线性关系 .根据实测的 Raman峰位 ,估算了应力弛豫 .结果表明 :对组分渐变缓冲层结构而言 ,超晶格缓冲层中界面间应力更大 ,把位错弯曲成一个封闭的环 ,既减少了表面位错密度 ,很大程度上又释放了应力  相似文献   
464.
铒离子在硅中呈现弱施主特性,O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级.氧杂质与铒离子形成复合体,其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道.提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型,建立了发光动力学速率方程,并进行了详细推导.发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关.指出铒离子-束缚激子复合体的热离化和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因.拟合PL测量实验结果表明:它们对应的激活能分别为6.6meV和47.4meV.  相似文献   
465.
垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器   总被引:2,自引:1,他引:1  
报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.  相似文献   
466.
柴达木盆地一里坪地区新近系油气成藏条件   总被引:3,自引:1,他引:2  
通过对一里坪地区的烃源岩、储盖层、圈闭等各项成藏关键因素分析,确定制约新近系油气藏形成的主控因素。认为,一里坪地区烃源岩主要为$N^{1}_{2}$层段和部分$N^{2}_{2}$层段暗色泥质岩,其有机质丰度相对较低,有机质类型以腐殖型为主,成熟门限为2 800 m; 储集层主要为粉砂岩,物性偏低; 圈闭主要为背斜、断背斜等。据构造演化史、沉积史、生烃史分析,确定新近系烃源岩主要生烃期与圈闭发育史较为匹配,形成“内储式原生油气藏”的成藏模式。确定出碱山和碱石山为近期勘探的目标。  相似文献   
467.
240 T/h锅炉水冷壁爆管原因分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对典型爆口试件的垢成分分析、化学水汽样品分析和金相分析,结合机组运行期间的水汽品质分析,分别从化学和金相两个切入点探讨了锅炉发生爆管的原因,并针对发生酸腐蚀的原因提出了相应的处理措施,机组目前的运行情况证明这些措施是有效的.  相似文献   
468.
一个检测半导体激光器质量的有效方法   总被引:1,自引:1,他引:1  
对一百支PBC结构的InGaAsP/InP激光器的检测表明,通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选.  相似文献   
469.
本文叙述:精密光弹切片机的原理与机构;对切片中光弹条纹保真度和几何精度的要求及其机构措施;光弹切片机的整机设计。经使用本精密光弹切片机能够满足三维光弹模型的切片要求。  相似文献   
470.
研究了Fe-Mo-B预合金粉的含量对温压铁基材料烧结硬化后试样的密度、尺寸精度、表观硬度和抗拉强度以及显微组织的影响。结果表明:混合粉中加入一定量的Fe-Mo-B预合金粉,利用温压工艺压制成形后烧结硬化,可有效提高试样的力学性能并可获得典型贝氏体组织。烧结试样密度最高为7.49g/cm^3,其相对密度为97.74%;表观硬度最高可达44HRC,抗拉强度为1434MPa。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号