基于跳距修正加权DV Hop的WSN定位算法

针对DV Hop算法在估算平均每跳距离时存在较大的误差,提出一种跳距修正的加权定位算法。改进后算法是通过引入平均每跳距离误差修正值,进行加权处理,从而减少了跳距误差,避免了后续计算过程中误差的累积。仿真结果表明,改进的DV Hop算法在不增加硬件开销的基础上,能有效提高定位精度,降低定位误差,具有较好的稳定性,是一种实用的无线传感器网络(WSN)节点定位方案。     

MIMO-OFDM系统训练序列构造及其同步方法

针对MIMO-OFDM系统对同步错误率和载波频偏特别敏感问题,本文提出了MIMO-OFDM系统训练序列构造及其同步方法.该同步方法设计的训练序列由两个结构不同的序列构成：第一个序列利用重复性构成,第二个序列利用反对称性构成,其构造训练序列中的β因子影响系统定时同步性能.在接收端,利用训练序列和本地数据信号进行互相关获取定时同步,在获取精确地定时同步后进行小数频偏估计和整数频偏估计,其整数频偏估计范围可达到1/4带宽.通过理论分析和仿真表明：本文提出的同步新方法比常规方法有更好的同步性能,并且降低了系统计算复杂度.     

纺织品抗菌整理新进展(二)

5.4 三氯新 三氯新(2,4,4'-三氯-2'-羟基二苯醚)也是一种广谱杀菌剂,对很多常风菌种的MIC值都小于10mg/kg.     

2007/2008年全球染整设备的市场情况

2009年,国际纺织制造商联合会(ITMF)对全球22家知名的纺织整理设备生产商进行了调查,对连续丝光、漂白、染色和水洗的市场销售情况进行了总结.这22家纺织整理设备生产商为:德国门富士(Montforts)公司,印度Arudatta公司,瑞士贝宁格(Benninger)公司,德国布鲁克纳(Brückner)公司,荷兰布鲁格曼(Brugman)公司,印度Devrekha公司,德国安德利兹寇司德(Eduard Küsters)公司,德国艾尔巴(Erbatech)公司,中国香港特区立信(Fong′s)公司,德国高乐(Goller)公司,印度Inspiron公司、KRSNA公司、Küsters Calico公司,日本京都机械公司,德国门泽尔(Menzel)公司,意大利梅泽拉(Mezzera)公司,美国莫里森(Morrisson)纺织机械公司,印度M-TEX公司,瑞士桑德士(Santex)公司,印度SM Energy公司和Yamuna公司.     

纺织加工用纳米材料

几个世纪以来,人们使用银盐和金盐,不知不觉间在生产釉和彩色玻璃的过程中制造出了纳米尺寸的分散颜料.在17世纪中期,Andreus Cassius制造出了"凯细欧紫",它是胶态金在锡酸中的一种形态,用于对玻璃和陶瓷着色.     

湿法涂层制备涤纶洁净服面料

采用聚偏氟乙烯(PVDF)涂层液对涤纶织物进行湿法涂层以制备洁净服面料,讨论各工艺因素对涂层面料性能的影响.试验获得的优化工艺条件为:PVDF用量14%,添加剂LiCl 3%,预挥发时间30s,凝固浴的组成为氯化钠:去离子水=5:95,涂层量5-7g/m2.采用优化工艺制得的洁净服面料,滤尘性高达90%,透湿和透气性也较好.     

局部阴影条件下光伏组件的输出特性研究

为研究局部阴影对光伏组件输出特性的影响,本文以320 W单晶硅光伏组件为研究对象,利用软件模拟方法研究组件在不同遮挡比例和不同遮挡方式下的输出特性,并通过现场实验对模拟结论进行验证。研究结果表明,光伏组件内任意一块电池片的遮挡均会导致整个组件输出功率衰减,当电池片被遮挡面积大于50%时,组件输出功率降低1/3;组件中处于同一旁路二级管内的电池片被遮挡时,不论被遮挡的电池片数量是多少,均会导致约29%的组件功率衰减;组件被局部阴影纵向贯穿遮挡时的输出功率比横向贯穿遮挡时提高约216 W。     

京津冀地区民俗文化在创意产业中的应用

目的以保护与传承京津冀地区的民俗文化,深入分析开发民俗文化创意产业的实践方式。方法以民俗文化的视角,在当前京津冀一体化与新型城镇化建设协同发展的战略国策背景下,分析京津冀地区如何保护与传承其丰富的民俗文化资源。结论得出了文化创意是实现民俗文化保护与发展的重要途径之一,通过分析京津冀地区民俗文化的独特性和文化价值,发掘其在创意产业化过程中的价值所在,归纳并总结出开发京津冀民俗文化创意产业的实践方法。     

硒化锌晶体超精密切削材料去除机理研究

硒化锌晶体在红外成像与激光系统中有着广泛的应用,作为典型软脆性材料,其材料去除机理目前尚不清晰,获得超光滑表面仍极具挑战。文中采用槽切法研究刀具负前角对硒化锌晶体脆塑转变临界深度的影响。通过分析最大未变形切削厚度随切削参数变化规律,提出实现硒化锌晶体塑性域切削的理论模型。借助场发射扫描电子显微镜、白光干涉仪和拉曼光谱仪,系统分析了进给率对工件表面粗糙度、表面完整性及亚表面损伤的影响,提出表面缺陷形成机理,进而揭示硒化锌晶体材料去除机理。     

基于纳米划刻实验的单晶锗切削机理的研究

本文选用 Berkovich 压头,使用纳米压痕仪对单晶锗进行了变载荷纳米刻划试验,利用SEM观测了刻划过程中沟槽表面形貌特征,将划刻过程中材料的去除机制分为延性域、脆塑转变域和脆性域三个阶段,并分析了在各个阶段的力学特征。根据断裂力学理论,以切向力的首次下降作为脆塑转变发生点,由此获得单晶锗脆塑转变的临界载荷及临界深度,并分析了裂纹的产生与扩展过程。对于纳米划刻过程中法向力、切向力、摩擦因数与划刻深度的函数关系进行非线性拟合,由相关系数的计算结果表明,划刻力与划刻深度之间存在强相关性。基于赫兹接触理论计算单晶锗划刻过程中临界弹塑转变深度,其大小为1.33 nm。基于脆朔转变临界载荷,建立了表征单晶锗材料脆塑转变临界深度的表达式,结果表明其脆塑转变临界深度为561 nm。由此对于单晶锗划刻过程中不同阶段确立了量化区分方法。