表面活性改性剂对纳米NiB/SiO2粉体催化活性的影响

利用TG-DTA分析研究了表面活性改性剂对纳米NiB/SiO2粒子催化高氯酸铵(AP)热分解反应活性的影响.结果表明,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对SiO2载体表面改性效果最好,对NiB/SiO2粉体催化AP热分解的活性改善最明显.质量分数5%的纳米NiB/SiO2/CTAB粉体将AP的低温热分解质量损失提高了22...     

用“时间”增加地址线法扩充MCS51单片机外接ROM

针对ＭＣＳ５１系列单片机在实际应用中受外接ＲＯＭ最大容量限制，提出了一种扩充外接ＲＯＭ的方法，有效地扩大了ＭＣＳ５１机的应用范围。     

一种高效视频编码插值滤波VLSI架构设计

最新视频编码标准高效视频编码( HEVC )将8抽头内插值滤波器应用于分数像素运动估计中。相比H.264/AVC标准中使用的6抽头内插值滤波器,虽然提高了精确度,但增大了超大规模集成电路( VLSI)实现的面积。为此,设计一个内插值滤波器VLSI架构。为便于VLSI实现,提出一种快速内插值滤波算法,并在此基础上,构造可重构配置和单元块复用的内插值滤波器VLSI架构,以降低硬件的实现面积。实验结果表明,与未优化的VLSI架构相比,该架构能降低实现面积和提高工作频率,节省大量的存储RAM,可支持4∶2∶0格式的3840×2160视频序列的实时处理。     

用C51实现MCS51系列单片机外接ROM扩充

针对ＭＣＳ５１系列单片机外接ＲＯＭ最大容量为６４ＫＢ的限制,利用Ｃ５１编译器实现了对ＭＣＳ５１系列单片机外接ＲＯＭ的扩充,阐述了在实际应用中的实现方法,有效地扩大了ＭＣＳ５１系列单片机的应用范围。     

纳米SiO2负载的过渡金属硼化物对AP热分解的催化作用

采用化学还原法制备纳米NiB/SiO2、CoB/SiO2、MoB/SiO2催化剂,通过热重-差热分析(TG-DTA)研究了其对AP热分解过程的催化作用.结果表明,负载过渡金属硼化物催化剂对AP分解的催化活性顺序为:CoB/SiO2＞NiB/SiO2＞ MoB/SiO2;加入质量分数5％的CoB/SiO2使AP高温热分解峰温度降低166.2℃;SiO2载体将CoB晶型转化推迟了 110℃左右,改善了催化剂的热稳定性.     

基于FPGA的视频实时边缘检测系统

于对视频图像检测与识别的需要,提出了一种基于FPGA的视频边缘检测系统设计方案,并完成系统的硬件设计.通过FPGA控制摄像头进行视频采集,双端口SDRAM对图像数据进行缓存,FPGA再对数据进行实时处理.实际采用DE2-115开发板和CMOS摄像头OV7670为硬件平台进行验证.结果表明,该系统具有实时性高,检测准确的特点,达到了设计要求.     

纳米NiB/SiO2/CTAB催化剂的制备和表征

为增加NiB粒子的多样性并拓宽其现有的应用范围,采用浸渍化学还原方法制备NiB/SiO2/CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)粉体催化剂.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜(sEM)和傅里叶变换红外分光光度计等仪器对制备的NiB/SiO2/CTAB粉体的组成、物相和组织形貌进行表征的结果为:在纳米SiO2载体表面成功沉积了N...     

化学镀镍及其前处理对空心陶瓷粉体润湿性的影响

给出了一种空心陶瓷粉体表面化学镀及其前处理工艺,采用透过高度法、红外光谱法对前处理和化学镀后粉体表面性能及在不同润湿相中的润湿性能进行了研究。实验结果表明:空心陶瓷粉体经粗化、化学镀处理后润湿性能有大幅提高,利于提高粉体与基体的结合强度;利用润湿性的变化可以考察其粗化处理程度。     

纳米金属Ni、纳米非晶合金Ni-P及Ni-B的制备及表征

运用化学镀方法制备纳米Ni、Ni-P及Ni-B粉末,并通过透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等方法对纳米粉末的物相、组织形貌和粒度进行了测试表征.结果表明,纳米Ni粉末平均粒径为60 nm,面心立方晶体,粉末呈现球形;纳米Ni-P及Ni-B为非晶体,粉末呈现松散的聚集状态;纳米Ni-P及Ni-B粉体热稳定性较差,粒径分布较宽,分别为10～80 nm和30～50 nm;纳米Ni、Ni-P及Ni-B粉末纯度较高.     

烃油乳液型消泡剂的制备及其在丁腈胶乳后处理中的应用

制备了烃油乳液型消泡剂,研究了原料、反应物配比、反应温度、反应时间、乳化体系及配比等对制备烃油乳液型消泡剂的影响;考察了该消泡剂在丁腈胶乳(NBRL)后处理中的应用效果,并与进口消泡剂进行了对比。结果表明,制备烃油乳液型消泡剂的最佳反应条件为高碳脂肪酸/烷基醇胺(质量比)为2.8/1,液体石蜡/高碳脂肪酸(质量比)为4.5/1,酯化反应温度为100℃,反应时间为3.5 h;在水溶液及NBRL体系中,烃油乳液型消泡剂与进口消泡剂相比,其消泡性能相当或更好;加入适量消泡剂,NBRL后处理装置泡沫抑制情况较好,对丁腈橡胶产品的性质及力学性能无不良影响。