高效液相色谱法检测鸡肉中的泰乐菌素

建立了鸡肉中泰乐菌素的高效液相色谱检测方法。样品经甲醇提取,正己烷脱脂。流动相为甲醇:磷酸二氢钾(0.04 mol/m L,p H 2.5)溶液,流速为1 m L/min,等度洗脱。泰乐菌素浓度在2μg/m L~16μg/m L范围内呈良好线性关系,相关系数R2=0.999 7。在2.0μg/m L,3.0μg/m L,4.0μg/m L3个添加水平下,回收率范围为96.33%~101.73%,精密度为4.41%。该方法灵敏,简单,快速且准确,适用于鸡肉样品中泰乐菌素残留量的检测。     

热辐射型光纤高温传感器的研究

文中在分析了热电偶、红外测温存在的缺点的基础上设计了热辐射型光纤高温传感器;阐述了热辐射测温的基本原理,通过比色测温的方式来消除被测物体的光谱发射率、周围环境对测量精度的影响,采用双通道不带光调制方式来提高输出信号强度、测量精度;基于高温工况下光纤的易损坏特性,选择了合理的光纤及其保护材料,设计了光纤导入和切断结构;该系统测量范围为800～2000℃,测量精度可达0.5%,可以用于炼钢过程、燃气轮机等高温环境的温度测量.     

基于6RA70的12脉动整流器设计

设计了2台6RA70并联12脉动整流,对系统进行了硬件和软件设置,并得到了良好的运行结果.     

蒲石河抽水蓄能电站上水库面板混凝土抗裂性试验研究

蒲石河抽水蓄能电站地处寒冷地区,堆石坝面板混凝土的防裂性能关系工程运行安全和长期可靠性.根据混凝土裂缝产生的机理,从原材料优选和配合比设计角度开展研究工作,旨在降低裂缝产生的几率,以及在产生裂缝后有效阻止裂缝的发展.通过混凝土性能试验对比,得到了抗裂性能良好的混凝土配合比.     

500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si0.5Ge0.5层

利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态.并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱.拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用.     

人体运动分析及其在三维互动娱乐中的应用

本文利用视频信息来对人体局部运动进行获取、处理和分析。通过对比分析背景差法、帧差法以及光流法在静止背景中提取运动目标的效果并利用背景差法在单一视频中,跟踪人体的运动,提取人体的运动特征数据,并加上时间参数使之形成运动曲线,从而控制三维场景中特定物体的运动,实现互动娱乐的效果,增强娱乐性和交互性     

硅基狭缝脊形波导的几何尺寸对光场分布的影响

文中采用时域有限差分模拟的方法,研究了狭缝脊形波导中狭缝的宽度、狭缝两侧波导的宽度以及狭缝的深度对狭缝脊形波导光场分布的影响。在狭缝脊型波导中, 随着狭缝宽度的增加, 其归一化光功率先增大后减小;同样,光功率随着狭缝两侧波导的增加也呈现出先增加后减小的现象;随着狭缝刻蚀深度的增加,归一化光功率是逐渐增大的。通过比较狭缝中归一化光功率的值,将其影响量化,进一步找到最合适狭缝脊形波导的几何尺寸。实验结果表明,当狭缝的宽度为40 nm,两侧波导的宽度为220 nm,狭缝刻蚀深度为220 nm时,归一化光功率达到最大值为13.54 %。该仿真结果有助于优化狭缝脊形波导与调制器制造和集成。     

利用金属过渡层低温键合硅晶片

在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414 ℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度.     

基于稀释波导的InP衬底上高耦合效率、低偏振敏感度1.55μm波长光纤-波导耦合器

研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器.它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP(1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成.采用半矢量三维束传播(BPM)方法以及中心差分格式,模拟了不同条件下的光纤-波导耦合效率,从而得到了最优耦合条件.对于TE偏振和TM偏振模,计算所得到的最高耦合效率分别为94%和92%.同时,计算表明,此类基于稀释波导的光纤-波导耦合器具有高偏振不敏感性,偏振敏感度低于0.1dB.     

SOI波导弯曲损耗影响因素的分析

采用有效折射率方法EIM(effective index method)和二维束传播算法（2D-BPM）对SOI (silicon-on-insulator）波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析. 通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小. 同时，改进波导结构，例如在弯曲波导外侧刻槽可以减小SOI脊形波导的弯曲损耗.